Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
Фотоэлектрические измерения параметров гетероперехода n-InSe-p-FeIn₂Se₄ свидетельствуют о возможности получения качественных p-n-переходов.
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2007 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52876 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена / З.Д. Ковалюк, В.Н Катеринчук.,В.В. Нетяга, А.В. Заслонкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 43-45. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52876 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Нетяга, В.В. Заслонкин, А.В. 2014-01-08T18:56:26Z 2014-01-08T18:56:26Z 2007 Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена / З.Д. Ковалюк, В.Н Катеринчук.,В.В. Нетяга, А.В. Заслонкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 43-45. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52876 Фотоэлектрические измерения параметров гетероперехода n-InSe-p-FeIn₂Se₄ свидетельствуют о возможности получения качественных p-n-переходов. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена Гетероперехід на основі кристалу FeIn₂Se₄, одержаного·за методом Бриджмена Heterojunction on the basis of FeIn₂Se₄ crystal obtained by the Bridgman method Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена |
| spellingShingle |
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Нетяга, В.В. Заслонкин, А.В. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title_short |
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена |
| title_full |
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена |
| title_fullStr |
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена |
| title_full_unstemmed |
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена |
| title_sort |
гетеропереход на основе кристалла fein₂se₄, полученного методом бриджмена |
| author |
Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Нетяга, В.В. Заслонкин, А.В. |
| author_facet |
Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Нетяга, В.В. Заслонкин, А.В. |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| publishDate |
2007 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Гетероперехід на основі кристалу FeIn₂Se₄, одержаного·за методом Бриджмена Heterojunction on the basis of FeIn₂Se₄ crystal obtained by the Bridgman method |
| description |
Фотоэлектрические измерения параметров гетероперехода n-InSe-p-FeIn₂Se₄ свидетельствуют о возможности получения качественных p-n-переходов.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52876 |
| citation_txt |
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена / З.Д. Ковалюк, В.Н Катеринчук.,В.В. Нетяга, А.В. Заслонкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 43-45. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT kovalûkzd geteroperehodnaosnovekristallafein2se4polučennogometodombridžmena AT katerinčukvn geteroperehodnaosnovekristallafein2se4polučennogometodombridžmena AT netâgavv geteroperehodnaosnovekristallafein2se4polučennogometodombridžmena AT zaslonkinav geteroperehodnaosnovekristallafein2se4polučennogometodombridžmena AT kovalûkzd geteroperehídnaosnovíkristalufein2se4oderžanogozametodombridžmena AT katerinčukvn geteroperehídnaosnovíkristalufein2se4oderžanogozametodombridžmena AT netâgavv geteroperehídnaosnovíkristalufein2se4oderžanogozametodombridžmena AT zaslonkinav geteroperehídnaosnovíkristalufein2se4oderžanogozametodombridžmena AT kovalûkzd heterojunctiononthebasisoffein2se4crystalobtainedbythebridgmanmethod AT katerinčukvn heterojunctiononthebasisoffein2se4crystalobtainedbythebridgmanmethod AT netâgavv heterojunctiononthebasisoffein2se4crystalobtainedbythebridgmanmethod AT zaslonkinav heterojunctiononthebasisoffein2se4crystalobtainedbythebridgmanmethod |
| first_indexed |
2025-12-07T20:39:37Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:39:37Z |
| _version_ |
1850883417127780352 |