Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵

Предлагаемые способ и устройство предназначены для создания многослойных полупроводниковых приборов различного спектрального диапазона, а также структур на основе арсенидгаллиевых соединений....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2007
Автори: Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Гиясова, Ф.А., Саидова, Р.А.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52817
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵ / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ф.А. Гиясова, Р.А. Саидова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 56-58. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862731373600571392
author Ёдгорова, Д.М.
Каримов, А.В.
Гиясова, Ф.А.
Саидова, Р.А.
author_facet Ёдгорова, Д.М.
Каримов, А.В.
Гиясова, Ф.А.
Саидова, Р.А.
citation_txt Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵ / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ф.А. Гиясова, Р.А. Саидова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 56-58. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Предлагаемые способ и устройство предназначены для создания многослойных полупроводниковых приборов различного спектрального диапазона, а также структур на основе арсенидгаллиевых соединений.
first_indexed 2025-12-07T19:25:41Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52817
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-12-07T19:25:41Z
publishDate 2007
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Ёдгорова, Д.М.
Каримов, А.В.
Гиясова, Ф.А.
Саидова, Р.А.
2014-01-07T19:13:44Z
2014-01-07T19:13:44Z
2007
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵ / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ф.А. Гиясова, Р.А. Саидова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 56-58. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52817
Предлагаемые способ и устройство предназначены для создания многослойных полупроводниковых приборов различного спектрального диапазона, а также структур на основе арсенидгаллиевых соединений.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Технологические процессы и оборудование
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
Комбінований спосіб вирощування епітаксійних шарів напівпровідникових сполук А³В⁵
Combined way of cultivation of epitaxial layers of semiconductor connections А³В⁵
Article
published earlier
spellingShingle Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
Ёдгорова, Д.М.
Каримов, А.В.
Гиясова, Ф.А.
Саидова, Р.А.
Технологические процессы и оборудование
title Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
title_alt Комбінований спосіб вирощування епітаксійних шарів напівпровідникових сполук А³В⁵
Combined way of cultivation of epitaxial layers of semiconductor connections А³В⁵
title_full Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
title_fullStr Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
title_full_unstemmed Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
title_short Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
title_sort комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений а³в⁵
topic Технологические процессы и оборудование
topic_facet Технологические процессы и оборудование
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52817
work_keys_str_mv AT edgorovadm kombinirovannyisposobvyraŝivaniâépitaksialʹnyhsloevpoluprovodnikovyhsoedineniia3v5
AT karimovav kombinirovannyisposobvyraŝivaniâépitaksialʹnyhsloevpoluprovodnikovyhsoedineniia3v5
AT giâsovafa kombinirovannyisposobvyraŝivaniâépitaksialʹnyhsloevpoluprovodnikovyhsoedineniia3v5
AT saidovara kombinirovannyisposobvyraŝivaniâépitaksialʹnyhsloevpoluprovodnikovyhsoedineniia3v5
AT edgorovadm kombínovaniisposíbviroŝuvannâepítaksíinihšarívnapívprovídnikovihspoluka3v5
AT karimovav kombínovaniisposíbviroŝuvannâepítaksíinihšarívnapívprovídnikovihspoluka3v5
AT giâsovafa kombínovaniisposíbviroŝuvannâepítaksíinihšarívnapívprovídnikovihspoluka3v5
AT saidovara kombínovaniisposíbviroŝuvannâepítaksíinihšarívnapívprovídnikovihspoluka3v5
AT edgorovadm combinedwayofcultivationofepitaxiallayersofsemiconductorconnectionsa3v5
AT karimovav combinedwayofcultivationofepitaxiallayersofsemiconductorconnectionsa3v5
AT giâsovafa combinedwayofcultivationofepitaxiallayersofsemiconductorconnectionsa3v5
AT saidovara combinedwayofcultivationofepitaxiallayersofsemiconductorconnectionsa3v5