Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью - Байдуллаева, А.; Борщ, В.В.; Велещук, В.П.; Власенко, А.И.; Даулетмуратов, Б.К.; Левицкий, С.Н.; Мозоль, П.Е. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
Формирование пленки теллура на поверхности кристалла CdTe при облучении импульсами рубинового лазера позволяет изготавливать структуры со свойством электронного переключения с памятью.