Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
Рассмотрены конструктивно-технологические особенности и характеристики кремниевых диодов Шоттки, создаваемых в стеклянных корпусах, требующих обеспечения термостойкости кристаллов на уровне 650°С....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52870 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа / В.В. Баранов, Я.А. Соловьев, Г.В. Кошкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 20-21. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860205859437543424 |
|---|---|
| author | Баранов, В.В. Соловьев, Я.А. Кошкаров, Г.В. |
| author_facet | Баранов, В.В. Соловьев, Я.А. Кошкаров, Г.В. |
| citation_txt | Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа / В.В. Баранов, Я.А. Соловьев, Г.В. Кошкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 20-21. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Рассмотрены конструктивно-технологические особенности и характеристики кремниевых диодов Шоттки, создаваемых в стеклянных корпусах, требующих обеспечения термостойкости кристаллов на уровне 650°С.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:11:59Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2007, ¹ 5
20
ÝËÅÊÒÐÎÍÍÛÅ ÑÐÅÄÑÒÂÀ: ÈÑÑËÅÄÎÂÀÍÈß, ÐÀÇÐÀÁÎÒÊÈ
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
17.05 2007 ã.
Îïïîíåíò ä. ò. í. Ð. Â. ÊÎÍÀÊÎÂÀ
(ÈÔÏ èì. Â. Å. Ëàøêàð¸âà, ã. Êèåâ)
Ä. ò. í. Â. Â. ÁÀÐÀÍÎÂ, ê. ò. í. ß. À. ÑÎËÎÂÜÅÂ,
Ã. Â. ÊÎØÊÀÐÎÂ
Ðåñïóáëèêà Áåëàðóñü, ã. Ìèíñê, Áåëîðóññêèé ãîñ. óíèâåðñèòåò
èíôîðìàòèêè è ðàäèîýëåêòðîíèêè
E-mail: baranov@ieee.org
Ðàññìîòðåíû êîíñòðóêòèâíî-òåõíîëîãè-
÷åñêèå îñîáåííîñòè è õàðàêòåðèñòèêè
êðåìíèåâûõ äèîäîâ Øîòòêè, ñîçäàâàå-
ìûõ â ñòåêëÿííûõ êîðïóñàõ, òðåáóþùèõ
îáåñïå÷åíèÿ òåðìîñòîéêîñòè êðèñòàë-
ëîâ íà óðîâíå 650°Ñ.
Ìèêðîìîíòàæ è ãåðìåòèçàöèÿ ñòåêëîì êðèñòàë-
ëîâ èçäåëèé ìèêðîýëåêòðîíèêè â êîðïóñ òèïà DO-35
ïðîèçâîäèòñÿ ïðè òåìïåðàòóðå 600�650°Ñ, ïðè ýòîì
äëèòåëüíîñòü òåìïåðàòóðíîãî âîçäåéñòâèÿ äîñòèãà-
åò íåñêîëüêèõ ìèíóò. Ïðèìåíèòåëüíî ê ñòðóêòóðå
äèîäà Øîòòêè òàêîå âûñîêîòåìïåðàòóðíîå âîçäåé-
ñòâèå ïðèâîäèò ê äåãðàäàöèè ýëåêòðè÷åñêèõ õàðàê-
òåðèñòèê âñëåäñòâèå èçìåíåíèÿ ïàðàìåòðîâ âûïðÿì-
ëÿþùåãî êîíòàêòà (âûñîòû áàðüåðà Øîòòêè, ïåðå-
õîäíîãî ñîïðîòèâëåíèÿ) [1, ñ. 23�35], à òàêæå ê çà-
ðÿäîâîé íåñòàáèëüíîñòè ïàññèâèðóþùåãî ïîêðûòèÿ,
îáóñëîâëåííîé ìèãðàöèåé èîíîâ ùåëî÷íûõ ìåòàëëîâ
(Li, Na, K), ñîäåðæàùèõñÿ â ñòåêëå [2]. Ïîýòîìó ìíî-
ãèå ìàòåðèàëû îêàçàëèñü íåïðèãîäíûìè äëÿ ôîðìè-
ðîâàíèÿ êîíòàêòíûõ ñòðóêòóð è ïàññèâàöèè äèîäîâ
Øîòòêè.
Äàííàÿ ðàáîòà ïîñâÿùåíà ðàçðàáîòêå íîâûõ òîí-
êîïëåíî÷íûõ ýëåìåíòîâ äëÿ ôîðìèðîâàíèÿ ñòðóêòóð
äèîäîâ Øîòòêè, óñòîé÷èâûõ ê âîçäåéñòâèþ âûñîêèõ
òåìïåðàòóð. Òàêàÿ ñòðóêòóðà ïðåäñòàâëåíà íà ðèñ. 1.
 êà÷åñòâå ïàññèâèðóþùåãî ïîêðûòèÿ èñïîëüçî-
âàëè ñëîè äèîêñèäà êðåìíèÿ òîëùèíîé 0,5�0,7 ìêì,
ïîëó÷åííûå òåðìè÷åñêèì îêèñëåíèåì, à òàêæå äâóõ-
ñëîéíûå ñòðóêòóðû SiO2/Si3N4 è SiO2/Ta2O5. Ñëîè
íèòðèäà êðåìíèÿ òîëùèíîé 0,1�0,2 ìêì îñàæäàëè
àììîíîëèçîì äèõëîðñèëàíà. Ñëîè ïåíòàîêñèäà òàí-
òàëà ôîðìèðîâàëè òåðìè÷åñêèì îêèñëåíèåì (â ñðå-
äå ñóõîãî êèñëîðîäà ïðè òåìïåðàòóðå 550°Ñ) ïëåíîê
ÒÎÍÊÎÏËÅÍÎ×ÍÛÅ ÝËÅÌÅÍÒÛ
ÊÐÅÌÍÈÅÂÛÕ ÄÈÎÄÎÂ ØÎÒÒÊÈ
ÄËß ÂÛÑÎÊÎÒÅÌÏÅÐÀÒÓÐÍÎÃÎ ÌÈÊÐÎÌÎÍÒÀÆÀ
òàíòàëà, íàíåñåííûõ ìàãíåòðîííûì ðàñïûëåíèåì.
Òîëùèíó ñëîÿ Ta2O5 âàðüèðîâàëè â äèàïàçîíå îò 0,04
äî 0,5 ìêì.  êà÷åñòâå êîíòàêòíîãî ñëîÿ èñïîëüçî-
âàëè ïëåíêè ìîëèáäåíà è âàíàäèÿ òîëùèíîé 0,3 ìêì,
íàíåñåííûå ìàãíåòðîííûì ðàñïûëåíèåì. Îáúåìíûé
âûâîä âûñîòîé 30 ìêì ôîðìèðîâàëè ãàëüâàíè÷å-
ñêèì îñàæäåíèåì ñåðåáðà èç ðàñòâîðà ýëåêòðîëèòà
÷åðåç ìàñêó ôîòîðåçèñòà. Ìåòàëëèçàöèþ êàòîäà ïî-
ëó÷àëè ïóòåì íàíåñåíèÿ â âàêóóìå íà îáðàòíóþ ñòî-
ðîíó êðåìíèåâûõ ïëàñòèí òðåõñëîéíîé ïëåíêè ñ
íèæíèì (êîíòàêòíûì) ñëîåì âàíàäèÿ, ïðîìåæóòî÷-
íûì ñëîåì èç ñåðåáðÿíîãî ïðèïîÿ òèïà ÏÑð15 è âåðõ-
íèì ñëîåì ñåðåáðà.
Ýêñïåðèìåíòàëüíûé ìèêðîìîíòàæ êðèñòàëëîâ
ïðîèçâîäèëè â âîññòàíîâèòåëüíîé àòìîñôåðå ïðè
òåìïåðàòóðå 650°Ñ ïàéêîé âûñîêîòåìïåðàòóðíûì
ïðèïîåì (ñïëàâ «ñåðåáðî�ìåäü») ê àêñèàëüíûì âû-
âîäàì êîðïóñà DO-35 ñ îäíîâðåìåííîé ãåðìåòèçà-
öèåé ñòåêëîì (ñì. ðèñ. 2). Âîëüò-àìïåðíûå õàðàêòå-
ðèñòèêè (ÂÀÕ) äèîäîâ Øîòòêè ïîñëå ìîíòàæà èñ-
ñëåäîâàëè ñ ïîìîùüþ èçìåðèòåëüíîãî êîìïëåêñà ÍÐ
4061À (Hewlett Packard, ÑØÀ). Äëÿ îïðåäåëåíèÿ ïà-
ðàìåòðîâ êîíòàêòîâ Øîòòêè èñïîëüçîâàëè ãðàôî-
àíàëèòè÷åñêèé ìåòîä, à òàêæå ðàñ÷åò ÷èñëåííûìè
ìåòîäàìè ïàðàìåòðîâ ìîäåëè ïðÿìîé ÂÀÕ [3]. Ýëåìåíò-
íûé ñîñòàâ ïåðåõîäíûõ ñëîåâ èññëåäîâàëè îæå-ýëåê-
òðîííîé ñïåêòðîñêîïèåé ïðè ïîìîùè ñïåêòðîìåòðà
PHI-660 (Perkin Elmer, ÑØÀ).
Ðåçóëüòàòû èçìåðåíèÿ îáðàòíîãî òîêà äèîäîâ
Øîòòêè ñ ðàçëè÷íûì ïàññèâèðóþùèì ïîêðûòèåì
ïðåäñòàâëåíû â òàáë. 1. Êàê âèäíî èç òàáëèöû, íàè-
ëó÷øèìè çàùèòíûìè ñâîéñòâàìè õàðàêòåðèçóåòñÿ
ð+ ð+ï�
ï+7
6 5
4
3
2
1
Ðèñ. 1. Ñòðóêòóðà äèîäà Øîòòêè:
1 � ïîäëîæêà; 2 � ýïèòàêñèàëüíûé ñëîé; 3 � îõðàííîå êîëüöî;
4 � ïàññèâèðóþùåå ïîêðûòèå; 5 � êîíòàêòíûé ñëîé; 6 � îáúåì-
íûé âûâîä; 7 � ìåòàëëèçàöèÿ êàòîäà
Âûâîä àíîäà
Ñòåêëÿííàÿ îáîëî÷êà
Ïðèïîé
Êðèñòàëë
Ïðèïîé
Âûâîä êàòîäà
Ðèñ. 2. Ñõåìàòè÷åñêîå èçîáðàæåíèå äèîäà Øîòòêè â êîð-
ïóñå DO-35 ïîñëå âûñîêîòåìïåðàòóðíîãî ìèêðîìîíòàæà
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2007, ¹ 5
21
ÝËÅÊÒÐÎÍÍÛÅ ÑÐÅÄÑÒÂÀ: ÈÑÑËÅÄÎÂÀÍÈß, ÐÀÇÐÀÁÎÒÊÈ
äâóõñëîéíîå ïàññèâèðóþùåå ïîêðûòèå SiO2/Ta2O5
ñ òîëùèíîé âåðõíåãî ñëîÿ â äèàïàçîíå îò 0,07 äî
0,4 ìêì. Âåëè÷èíà îáðàòíîãî òîêà äèîäîâ Øîòòêè ñ
òàêèì ïîêðûòèåì â 25 ðàç ìåíüøå, ÷åì ñ äâóõñëîé-
íîé ñòðóêòóðîé SiO2/ Si3N4, è â 50 ñ ëèøíèì ðàç ìåíü-
øå, ÷åì äëÿ òðàäèöèîííî èñïîëüçóåìîãî ïàññèâèðó-
þùåãî ïîêðûòèÿ ñëîåì SiO2. Ýòî îáúÿñíÿåòñÿ ýô-
ôåêòèâíûìè áàðüåðíûìè ñâîéñòâàìè ïîêðûòèÿ
SiO2/Ta2O5 ïðîòèâ äèôôóçèè èîíîâ ùåëî÷íûõ ìå-
òàëëîâ. Êðîìå òîãî, ñîîòíîøåíèå òîëùèíû ñëîåâ
äàííîé äâóõñëîéíîé ñòðóêòóðû ïîçâîëÿåò óïðàâëÿòü
åå çàðÿäîâûìè ñâîéñòâàìè [4].
Ðåçóëüòàòû èçìåðåíèé ÂÀÕ äèîäîâ Øîòòêè ñ ðàç-
ëè÷íûìè ìàòåðèàëàìè êîíòàêòíûõ ñëîåâ ïðåäñòàâ-
ëåíû íà ðèñ. 3 äëÿ àêòóàëüíîãî íà ïðàêòèêå äèàïà-
çîíà ðàáî÷èõ íàïðÿæåíèé. Ðåçóëüòàòû èññëåäîâàíèÿ
ýëåêòðîôèçè÷åñêèõ ñâîéñòâ êîíòàêòîâ Mo/Si è V/Si
ïîñëå ìèêðîìîíòàæà â êîðïóñ DO-35 ïðåäñòàâëåíû
â òàáë. 2.
Êàê ïîêàçàëè èññëåäîâàíèÿ, êîíòàêòû V/Si õàðàê-
òåðèçóþòñÿ áîëüøåé âûñîòîé áàðüåðà è ìåíüøèì
ïîñëåäîâàòåëüíûì ñîïðîòèâëåíèåì, ÷òî îáóñëîâëè-
âàåò èõ ïðåèìóùåñòâî ïåðåä êîíòàêòàìè Mo/Si êàê
â ÷àñòè óìåíüøåíèÿ ïàäåíèÿ ïðÿìîãî íàïðÿæåíèÿ
äèîäîâ Øîòòêè, òàê è óìåíüøåíèÿ èõ îáðàòíîãî òîêà.
Îäíàêî ïîëó÷åííàÿ âûñîòà áàðüåðà 0,654  íå
ñîâïàäàåò ñ èçâåñòíûì çíà÷åíèåì äëÿ êîíòàêòîâ «âà-
íàäèé�êðåìíèé» n-òèïà, ðàâíûì 0,55  [5]. Ýòî óêà-
çûâàåò íà íàëè÷èå ôàçû äèñèëèöèäà âàíàäèÿ, êîòî-
ðàÿ õàðàêòåðèçóåòñÿ âûñîòîé áàðüåðà ê êðåìíèþ n-
òèïà 0,65  [1]. Íàëè÷èå ïåðåõîäíîãî ñëîÿ äèñèëè-
öèäà âàíàäèÿ óñòàíîâëåíî îæå-ýëåêòðîííîé ñïåêò-
ðîñêîïèåé (ðèñ. 4), à òàêæå äàííûìè ðåíòãåíîñòðóê-
òóðíîãî àíàëèçà íà ïëàñòèíàõ-«ñâèäåòåëÿõ». Ýòî îç-
íà÷àåò, ÷òî òåïëîâîå âîçäåéñòâèå âûñîêîòåìïåðàòóð-
íîãî ìèêðîìîíòàæà ñïîñîáñòâóåò ôîðìèðîâàíèþ
ìàòåðèàëà êîíòàêòíîãî ñëîÿ, îáåñïå÷èâàþùåãî òðå-
áóåìûå ïàðàìåòðû âûïðÿìëÿþùèõ êîíòàêòîâ äèî-
äîâ Øîòòêè.
***
Òàêèì îáðàçîì, íàéäåíû è èññëåäîâàíû òîíêî-
ïëåíî÷íûå ýëåìåíòû äëÿ ôîðìèðîâàíèÿ âûïðÿìëÿ-
þùèõ êîíòàêòîâ è ïàññèâàöèè àêòèâíîé ñòðóêòóðû
êðåìíèåâûõ äèîäîâ Øîòòêè, óñòîé÷èâûõ ê âîçäåé-
ñòâèþ âûñîêîòåìïåðàòóðíîãî ìèêðîìîíòàæà.
Äëÿ èñêëþ÷åíèÿ äèôôóçèè èîíîâ ùåëî÷íûõ ìå-
òàëëîâ öåëåñîîáðàçíî èñïîëüçîâàòü äâóõñëîéíóþ
ïàññèâèðóþùóþ ñòðóêòóðó SiO2/Ta2O5 ñ òîëùèíîé
ñëîÿ ïåíòàîêñèäà òàíòàëà 0,07�0,4 ìêì.
Êàê ïîêàçàëà êîíòàêòíàÿ ñòðóêòóðà V/Si, òåïëî-
âîå âîçäåéñòâèå âûñîêîòåìïåðàòóðíîãî ìèêðîìîí-
òàæà ñïîñîáñòâóåò ôîðìèðîâàíèþ ïåðåõîäíîãî ñëîÿ
ñèëèöèäà â êà÷åñòâå ìàòåðèàëà êîíòàêòíîãî ñëîÿ, ÷òî
îáåñïå÷èâàåò çàäàííûå ïàðàìåòðû âûïðÿìëÿþùåãî
êîíòàêòà.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Ìüþðàðêà Ø. Ñèëèöèäû äëÿ ÑÁÈÑ.� Ì.: Ìèð, 1986.
2. Croft D. C. The construction and reliability of Schottky diodes
// Microelectron. and Reliab.� 1978.� Vol. 17.� P. 445�455.
3. Áàðàíîâ Â. Â., Ñîëîâüåâ ß. À., Êîøêàðîâ Ã. Â. Îïðåäåëå-
íèå ýëåêòðîôèçè÷åñêèõ ïàðàìåòðîâ êîíòàêòîâ Øîòòêè ðàñ÷åòîì
÷èñëåííûìè ìåòîäàìè ïàðàìåòðîâ ìîäåëè ÂÀÕ // Èçâ. Áåëîðóñ-
ñêîé èíæåíåðíîé àêàäåìèè.� 2005.� ¹ 1 (19)/5.� Ñ. 101�104.
4. Áàðàíîâ Â. Â., Ïîíîìàðü Â. Í., Ïåòëèöêàÿ Ò. Â., Ñîëîâüåâ
ß. À. Äèîäû Øîòòêè ñ ìíîãîñëîéíîé ïàññèâàöèåé // Òàì æå.�
2002.� ¹ 2 (14) /2.� Ñ. 23�25.
5. Àíóôðèåâ Ë. Ï., Áàðàíîâ Â. Â., Ãëóõìàí÷óê Â. Â. è äð.
Äèîäû Øîòòêè íà îñíîâå ïåðåõîäíûõ ìåòàëëîâ è èõ ñèëèöèäîâ
// Àêòóàëüíûå ïðîáëåìû òâåðäîòåëüíîé ýëåêòðîíèêè è ìèêðîýëåê-
òðîíèêè: Òð. Âîñüìîé ìåæäóíàð. íàó÷.-òåõí. êîíô. ×. 1.� Òà-
ãàíðîã: ÒÃÐÒÓ, 2002.� Ñ. 157�159.
Ñòðóêòóðà äèýëåêòðè÷åñêèõ ñëîåâ Îáðàòíûé òîê, ìêÀ
SiO2 (0,6 ìêì) >1,0
SiO2 (0,6 ìêì)/ Si3N4 (0,15 ìêì) 0,5
SiO2 (0,6 ìêì)/ Ta2O5 (0,04 ìêì) 0,22
SiO2 (0,6 ìêì)/ Ta2O5 (0,07 ìêì) 0,09
SiO2 (0,6 ìêì)/ Ta2O5 (0,27 ìêì) 0,02
SiO2 (0,6 ìêì)/ Ta2O5 (0,40 ìêì) 0,10
SiO2 (0,6 ìêì)/ Ta2O5 (0,50 ìêì) 0,23
Òàáëèöà 1
Îáðàòíûé òîê äèîäîâ Øîòòêè ñ ðàçëè÷íûì
ïàññèâèðóþùèì ïîêðûòèåì ïðè âåëè÷èíå îáðàòíîãî
íàïðÿæåíèÿ 15 Â
Ìåòîäèêà èññëåäîâàíèÿ
Ãðàôî-
àíàëèòè÷åñêèé
ìåòîä
Ðàñ÷åò
÷èñëåííûìè
ìåòîäàìè
ïàðàìåòðîâ ìîäåëè
ïðÿìîé ÂÀÕ
Ïàðàìåòðû
êîíòàêòà
Mo/Si V/Si Mo/Si V/Si
Ïîñëåäîâàòåëüíîå
ñîïðîòèâëåíèå, Îì
� � 7,41 4,43
Êîýôôèöèåíò
íåèäåàëüíîñòè
1,22 1,11 1,23 1,04
Âûñîòà áàðüåðà, Â 0,625 0,641 0,624 0,654
Òàáëèöà 2
Ýëåêòðîôèçè÷åñêèå ñâîéñòâà êîíòàêòîâ «ìîëèáäåí�
êðåìíèé» è «âàíàäèé�êðåìíèé» ïîñëå ìèêðîìîíòàæà
â êîðïóñ DO-35
Ê
îí
öå
íò
ðà
öè
ÿ,
à
ò.
%
100
80
60
40
20
0 1 2 3 4 5 6
Mo
Mo
Mo
Mo
V
V
VV
V
V
V
Si
Si
Si
Si
Ðèñ. 4. Ïðîôèëü ðàñïðåäåëåíèÿ ýëåìåíòîâ ìíîãîñëîéíîé
ñòðóêòóðû Mo/V/Si ïîñëå òåìïåðàòóðíîé îáðàáîòêè
ïðè 625°Ñ â òå÷åíèå 30 ìèí
Âðåìÿ òðàâëåíèÿ, ìèí
Òîê, À
10�2
10�4
10�6
10�8
Ìîëèáäåí
Âàíàäèé
�40 �20 0 0,4 0,8
Íàïðÿæåíèå, Â
Ðèñ. 3. Âîëüò-àìïåðíûå õàðàêòåðèñòèêè äèîäîâ Øîòòêè
â êîðïóñå DO-35 ñ êîíòàêòíûìè ñëîÿìè èç ìîëèáäåíà
è âàíàäèÿ
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52870 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:11:59Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Баранов, В.В. Соловьев, Я.А. Кошкаров, Г.В. 2014-01-08T17:59:50Z 2014-01-08T17:59:50Z 2007 Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа / В.В. Баранов, Я.А. Соловьев, Г.В. Кошкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 20-21. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52870 Рассмотрены конструктивно-технологические особенности и характеристики кремниевых диодов Шоттки, создаваемых в стеклянных корпусах, требующих обеспечения термостойкости кристаллов на уровне 650°С. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Электронные средства: исследования, разработки Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа Тонкоплівкові елементи кремнієевих діодів Шоткі для високотемпературного мікромонтажу Thin-film elements of silicon Schottky diodes for hightemperature packaging Article published earlier |
| spellingShingle | Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа Баранов, В.В. Соловьев, Я.А. Кошкаров, Г.В. Электронные средства: исследования, разработки |
| title | Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа |
| title_alt | Тонкоплівкові елементи кремнієевих діодів Шоткі для високотемпературного мікромонтажу Thin-film elements of silicon Schottky diodes for hightemperature packaging |
| title_full | Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа |
| title_fullStr | Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа |
| title_full_unstemmed | Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа |
| title_short | Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа |
| title_sort | тонкопленочные элементы кремниевых диодов шоттки для высокотемпературного микромонтажа |
| topic | Электронные средства: исследования, разработки |
| topic_facet | Электронные средства: исследования, разработки |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52870 |
| work_keys_str_mv | AT baranovvv tonkoplenočnyeélementykremnievyhdiodovšottkidlâvysokotemperaturnogomikromontaža AT solovʹevâa tonkoplenočnyeélementykremnievyhdiodovšottkidlâvysokotemperaturnogomikromontaža AT koškarovgv tonkoplenočnyeélementykremnievyhdiodovšottkidlâvysokotemperaturnogomikromontaža AT baranovvv tonkoplívkovíelementikremníêevihdíodívšotkídlâvisokotemperaturnogomíkromontažu AT solovʹevâa tonkoplívkovíelementikremníêevihdíodívšotkídlâvisokotemperaturnogomíkromontažu AT koškarovgv tonkoplívkovíelementikremníêevihdíodívšotkídlâvisokotemperaturnogomíkromontažu AT baranovvv thinfilmelementsofsiliconschottkydiodesforhightemperaturepackaging AT solovʹevâa thinfilmelementsofsiliconschottkydiodesforhightemperaturepackaging AT koškarovgv thinfilmelementsofsiliconschottkydiodesforhightemperaturepackaging |