Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2007
• Hauptverfasser: Лопин, А.В., Семёнов, А.В., Пузиков, В.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
• Schlagworte: Сенсоэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52827
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC / А.В. Лопин, А.В. Семёнов, В.М. Пузиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 4. — С. 19-22. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

На основе нанокристаллических пленок кубического политипа карбида кремния, полученных прямым ионным осаждением на подложке из лейкосапфира, разработан интерференционный датчик температуры....