Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
Полученные результаты представляют интерес для создания фотоэлектропреобразовательных структур, регистрирующих слабые световые сигналы при малых рабочих напряжениях....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2007 |
| Main Authors: | Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Гиясова, Ф.А., Азимов, Т.М., Бузруков, У.М., Якубов, А.А. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52828 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А. Гиясова, Т.М. Азимов, У.М. Бузруков, А.А. Якубов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 4. — С. 23-28. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2013)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2013)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008)
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
by: Рахматов, А.З., et al.
Published: (2010)
by: Рахматов, А.З., et al.
Published: (2010)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2012)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2012)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2015)
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2015)
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011)
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)
Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2006)
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2006)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2007)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2007)
Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2006)
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2006)
Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
by: Тонкошкур, А.С., et al.
Published: (2014)
by: Тонкошкур, А.С., et al.
Published: (2014)
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
by: Войцеховский, А.В., et al.
Published: (2005)
by: Войцеховский, А.В., et al.
Published: (2005)
Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
by: Ижнин, И.И., et al.
Published: (2005)
by: Ижнин, И.И., et al.
Published: (2005)
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2008)
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2008)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2008)
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2008)
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2018)
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2018)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2008)
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2008)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)
Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
by: Глауберман, М.А., et al.
Published: (2013)
by: Глауберман, М.А., et al.
Published: (2013)
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)
3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов
by: Белянин, А.Ф., et al.
Published: (2005)
by: Белянин, А.Ф., et al.
Published: (2005)
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
by: Форш, П.А., et al.
Published: (2009)
by: Форш, П.А., et al.
Published: (2009)
Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой
by: Семенов, А.А., et al.
Published: (2012)
by: Семенов, А.А., et al.
Published: (2012)
Анизотропная термоэлектрическая матрица для регистрации излучения
by: Ащеулов, А.А.
Published: (2007)
by: Ащеулов, А.А.
Published: (2007)
Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
by: Перевертайло, В.Л., et al.
Published: (2009)
by: Перевертайло, В.Л., et al.
Published: (2009)
Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
by: Дементьев, С.Г., et al.
Published: (2010)
by: Дементьев, С.Г., et al.
Published: (2010)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2007)
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2007)
Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2011)
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2011)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
by: Солодуха, В.А., et al.
Published: (2012)
by: Солодуха, В.А., et al.
Published: (2012)
Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2016)
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2016)
Роль пластической деформации в получении нанокремния
by: Смынтына, В.А., et al.
Published: (2011)
by: Смынтына, В.А., et al.
Published: (2011)
Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов
by: Габа, В.М.
Published: (2009)
by: Габа, В.М.
Published: (2009)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2011)
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2011)
Similar Items
-
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008) -
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005) -
Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005) -
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2013) -
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008)