Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
Полученные результаты представляют интерес для создания фотоэлектропреобразовательных структур, регистрирующих слабые световые сигналы при малых рабочих напряжениях....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2007 |
| Main Authors: | Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Гиясова, Ф.А., Азимов, Т.М., Бузруков, У.М., Якубов, А.А. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52828 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А. Гиясова, Т.М. Азимов, У.М. Бузруков, А.А. Якубов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 4. — С. 23-28. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008) -
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005) -
Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005) -
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2013) -
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008)