Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
Предлагаемые способ и устройство предназначены для создания многослойных полупроводниковых приборов различного спектрального диапазона, а также структур на основе арсенидгаллиевых соединений....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52817 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵ / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ф.А. Гиясова, Р.А. Саидова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 56-58. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2007)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
за авторством: Рогов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Рогов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
за авторством: Александров, С.Б., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Александров, С.Б., та інші
Опубліковано: (2011)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Зяблюк, К.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Зяблюк, К.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2006)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)
Автоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
за авторством: Бойко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Бойко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
за авторством: Новосядлый, С.П.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Новосядлый, С.П.
Опубліковано: (1998)
Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Устройства для контроля качества сварных соединений выводов бескорпусных микросхем
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2013)
Получение соединений повышенной плотности термозвуковой микросваркой в 3D интегральных микросхемах
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2014)
Бесконтактный метод определения эффективности термоэлектрических материалов
за авторством: Ащеулов, А.А.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ащеулов, А.А.
Опубліковано: (2009)
Технология и оборудование для обработки алмазных материалов современной электроники
за авторством: Митягин, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Митягин, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
Моделирование технологии изготовления субмикронных КМОП СБИС с помощью систем TCAD
за авторством: Глушко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Глушко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Рафинирование Cd и Zn от примесей внедрения при дистилляции с геттерным фильтром ZrFe
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2013)
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
за авторством: Голишников, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Голишников, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)
Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
за авторством: Иванчиков, А.Э., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Иванчиков, А.Э., та інші
Опубліковано: (2008)
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
за авторством: Пилипенко, В.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Пилипенко, В.А., та інші
Опубліковано: (2013)
Алгоритм выбора интервала пересчета параметров объектов контроля и управления в АСУ ТП
за авторством: Тыныныка, А.Н
Опубліковано: (2016)
за авторством: Тыныныка, А.Н
Опубліковано: (2016)
Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
за авторством: Шангереева, Б.А.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Шангереева, Б.А.
Опубліковано: (2008)
Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
за авторством: Борисенко, А.Г.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Борисенко, А.Г.
Опубліковано: (2013)
Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
за авторством: Турцевич, А.С.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Турцевич, А.С.
Опубліковано: (2008)
Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде
за авторством: Рудякова, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Рудякова, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
Усовершенствованный метод выявления «горячих точек» в изделиях микроэлектроники
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2008)
Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
за авторством: Липинский, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Липинский, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
Повышение адгезионной прочности никелевых контактов ветвей термоэлектрических модулей
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2006)
Установка для экспресс-контроля глубины охлаждения термоэлектрических микромодулей Пельтье
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009)
Получение высокочистых гранулированных металлов: кадмия, цинка, свинца
за авторством: Щербань, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Щербань, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)
Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Измерительно-вычислительный комплекс СМ-100 для характеризации жидкокристаллических дисплеев
за авторством: Сорокин, В.М., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Сорокин, В.М., та інші
Опубліковано: (2008)
Ударостойкие защитные пленочные покрытия на основе AlN в электронной технике
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2005)