Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
Предлагаемые способ и устройство предназначены для создания многослойных полупроводниковых приборов различного спектрального диапазона, а также структур на основе арсенидгаллиевых соединений....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2007 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52817 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵ / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ф.А. Гиясова, Р.А. Саидова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 56-58. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52817 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Гиясова, Ф.А. Саидова, Р.А. 2014-01-07T19:13:44Z 2014-01-07T19:13:44Z 2007 Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵ / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ф.А. Гиясова, Р.А. Саидова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 56-58. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52817 Предлагаемые способ и устройство предназначены для создания многослойных полупроводниковых приборов различного спектрального диапазона, а также структур на основе арсенидгаллиевых соединений. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵ Комбінований спосіб вирощування епітаксійних шарів напівпровідникових сполук А³В⁵ Combined way of cultivation of epitaxial layers of semiconductor connections А³В⁵ Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵ |
| spellingShingle |
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵ Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Гиясова, Ф.А. Саидова, Р.А. Технологические процессы и оборудование |
| title_short |
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵ |
| title_full |
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵ |
| title_fullStr |
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵ |
| title_full_unstemmed |
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵ |
| title_sort |
комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений а³в⁵ |
| author |
Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Гиясова, Ф.А. Саидова, Р.А. |
| author_facet |
Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Гиясова, Ф.А. Саидова, Р.А. |
| topic |
Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet |
Технологические процессы и оборудование |
| publishDate |
2007 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Комбінований спосіб вирощування епітаксійних шарів напівпровідникових сполук А³В⁵ Combined way of cultivation of epitaxial layers of semiconductor connections А³В⁵ |
| description |
Предлагаемые способ и устройство предназначены для создания многослойных полупроводниковых приборов различного спектрального диапазона, а также структур на основе арсенидгаллиевых соединений.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52817 |
| citation_txt |
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵ / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ф.А. Гиясова, Р.А. Саидова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 56-58. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT edgorovadm kombinirovannyisposobvyraŝivaniâépitaksialʹnyhsloevpoluprovodnikovyhsoedineniia3v5 AT karimovav kombinirovannyisposobvyraŝivaniâépitaksialʹnyhsloevpoluprovodnikovyhsoedineniia3v5 AT giâsovafa kombinirovannyisposobvyraŝivaniâépitaksialʹnyhsloevpoluprovodnikovyhsoedineniia3v5 AT saidovara kombinirovannyisposobvyraŝivaniâépitaksialʹnyhsloevpoluprovodnikovyhsoedineniia3v5 AT edgorovadm kombínovaniisposíbviroŝuvannâepítaksíinihšarívnapívprovídnikovihspoluka3v5 AT karimovav kombínovaniisposíbviroŝuvannâepítaksíinihšarívnapívprovídnikovihspoluka3v5 AT giâsovafa kombínovaniisposíbviroŝuvannâepítaksíinihšarívnapívprovídnikovihspoluka3v5 AT saidovara kombínovaniisposíbviroŝuvannâepítaksíinihšarívnapívprovídnikovihspoluka3v5 AT edgorovadm combinedwayofcultivationofepitaxiallayersofsemiconductorconnectionsa3v5 AT karimovav combinedwayofcultivationofepitaxiallayersofsemiconductorconnectionsa3v5 AT giâsovafa combinedwayofcultivationofepitaxiallayersofsemiconductorconnectionsa3v5 AT saidovara combinedwayofcultivationofepitaxiallayersofsemiconductorconnectionsa3v5 |
| first_indexed |
2025-12-07T19:25:41Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:25:41Z |
| _version_ |
1850878766047297536 |