Зображення обкладинки

Вычисление дифракционной составляющей глубины резко изображаемого пространства в оптическом микроскопе

Предложен математический аппарат для вычисления дифракционной составляющей глубины резко изображаемого пространства в оптическом микроскопе по критериям Рэлея и Марешаля....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2007
Автор:	Боровицкий, В.Н.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Теми:	Технологические процессы и оборудование
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52832
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Вычисление дифракционной составляющей глубины резко изображаемого пространства в оптическом микроскопе / В.Н. Боровицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 4. — С. 38-47. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Вычисление дифракционной составляющей глубины резко изображаемого пространства в оптическом микроскопе
за авторством: Borovytsky, V. N.
Опубліковано: (2007)

Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)

Технология сборки микросхем на гибком полиимидном носителе
за авторством: Плис, Н.И., та інші
Опубліковано: (2010)

Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr
за авторством: Павлович, И.И., та інші
Опубліковано: (2011)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009)

Повышение помехоустойчивости бинаризации изображений фотошаблонов в пространстве вейвлет-преобразования
за авторством: Щербакова, Г.Ю., та інші
Опубліковано: (2011)

Установка для регенерации сорбентов в электромагнитном поле
за авторством: Головко, М.И., та інші
Опубліковано: (2005)

Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Томашик, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)

Автоматизированная система регистрации циклов при вибрационных испытаниях образца
за авторством: Усов, В.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Алгоритм выбора интервала пересчета параметров объектов контроля и управления в АСУ ТП
за авторством: Тыныныка, А.Н
Опубліковано: (2016)

Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
за авторством: Динев, Д.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Формирование наноструктурированных пленок иридия и поликластерного алмаза
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2007)

Наноструктурированные пленки ZnO для устройств микроэлектроники и оптики
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2006)

Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Зяблюк, К.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
за авторством: Липинский, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)

Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде
за авторством: Рудякова, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)

Испаритель для термического напыления материалов в вакууме
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2008)

Приборное обеспечение измерения параметров ультразвуковых воздействий в технологических процессах
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2008)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)

Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
за авторством: Джангидзе, Л.Б., та інші
Опубліковано: (2009)

Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)

Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
за авторством: Александров, С.Б., та інші
Опубліковано: (2011)

Сравнительный анализ методов сборки микросхем на гибких полиимидных носителях
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2013)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
за авторством: Ткачук, А.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Информационные параметры для реализации адаптивной зарядки вторичных химических источников тока
за авторством: Житник, Н.Е., та інші
Опубліковано: (2008)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Источник магнитных полей сложной энергочастотной и поляризационной структуры
за авторством: Житник, Н.Е., та інші
Опубліковано: (2008)

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
за авторством: Будзуляк, С.И., та інші
Опубліковано: (2014)

Технологии изготовления фотонных кристаллов
за авторством: Березянский, Б.М.
Опубліковано: (2007)

Автоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
за авторством: Бойко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Моделирование технологии изготовления субмикронных КМОП СБИС с помощью систем TCAD
за авторством: Глушко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Повышение качества изделий электронной техники путем моделирования стадий их производства
за авторством: Шестакова, Т.В.
Опубліковано: (2007)

Ультразвуковая очистка оптико-механических систем
за авторством: Томаль, В.С.
Опубліковано: (2007)

Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
за авторством: Дружинин, А.A., та інші
Опубліковано: (2007)