«Электронный нос» на основе матрицы элементарных полупроводниковых резистивных сенсоров
Химический сенсор, основанный на матричной полисенсорной структуре, содержит 16 газовых моносенсоров, компьютерную программу контроля и математическую программу обработки результатов....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2007 |
| Hauptverfasser: | Алтухов, А.А., Митягин, А.Ю., Шустров, А.В. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52826 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | «Электронный нос» на основе матрицы элементарных полупроводниковых резистивных сенсоров / А.А. Алтухов, А.Ю. Митягин, А.В. Шустров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 4. — С. 16-18. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
"Электронный нос" на основе матрицы элементарных полупроводниковых резистивных сенсоров
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Особенности работы матричных полупроводниковых сенсоров в системе „электронный нос”. Ч. 1
von: Лукаш, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Лукаш, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Устройства измерения температуры на основе пленочных термоэлектрических сенсоров
von: Капитанов, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Капитанов, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Температурная зависимость рабочих характеристик пьезоэлектрических сенсоров на основе поливинилиденфторида
von: Ревенюк, Т.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Ревенюк, Т.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
von: Ушенин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Ушенин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Электротепловой элемент сенсоров газа
von: Лепих, Я.И.
Veröffentlicht: (2002)
von: Лепих, Я.И.
Veröffentlicht: (2002)
Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Оптические сенсоры газов на основе полупроводниковых источников ИК-излучения
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2008)
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2008)
Первичные преобразователи для микродатчиков ускорения и давления на алмазных материалах
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Оптико-электронный метод избыточных измерений давления: особенности реализации
von: Кондратов, В.Т., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Кондратов, В.Т., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Дистанционный оптико-электронный датчик с растровой решеткой
von: Иванченко, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Иванченко, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Разработка отечественного интеллектуального прибора „электронный нос”
von: Войтович, И.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Войтович, И.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
von: Лопин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Лопин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов
von: Бабичев, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Бабичев, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Магнитокоммутируемая микросхема и датчик измерения скорости ветра на ее основе
von: Касимов, Ф.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Касимов, Ф.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni>
von: Дружинин, А.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Дружинин, А.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Анизотропный приемник теплового излучения на основе антимонида кадмия
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Оптоэлектронные сенсоры газов на основе многоэлементных источников ИК-излучения
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2010)
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2010)
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2010)
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2010)
Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2010)
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2010)
Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Модель функционирования полупроводниковых сенсоров с фрактальной структурой
von: Даник, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Даник, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN
von: Стемпицкий, В.Р., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Стемпицкий, В.Р., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Расчет коэффициента преобразования кондуктометрического датчика биосенсора
von: Михаль, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Михаль, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Распределения температуры анизотропной пластины с учетом ее оптических свойств
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
von: Иванова, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Иванова, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Ähnliche Einträge
-
"Электронный нос" на основе матрицы элементарных полупроводниковых резистивных сенсоров
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Особенности работы матричных полупроводниковых сенсоров в системе „электронный нос”. Ч. 1
von: Лукаш, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Устройства измерения температуры на основе пленочных термоэлектрических сенсоров
von: Капитанов, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Температурная зависимость рабочих характеристик пьезоэлектрических сенсоров на основе поливинилиденфторида
von: Ревенюк, Т.А., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
von: Ушенин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)