Buchumschlag

Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени

Изучены спектральные, вольт-фарадные и частотные характеристики поверхностно-барьерных структур на основе соединений A²B⁶, перспективных для использования в ультрафиолетовых сенсорах пламени....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Бобренко, Ю.Н., Шереметова, Г.И., Семикина, Т.В., Ярошенко, Н.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Schlagworte:	Сенсоэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52873
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени / Ю.Н. Бобренко, Г.И. Шереметова, Т.В. Семикина, Н.В. Ярошенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 33-34. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Электротепловой элемент сенсоров газа
von: Лепих, Я.И.
Veröffentlicht: (2002)

Устройства измерения температуры на основе пленочных термоэлектрических сенсоров
von: Капитанов, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Температурная зависимость рабочих характеристик пьезоэлектрических сенсоров на основе поливинилиденфторида
von: Ревенюк, Т.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)

«Электронный нос» на основе матрицы элементарных полупроводниковых резистивных сенсоров
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
von: Ушенин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN
von: Стемпицкий, В.Р., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Универсальная система для измерения усилия-перемещения
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Использование позитронной аннигиляционной спектроскопии для контроля процессов влагопоглощения в нанопористой керамике MgAl₂O₄
von: Клым, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование функций преобразования и чувствительности радиоизмерительного преобразователя давления
von: Осадчук, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов
von: Бабичев, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni>
von: Дружинин, А.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Прецизионный датчик давления с пневмомеханическим резонатором для бортового оборудования ЛА
von: Черняк, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Построение инерциального датчика для измерения линейных ускорений и угловых скоростей летательного аппарата
von: Черняк, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Оптические сенсоры газов на основе полупроводниковых источников ИК-излучения
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2008)

Оптоэлектронные сенсоры газов на основе многоэлементных источников ИК-излучения
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2010)

Акустические датчики для дистанционного контроля давления
von: Карапетьян, Г.Я., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Решение задачи газового демпфирования чувствительных элементов микроэлектронных акселерометров
von: Черняк, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Экспериментальные исследования датчика давления с пневмомеханическим резонатором
von: Черняк, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Емкостный датчик давления для АЭС и нефтехимической промышленности
von: Лепих, Я.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Датчики на поверхностных акустических волнах для дистанционного контроля температуры
von: Катаев, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Пассивный датчик на поверхностных активных волнах для дистанционного контроля параметров
von: Карапетьян, Г.Я., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2010)

Выбор базовых элементов двухосного мультисенсорного инерциального датчика
von: Мухоед, Н.А.
Veröffentlicht: (2003)

Методика проектирования элементов прецизионного датчика давления с пневмомеханическим резонатором
von: Черняк, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Статические погрешности измерителя углового ускорения и методы их устранения
von: Лопушенко, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Оптимизация конструкции мембранных датчиков
von: Рубцевич, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Первичные преобразователи для микродатчиков ускорения и давления на алмазных материалах
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Применение ионоселективных полевых транзисторов для ферментного анализа токсичных примесей в водных растворах
von: Павлюченко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)