Вычисление дифракционной составляющей глубины резко изображаемого пространства в оптическом микроскопе
Предложен математический аппарат для вычисления дифракционной составляющей глубины резко изображаемого пространства в оптическом микроскопе по критериям Рэлея и Марешаля....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автор: | Боровицкий, В.Н. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52832 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Вычисление дифракционной составляющей глубины резко изображаемого пространства в оптическом микроскопе / В.Н. Боровицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 4. — С. 38-47. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Вычисление дифракционной составляющей глубины резко изображаемого пространства в оптическом микроскопе
за авторством: Borovytsky, V. N.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Borovytsky, V. N.
Опубліковано: (2007)
Установка для экспресс-контроля глубины охлаждения термоэлектрических микромодулей Пельтье
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Позиционирование изображений фотошаблонов в системах автоматизированного оптического контроля
за авторством: Крылов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Крылов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)
Технология сборки микросхем на гибком полиимидном носителе
за авторством: Плис, Н.И., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Плис, Н.И., та інші
Опубліковано: (2010)
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr
за авторством: Павлович, И.И., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Павлович, И.И., та інші
Опубліковано: (2011)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009)
Повышение помехоустойчивости бинаризации изображений фотошаблонов в пространстве вейвлет-преобразования
за авторством: Щербакова, Г.Ю., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Щербакова, Г.Ю., та інші
Опубліковано: (2011)
Установка для регенерации сорбентов в электромагнитном поле
за авторством: Головко, М.И., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Головко, М.И., та інші
Опубліковано: (2005)
Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Томашик, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Томашик, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
Автоматизированная система регистрации циклов при вибрационных испытаниях образца
за авторством: Усов, В.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Усов, В.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Алгоритм выбора интервала пересчета параметров объектов контроля и управления в АСУ ТП
за авторством: Тыныныка, А.Н
Опубліковано: (2016)
за авторством: Тыныныка, А.Н
Опубліковано: (2016)
Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
за авторством: Динев, Д.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Динев, Д.А., та інші
Опубліковано: (2013)
Формирование наноструктурированных пленок иридия и поликластерного алмаза
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2007)
Наноструктурированные пленки ZnO для устройств микроэлектроники и оптики
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2006)
Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Зяблюк, К.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Зяблюк, К.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде
за авторством: Рудякова, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Рудякова, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
за авторством: Липинский, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Липинский, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
Приборное обеспечение измерения параметров ультразвуковых воздействий в технологических процессах
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2008)
Испаритель для термического напыления материалов в вакууме
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2008)
Метод защиты поверхности расплавленного припоя от окисления
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)
Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
Сравнительный анализ методов сборки микросхем на гибких полиимидных носителях
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2013)
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
за авторством: Александров, С.Б., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Александров, С.Б., та інші
Опубліковано: (2011)
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
за авторством: Джангидзе, Л.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Джангидзе, Л.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2007)
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
за авторством: Ткачук, А.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ткачук, А.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Информационные параметры для реализации адаптивной зарядки вторичных химических источников тока
за авторством: Житник, Н.Е., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Житник, Н.Е., та інші
Опубліковано: (2008)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)
Источник магнитных полей сложной энергочастотной и поляризационной структуры
за авторством: Житник, Н.Е., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Житник, Н.Е., та інші
Опубліковано: (2008)
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
за авторством: Пилипенко, В.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Пилипенко, В.А., та інші
Опубліковано: (2013)
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
за авторством: Будзуляк, С.И., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Будзуляк, С.И., та інші
Опубліковано: (2014)
Технологии изготовления фотонных кристаллов
за авторством: Березянский, Б.М.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Березянский, Б.М.
Опубліковано: (2007)
Схожі ресурси
-
Вычисление дифракционной составляющей глубины резко изображаемого пространства в оптическом микроскопе
за авторством: Borovytsky, V. N.
Опубліковано: (2007) -
Установка для экспресс-контроля глубины охлаждения термоэлектрических микромодулей Пельтье
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007) -
Позиционирование изображений фотошаблонов в системах автоматизированного оптического контроля
за авторством: Крылов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007) -
Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2006) -
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)