Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
Фотоэлектрические измерения параметров гетероперехода n-InSe-p-FeIn₂Se₄ свидетельствуют о возможности получения качественных p-n-переходов.
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2007 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52876 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена / З.Д. Ковалюк, В.Н Катеринчук.,В.В. Нетяга, А.В. Заслонкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 43-45. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862745262871543808 |
|---|---|
| author | Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Нетяга, В.В. Заслонкин, А.В. |
| author_facet | Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Нетяга, В.В. Заслонкин, А.В. |
| citation_txt | Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена / З.Д. Ковалюк, В.Н Катеринчук.,В.В. Нетяга, А.В. Заслонкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 43-45. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Фотоэлектрические измерения параметров гетероперехода n-InSe-p-FeIn₂Se₄ свидетельствуют о возможности получения качественных p-n-переходов.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:39:37Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52876 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:39:37Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Нетяга, В.В. Заслонкин, А.В. 2014-01-08T18:56:26Z 2014-01-08T18:56:26Z 2007 Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена / З.Д. Ковалюк, В.Н Катеринчук.,В.В. Нетяга, А.В. Заслонкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 43-45. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52876 Фотоэлектрические измерения параметров гетероперехода n-InSe-p-FeIn₂Se₄ свидетельствуют о возможности получения качественных p-n-переходов. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена Гетероперехід на основі кристалу FeIn₂Se₄, одержаного·за методом Бриджмена Heterojunction on the basis of FeIn₂Se₄ crystal obtained by the Bridgman method Article published earlier |
| spellingShingle | Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Нетяга, В.В. Заслонкин, А.В. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена |
| title_alt | Гетероперехід на основі кристалу FeIn₂Se₄, одержаного·за методом Бриджмена Heterojunction on the basis of FeIn₂Se₄ crystal obtained by the Bridgman method |
| title_full | Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена |
| title_fullStr | Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена |
| title_full_unstemmed | Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена |
| title_short | Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена |
| title_sort | гетеропереход на основе кристалла fein₂se₄, полученного методом бриджмена |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52876 |
| work_keys_str_mv | AT kovalûkzd geteroperehodnaosnovekristallafein2se4polučennogometodombridžmena AT katerinčukvn geteroperehodnaosnovekristallafein2se4polučennogometodombridžmena AT netâgavv geteroperehodnaosnovekristallafein2se4polučennogometodombridžmena AT zaslonkinav geteroperehodnaosnovekristallafein2se4polučennogometodombridžmena AT kovalûkzd geteroperehídnaosnovíkristalufein2se4oderžanogozametodombridžmena AT katerinčukvn geteroperehídnaosnovíkristalufein2se4oderžanogozametodombridžmena AT netâgavv geteroperehídnaosnovíkristalufein2se4oderžanogozametodombridžmena AT zaslonkinav geteroperehídnaosnovíkristalufein2se4oderžanogozametodombridžmena AT kovalûkzd heterojunctiononthebasisoffein2se4crystalobtainedbythebridgmanmethod AT katerinčukvn heterojunctiononthebasisoffein2se4crystalobtainedbythebridgmanmethod AT netâgavv heterojunctiononthebasisoffein2se4crystalobtainedbythebridgmanmethod AT zaslonkinav heterojunctiononthebasisoffein2se4crystalobtainedbythebridgmanmethod |