Buchumschlag

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена

Фотоэлектрические измерения параметров гетероперехода n-InSe-p-FeIn₂Se₄ свидетельствуют о возможности получения качественных p-n-переходов.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Ковалюк, З.Д., Катеринчук, В.Н., Нетяга, В.В., Заслонкин, А.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Schlagworte:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52876
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена / З.Д. Ковалюк, В.Н Катеринчук.,В.В. Нетяга, А.В. Заслонкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 43-45. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
von: Ковальчук, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
von: Бутенко, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Басанец, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
von: Ленков, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
von: Блецкан, Д.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Оптический аттенюатор
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
von: Велещук, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

ПЗС-фотоматрицы с электронным умножением
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Симметричный двухкоординатный фотодиод
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Особенности проектирования внутренних цепей питания микромощных БИС на основе элементов инжекционной логики
von: Белоус, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)

Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2011)

Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2013)

Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов
von: Габа, В.М.
Veröffentlicht: (2009)

Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2009)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
von: Глауберман, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
von: Кушниренко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Особенности проектирования высокочастотных КМОП ИC для генераторов с кварцевой стабилизацией частоты
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
von: Кушниренко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Интегральные схемы самосканируемых линейных фотоприемников в интроскопии и томографии
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)