Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров

Предложен практический способ формирования элементов субмикронных размеров с использованием совмещения с базовыми знаками стандартной проекционной литографии, предварительно созданными на этапе "нулевой" фотолитографии....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2007
Hauptverfasser: Дружинин, А.A., Голота, В.И., Когут, И.Т.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52878
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров / А.A. Дружинин, В.И. Голота, И.Т. Когут // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 50-53. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1860216644621565952
author Дружинин, А.A.
Голота, В.И.
Когут, И.Т.
author_facet Дружинин, А.A.
Голота, В.И.
Когут, И.Т.
citation_txt Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров / А.A. Дружинин, В.И. Голота, И.Т. Когут // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 50-53. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Предложен практический способ формирования элементов субмикронных размеров с использованием совмещения с базовыми знаками стандартной проекционной литографии, предварительно созданными на этапе "нулевой" фотолитографии.
first_indexed 2025-12-07T18:16:47Z
format Article
fulltext Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2007, ¹ 5 50 ÒÅÕÍÎËÎÃÈ×ÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ 16.04 2007 ã. Îïïîíåíò ê. ò. í. Ï. Â. ÏÀÙÅÍÊÎ (ÍÈÈ ßÔ, ã. Ìîñêâà) Ä. ò. í. À. À. ÄÐÓÆÈÍÈÍ,  . È. ÃÎËÎÒÀ, ê. ò. í. È. Ò. ÊÎÃÓÒ Óêðàèíà, ã. Ëüâîâ, ÍÓ «Ëüâîâñêàÿ ïîëèòåõíèêà»; ã. Èâàíî-Ôðàíêîâñê, Ïðèêàðïàòñêèé ÍÓ E-mail: druzh@polynet.lviv.ua Ïðåäëîæåí ïðàêòè÷åñêèé ñïîñîá ôîðìè- ðîâàíèÿ ýëåìåíòîâ ñóáìèêðîííûõ ðàçìå- ðîâ ñ èñïîëüçîâàíèåì ñîâìåùåíèÿ ñ áàçî- âûìè çíàêàìè ñòàíäàðòíîé ïðîåêöèîí- íîé ëèòîãðàôèè, ïðåäâàðèòåëüíî ñîçäàí- íûìè íà ýòàïå �íóëåâîé� ôîòîëèòîãðà- ôèè. Çà ïîñëåäíåå äåñÿòèëåòèå âîçðîñëî êîëè÷åñòâî ïóáëèêàöèé ïî óñòðîéñòâàì íà îñíîâå àâòîýìèññè- îííîé âàêóóìíîé ìèêðîýëåêòðîíèêè. Òàêèå ìèêðî- ýëåêòðîííûå óñòðîéñòâà ìîãóò èñïîëüçîâàòüñÿ â ïëîñêèõ ýêðàíàõ òåëåâèçîðîâ è êîìïüþòåðîâ [1], à òàêæå â áåçìàñî÷íîé ôîòîëèòîãðàôèè êàê àëüòåð- íàòèâíîé ïî îòíîøåíèþ ê ïðîåêöèîííîé ëèòîãðà- ôèè ïðè ïðîèçâîäñòâå èíòåãðàëüíûõ ñõåì [2�4].  áåçìàñî÷íîé ôîòîëèòîãðàôèè âìåñòî ìàñêè èñïîëü- çóåòñÿ êðåìíèåâàÿ ïëàñòèíà ñ ìàòðèöàìè àâòîýìèñ- ñèîííûõ êàòîäîâ ñóáìèêðîííûõ ðàçìåðîâ. Ðàáîòîé òàêèõ êàòîäîâ óïðàâëÿþò ñ èñïîëüçîâàíèåì ÑÀÏÐ ôàéëîâ, êîòîðûå ñîäåðæàò ïîñëîéíóþ òîïîëîãè÷å- ñêóþ èíôîðìàöèþ îá èíòåãðàëüíîé ñõåìå. Ðàçðåøà- þùàÿ ñïîñîáíîñòü è ïðîèçâîäèòåëüíîñòü áåçìàñî÷- íîé ôîòîëèòîãðàôèè â çíà÷èòåëüíîé ñòåïåíè îïðå- äåëÿåòñÿ òåõíîëîãèåé èçãîòîâëåíèÿ êàê îòäåëüíûõ êàòîäîâ ñ ôîêóñèðóþùèìè ýëåêòðîäàìè, òàê è èõ ìàòðèö, ìîíîëèòíî èíòåãðèðîâàííûõ ñî ñõåìàìè óïðàâëåíèÿ íà îäíîì êðèñòàëëå. Öåëüþ íàñòîÿùåé ðàáîòû ÿâëÿåòñÿ ðàçðàáîòêà ïðàêòè÷åñêîãî ñïîñîáà ôîðìèðîâàíèÿ òîïîëîãè÷å- ñêèõ ýëåìåíòîâ ñóáìèêðîííûõ ðàçìåðîâ; ìîäåëèðî- âàíèå òåõíîëîãèè èçãîòîâëåíèÿ êðåìíèåâûõ êàòîäîâ ñ ðàçíîé ôîðìîé îñòðèé ïî ÊÌÎÏ-òåõíîëîãèè ñ èñ- ïîëüçîâàíèåì ôîòîøàáëîíîâ ìèêðîííûõ ðàçìåðîâ: äâóõìåðíîå ìîäåëèðîâàíèå ýëåêòðè÷åñêîãî ïîëÿ àâ- òîýìèññèîííîãî êàòîäà. Àíàëèç òåõíîëîãèé èçãîòîâëåíèÿ àâòîýìèññèîííûõ êàòîäîâ Âïåðâûå òåõíîëîãèþ èçãîòîâëåíèÿ àâòîýìèññè- îííûõ êàòîäîâ ðàçðàáîòàë Ñïèíäò [5]. Ïóòåì îñàæ- äåíèÿ â âàêóóìå áûë ñôîðìèðîâàí ìàòðè÷íûé àâòî- ýìèññèîííûé êàòîä ñ êîëè÷åñòâîì îñòðèé äî 5000 è ïëîòíîñòüþ óïàêîâêè 6,4×105 ñì�2. Ïðè íàïðÿæåíè- ÿõ 100�300 Â ýìèññèîííûé òîê ñ îäíîãî îñòðèÿ ñî- ñòàâëÿë 50�150 ìêÀ â ñòàòè÷åñêîì ðåæèìå. ÒÅÕÍÎËÎÃÈß ÈÇÃÎÒÎÂËÅÍÈß ÀÂÒÎÝÌÈÑÑÈÎÍÍÛÕ ÊÐÅÌÍÈÅÂÛÕ ÊÀÒÎÄΠÑÓÁÌÈÊÐÎÍÍÛÕ ÐÀÇÌÅÐΠÊðîìå òåõíîëîãèè îñàæäåíèÿ â âàêóóìå îñòðèé èç òóãîïëàâêèõ ìåòàëëîâ, ñåé÷àñ ðàçðàáàòûâàþòñÿ òåõíîëîãèè èçãîòîâëåíèÿ êàòîäîâ èç óãëåðîäíûõ íà- íîòðóáîê è ïîëóïðîâîäíèêîâ. Òàê, â [6] îïèñàí 10- ýòàïíûé òåõíîëîãè÷åñêèé ïðîöåññ èçãîòîâëåíèÿ óã- ëåðîäíûõ íàíîòðóáîê, èíòåãðèðîâàííûõ ñ ìîëèá- äåíîâûìè ôîêóñèðóþùèìè ýëåêòðîäàìè. Íà êðåì- íèåâîé ïîäëîæêå ðàçìåðàìè 10×10 ìì ðàçìåùåíû óãëåðîäíûå íàíîòðóáêè ñ ïëîòíîñòüþ óïàêîâêè 3·106 ñì�2. Ïðè íàïðÿæåíèÿõ 65�75  ïîëó÷åí ýìèñ- ñèîííûé òîê îäíîé íàíîòðóáêè â 50�500 íÀ â ñòà- òè÷åñêîì ðåæèìå. Îñíîâíîé íåäîñòàòîê òàêîãî óñòðîéñòâà � íåñòàáèëüíîñòü ãåîìåòðèè è ýìèññèîí- íîãî òîêà íàíîòðóáîê. Ïåðâàÿ çàïàòåíòîâàííàÿ òåõíîëîãèÿ èçãîòîâëåíèÿ êðåìíèåâûõ êàòîäîâ èñïîëüçîâàëà îáû÷íûå îïåðà- öèè ñóõîãî òðàâëåíèÿ êðåìíèÿ è îêèñëèòåëüíîãî çà- îñòðåíèÿ [7]. Îíà äàåò ãëàäêóþ ïîâåðõíîñòü îñòðèé è ìàëûé ðàäèóñ çàêðóãëåíèÿ âåðøèí.  [8] êðåìíèå- âûå êàòîäû çàîñòðÿëèñü è ïîëèðîâàëèñü áîìáàðäè- ðîâêîé èîíàìè Ar, ïîñëå ÷åãî ïîêðûâàëèñü ïëåíêîé àëìàçîïîäîáíîãî óãëåðîäà. Ïëîòíîñòü óïàêîâêè ñî- ñòàâèëà 2,5·105 ñì�2. Ïðè íàïðÿæåíèÿõ 10�15  òîê ýìèññèè îäíîãî îñòðèÿ â ñòàòè÷åñêîì ðåæèìå ñîñòà- âèë 10 ìêÀ. Îäíàêî ïðè íåáîëüøèõ îòêëîíåíèÿõ îò äèàïàçîíà ðàáî÷èõ íàïðÿæåíèé, íàïðèìåð 16 Â, âîç- íèêàåò ïðîáîé, è ÷àñòü êàòîäîâ ðàçðóøàåòñÿ.  [9] ïðåäëîæåí ïðîñòîé 5-ýòàïíûé òåõíîëîãè- ÷åñêèé ïðîöåññ èçãîòîâëåíèÿ ïèðàìèäàëüíûõ êàòî- äîâ. Èñïîëüçóÿ êðóãîâûå îòâåðñòèÿ â ôîòîðåçèñòå, âûñîêîýíåðãåòè÷åñêîé èìïëàíòàöèåé BR2 íàðóøà- þò êðåìíèåâóþ ðåøåòêó ïîäëîæêè, êîòîðàÿ â äàëü- íåéøåì ñëóæèò ìàñêîé äëÿ ôîðìèðîâàíèÿ ïðîôèëÿ îñòðèé ñ ïîìîùüþ æèäêîñòíîãî õèìè÷åñêîãî àíè- çîòðîïíîãî òðàâëåíèÿ. Ïîëó÷åíà ïëîòíîñòü óïàêîâ- êè ïðèìåðíî 1·107 ñì�2. Ïðè íàïðÿæåíèÿõ 30�50  òîê ýìèññèè îäíîãî îñòðèÿ â ñòàòè÷åñêîì ðåæèìå ñîñòàâèë 0,2�8 ìêÀ. Îñíîâíûì íåäîñòàòêîì òàêîé òåõíîëîãèè ÿâëÿåòñÿ çàâèñèìîñòü ðàçìåðà àïåðòóð ýëåêòðîäîâ îò âûñîòû ýìèòòåðîâ. Ïîëó÷åíèå ðåãóëÿðíûõ ñòðóêòóð êðåìíèåâûõ êà- òîäîâ äëÿ íèçêîâîëüòíûõ ïðèëîæåíèé ñ èñïîëüçî- âàíèåì èíòåðôåðåíöèîííîãî ëèòîãðàôà ïðåäëîæå- íî â [10]. Ïîëó÷åíà ïëîòíîñòü óïàêîâêè 2,5·109 ñì�2. Ïðè íàïðÿæåíèÿõ 13�21  òîê ýìèññèè îäíîãî îñò- ðèÿ â ñòàòè÷åñêîì ðåæèìå ñîñòàâèë 1�30 ìêÀ. Ïðè ýòîì ýìèññèÿ ïîëó÷åíà ïðè òàêèõ íèçêèõ íàïðÿæå- Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2007, ¹ 5 51 ÒÅÕÍÎËÎÃÈ×ÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ íèÿõ çà ñ÷åò óìåíüøåíèÿ àïåðòóðû ýëåêòðîäîâ äî 70 íì è çàîñòðåíèÿ âåðøèí îñòðèé äî ðàäèóñà 2 íì. Ñóùåñòâåííûì íåäîñòàòêîì òåõíîëîãèè ÿâëÿåòñÿ ïîâðåæäåíèå äî 50% îñòðèé â ïðîöåññå õèìèêî-ìå- õàíè÷åñêîãî ïîëèðîâàíèÿ ïîëèêðåìíèåâûõ ýëåêòðî- äîâ ñ âóëêàíîïîäîáíûì ïðîôèëåì. Äëÿ ôîêóñèðîâàíèÿ ýìèññèîííûõ ýëåêòðîíîâ â ëó÷ íåîáõîäèìîãî ðàçìåðà èñïîëüçóþòñÿ ìíîãîýëåê- òðîäíûå ýëåêòðîñòàòè÷åñêèå ëèíçû [11]. Òàê, ëèíçû ñ ÷åòûðüìÿ ýëåêòðîäàìè ïîçâîëÿþò ñôîêóñèðîâàòü ýëåêòðîííûé ëó÷ ê äèàìåòðó 10 íì íà ðàññòîÿíèè 100 ìêì [6]. Àâòîýìèññèîííûå êàòîäû, èçãîòîâëåííûå ïî ñî- âðåìåííûì òåõíîëîãèÿì, äàþò ýìèññèþ ýëåêòðîíîâ ïðè íàïðÿæåíèÿõ 30�60  çà ñ÷åò èñïîëüçîâàíèÿ ýêñòðàêöèîííûõ ýëåêòðîäîâ ñ àïåðòóðîé äî 100 íì. Òåõíîëîãèè ñ óíèêàëüíûì îáîðóäîâàíèåì ïîçâîëÿþò ïîëó÷àòü ðàçìåðû àïåðòóðû ýëåêòðîäîâ ìåíåå 100 íì è çà ñ÷åò ýòîãî ïîíèçèòü íàïðÿæåíèå ýìèññèè äî 10� 15 Â. Íåñìîòðÿ íà îòëè÷èÿ, â íèõ îñòàþòñÿ àêòóàëü- íûìè çàäà÷è àâòîôîêóñèðîâêè ýëåêòðîííîãî ëó÷à, ñòàáèëèçàöèè ýìèññèîííîãî òîêà è ìîíîëèòíîé èí- òåãðàöèè ñ ñèñòåìàìè óïðàâëåíèÿ íà îäíîì êðèñòàë- ëå. Ñóùåñòâåííûì íåäîñòàòêîì ðàññìîòðåííûõ òåõ- íîëîãèé ÿâëÿåòñÿ òàêæå èõ îãðàíè÷åííîñòü � âîç- ìîæíîñòü èçãîòîâëåíèÿ ðåãóëÿðíûõ ñòðóêòóð êàòî- äîâ òîëüêî îäèíàêîâîé ôîðìû è ðàçìåðîâ. Ôîðìèðîâàíèå ýëåìåíòîâ ñóáìèêðîííûõ ðàçìåðîâ Äëÿ èçãîòîâëåíèÿ àâòîýìèññèîííûõ êàòîäîâ íà ïîâåðõíîñòè êðåìíèåâîé ïëàñòèíû íåîáõîäèìî ñôîðìèðîâàòü ðåãóëÿðíî ðàñïîëîæåííûå ìàñêèðóþ- ùèå èçîáðàæåíèÿ ôîòîëèòîãðàôèåé ñ ñóáìèêðîííîé ðàçðåøàþùåé ñïîñîáíîñòüþ.  [12] ïðåäëîæåí ïðî- ñòîé ñïîñîá ôîðìèðîâàíèÿ òîïîëîãè÷åñêèõ ýëåìåí- òîâ ñóáìèêðîííûõ ðàçìåðîâ ñ ïîìîùüþ ñòàíäàðò- íîé ïðîåêöèîííîé ëèòîãðàôèè. Ðåàëüíûå ìèíèìàëü- íî âîçìîæíûå òîïîëîãè÷åñêèå ðàçìåðû ýëåìåíòîâ â ïðîåêöèîííîé ëèòîãðàôèè îïðåäåëÿþòñÿ â îñíîâíîì äëèíîé âîëíû ñïåêòðàëüíîé ÷óâñòâèòåëüíîñòè ôî- òîðåçèñòîâ è ñîñòàâëÿþò 0,8�1,2 ìêì, íî òî÷íîñòü ñîâìåùåíèÿ äëÿ ïðîåêöèîííîé ôîòîëèòîãðàôèè ÿâ- ëÿåòñÿ äîñòàòî÷íî âûñîêîé è ñîñòàâëÿåò 40�100 íì. Ýòîò ïàðàìåòð ÿâëÿåòñÿ îïðåäåëÿþùèì ïðè ôîðìè- ðîâàíèè ñóáìèêðîííûõ ðàçìåðîâ ýëåìåíòîâ. Ïîñëå- äîâàòåëüíîñòü ôîðìèðîâàíèÿ òàêèõ ýëåìåíòîâ ïî- êàçàíà íà ðèñ. 1. Íà êðåìíèåâóþ ïëàñòèíó îñàæäàåòñÿ ïëåíêà SiO2 è íàíîñèòñÿ ôîòîðåçèñò.  ðåçóëüòàòå ýêñïîçèöèè è ïåðâîé ïðîåêöèîííîé ôîòîëèòîãðàôèè Ô1 ôîðìè- ðóåòñÿ ïëåíî÷íûé òîïîëîãè÷åñêèé ýëåìåíò ñ ðàçìå- ðîì L≥1 ìêì (ðèñ. 1, à). Ïîñëå ñíÿòèÿ ïåðâîãî ôîòî- ðåçèñòà è âòîðîé ôîòîëèòîãðàôèè Ô2 ïëåíêà ôîòî- ðåçèñòà ìàñêèðóåò ïëåíêó SiO2 íà çàïðîåêòèðîâàí- íóþ âåëè÷èíó ðàçìåðà òîïîëîãè÷åñêîãî ýëåìåíòà L<1 ìêì (ðèñ.1, á). Ñîâìåùåíèå íà îáåèõ ñòàäèÿõ ïðîâîäèòñÿ äî îäíèõ áàçîâûõ çíàêîâ ñîâìåùåíèÿ ïðîåêöèîííîé ôîòîëèòîãðàôèè, ïðåäâàðèòåëüíî ñî- çäàííûõ íà ýòàïå òàê íàçûâàåìîé «íóëåâîé» ôîòî- ëèòîãðàôèè.  ðåçóëüòàòå ïîñëåäóþùåé òåõíîëîãè- ÷åñêîé îïåðàöèè ñóõîãî ïëàçìîõèìè÷åñêîãî òðàâëåíèÿ ïëåíêè SiO2 ïîëó÷àåòñÿ ïëåíêà ñ ðàçìåðîì L<1 ìêì, ïîêðûòàÿ ôîòîðåçèñòîì (ðèñ. 1, â). Ïîñëåäíåé âû- ïîëíÿåòñÿ îïåðàöèÿ ñíÿòèÿ ôîòîðåçèñòà (ðèñ. 1, ã). Ñïîñîá ïðàêòè÷åñêè ïðîâåðÿëñÿ ñ èñïîëüçîâàíè- åì ëàçåðíî-ðåêðèñòàëëèçèðîâàííûõ ñòðóêòóð êðåì- íèé-íà-èçîëÿòîðå (ÊÍÈ) ñ òîëùèíîé êðåìíèåâîé ïîäëîæêè 0,2 ìêì, â êîòîðîé ôîðìèðîâàëèñü òîïî- ëîãè÷åñêèå ýëåìåíòû òèïà «çàòâîð» ÌÎÏ-òðàíçèñ- òîðà, à òàêæå ïëåíêè SiO2 òîëùèíîé 0,4 ìêì, â êîòî- ðîé ôîðìèðîâàëèñü òîïîëîãè÷åñêèå ýëåìåíòû òèïà «îêíî». Áûëè ñïðîåêòèðîâàíû íàáîðû òåñòîâûõ ýëå- ìåíòîâ ñ íà÷àëüíûìè ðàçìåðàìè L=1,6 ìêì äëÿ ïåð- âîé ôîòîëèòîãðàôèè ñ èñïîëüçîâàíèåì ôîòîøàáëî- íîâ ñòàíäàðòíîé ïðîåêöèîííîé ôîòîëèòîãðàôèè ñ óìåíüøåííûì (10:1) èçîáðàæåíèåì, à òàêæå íàáî- ðû òîïîëîãè÷åñêèõ òåñòîâûõ ýëåìåíòîâ ñ ðàçíûìè âåëè÷èíàìè ïåðåêðûòèÿ ôîòîðåçèñòîì âûòðàâëèâà- åìûõ ýëåìåíòîâ ñ øàãîì 50 íì.  ðåçóëüòàòå áûëè ïîëó÷åíû òîïîëîãè÷åñêèå ýëåìåíòû ñóáìèêðîííûõ ðàçìåðîâ â äèàïàçîíå 150�100 íì. Òàêèì îáðàçîì, èñïîëüçîâàíèå ñòàíäàðòíîé ïðî- åêöèîííîé ëèòîãðàôèè ïîçâîëÿåò ñòàáèëüíî ïîëó- ÷àòü òîïîëîãè÷åñêèå ýëåìåíòû ñóáìèêðîííûõ ðàç- ìåðîâ. Òåõíîëîãèÿ èçãîòîâëåíèÿ àâòîýìèññèîííûõ êàòîäîâ ñóáìèêðîííûõ ðàçìåðîâ Èñïîëüçóÿ âûøåóêàçàííûé ñïîñîá ôîðìèðîâà- íèÿ ýëåìåíòîâ ñóáìèêðîííûõ ðàçìåðîâ, ïðîìîäå- ëèðîâàíà òåõíîëîãèÿ èçãîòîâëåíèÿ àâòîýìèññèîí- íûõ êðåìíèåâûõ êàòîäîâ, êîòîðàÿ ïðåäñòàâëÿåò ñî- áîé ñëåäóþùóþ ïîñëåäîâàòåëüíîñòü áàçîâûõ îïå- ðàöèé (ðèñ. 2). 1. Îñàæäåíèå ïëåíêè SiO2. 2. Ôîòîëèòîãðàôèÿ 1 è ôîðìèðîâàíèå ìàñêèðó- þùèõ èçîáðàæåíèé (ðèñ. 2, à). 3. Ãàçîâîå õèìè÷åñêîå èçîòðîïíîå òðàâëåíèå ïî- âåðõíîñòè êðåìíèåâîé ïëàñòèíû n-òèïà (100) äëÿ ïîëó÷åíèÿ ïðîôèëÿ îñòðèé (ðèñ. 2, á). 4. Òåðìè÷åñêîå îêèñëåíèå îñòðèé â ñðåäå O2. 5. Æèäêîñòíîå õèìè÷åñêîå òðàâëåíèå ïëåíêè SiO2 äëÿ çàîñòðåíèÿ êðåìíèåâûõ îñòðèé. 6. Îñàæäåíèå íà ïîâåðõíîñòü îñòðèé ìåòàëëà (W), õîðîøî ñîðáèðóþùåãî ãàçû (ðèñ. 2, â). 7. Êîíôîðìíîå îñàæäåíèå íà ïîâåðõíîñòü îñò- ðèé ñëîÿ SiO2. 8. Ïëàíàðèçàöèÿ ïîâåðõíîñòè ñëîÿ SiO2 (ðèñ. 2, ã). 9. Îñàæäåíèå ìåòàëëà (Mo), ñòîéêîãî ê äåéñòâèþ ýëåêòðîíîâ. à) Ô1 Ô2 Si L≥1 ìêì á) â) ã) L<1 ìêì Ðèñ. 1. Ôîðìèðîâàíèå ýëåìåíòîâ ñóáìèêðîííûõ ðàçìåðîâ: a � ôîòîëèòîãðàôèÿ 1; á � ôîòîëèòîãðàôèÿ 2 ñ ïðîåêòíûì ñìå- ùåíèåì; â � òðàâëåíèå SiO2; ã � òðàâëåíèå ôîòîðåçèñòà SiO2 Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2007, ¹ 5 52 ÒÅÕÍÎËÎÃÈ×ÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ Ðèñ. 3. Àâòîýìèññèîííûå êàòîäû ðàçíîé ôîðìû: à � îäíîîñòðèéíûé; á � òðåõîñòðèéíûé; â � ëåçâèéíûé; 1 � êðåìíèåâàÿ ïëàñòèíà; 2 � îñàæäåííàÿ ïëåíêà W; 3 � ñëîé SiO2; 4 � ýêñòðàêöèîííûé ýëåêòðîä èç Ìî 4 1 2 3 4 â)á) 4 1 2 3 4 à) 4 1 2 3 4 Ðèñ. 2. Ðåçóëüòàòû ìîäåëèðîâàíèÿ ïîñëåäîâàòåëüíîñòè èçãîòîâëåíèÿ àâòîýìèññèîííûõ êàòîäîâ. Ðàçìåðû ïî îñÿì X è Y ïðèâåäåíû â ìèêðîìåòðàõ à) 0,2 0 �0,2 �0,4 �0,6 �0,8 �1 0 0,5 1 1,5 2,5 á) 0,2 0 �0,2 �0,4 �0,6 �0,8 �1 0 0,5 1 1,5 2,5 â) 0,2 0 �0,2 �0,4 �0,6 �0,8 �1 0 0,5 1 1,5 2,5 ã) 0,2 0 �0,2 �0,4 �0,6 �0,8 �1 0 0,5 1 1,5 2,5 ä) 0,2 0 �0,2 �0,4 �0,6 �0,8 �1 0 0,5 1 1,5 2,5 å) 0,2 0 �0,2 �0,4 �0,6 �0,8 �1 0 0,5 1 1,5 2,5 à) 100,0 0,5 0 �0,5 �1 0 0,5 1 1,5 2 1 2 ìêì ìêì 3 5 4 Ðèñ. 4. Ýëåêòðè÷åñêîå ïîëå àâòîýìèññèîííîãî êàòîäà â âàêóóìå (à), ïîãðóæåííîãî â ñëîé SiO2 (á), ñ äîïîëíèòåëü- íûì ôîêóñèðóþùèì ýëåêòðîäîì (â): 1 � ýêñïîíèðóåìàÿ êðåìíèåâàÿ ïëàñòèíà (U=10 Â); 2 � ñèëîâûå ëèíèè; 3 � ýêâèïîòåíöèàëüíûå ëèíèè; 4 � ýêñòðàêöèîííûé ýëåê- òðîä (U=0 Â); 5 � êðåìíèåâûé êàòîä (U= �100 Â); 6 � ýïèòàêñè- àëüíûé ñëîé SiO2; 7 � ôîêóñèðóþùèé ýëåêòðîä (U= �10 Â) ìêì á) 100,0 0,5 0 �0,5 �1 0 0,5 1 1,5 2 ìêì ìêì 1 23 5 6 4 â) 100,0 0,5 0 �0,5 �1 0 0,5 1 1,5 2 ìêì 1 23 5 6 7 4 Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2007, ¹ 5 53 ÒÅÕÍÎËÎÃÈ×ÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ 10. Ôîòîëèòîãðàôèÿ 2 è ôîðìèðîâàíèå àïåðòóð ýëåêòðîäîâ (ðèñ. 2, ä). 11. Ãàçîâîå õèìè÷åñêîå èçîòðîïíîå òðàâëåíèå ñëîÿ SiO2 íà çàäàííóþ ãëóáèíó (ðèñ. 2, å). Èñïîëüçóÿ ðàçíûå íàáîðû ôîòîøàáëîíîâ, ìîæ- íî ïî îäíîé òåõíîëîãèè èçãîòîâèòü ðåãóëÿðíûå ñòðóêòóðû ñ ðàçíîé ôîðìîé è ðàçìåðàìè êàòîäîâ: îäíîîñòðèéíûå, ìíîãîîñòðèéíûå è ëåçâèéíûå. Íà ðèñ. 3 ïîêàçàíû ôðîíòàëüíûå è ãîðèçîíòàëüíûå ïðî- åêöèè îäíîîñòðèéíûõ, òðåõîñòðèéíûõ è ëåçâèéíûõ êàòîäîâ. Ïðåäëîæåííàÿ òåõíîëîãèÿ íå èñïîëüçóåò ñàìîñîâ- ìåùåíèÿ ýëåêòðîäîâ, ïðèâîäÿùåãî ê îáðàçîâàíèþ âóëêàíîïîäîáíûõ ïðîôèëåé. Ýòî îáåñïå÷èâàåò ïëà- íàðíîñòü ýëåêòðîäîâ, âîçìîæíîñòü èõ ðàñïîëîæåíèÿ êàê âûøå, òàê è íèæå êàòîäà, à òàêæå ïîëó÷åíèå òðå- áóåìûõ ðàçìåðîâ àïåðòóð. Òàê, äëÿ ïîêàçàííûõ íà ðèñ. 2 ãåîìåòðè÷åñêèõ ôîðì êàòîäà è ýêñòðàêöèîí- íîãî ýëåêòðîäà ïðè ðàçíîñòè ïîòåíöèàëîâ â 100  ñîçäàåòñÿ íàïðÿæåííîñòü ýëåêòðè÷åñêîãî ïîëÿ, äî- ñòàòî÷íàÿ äëÿ àâòîýëåêòðîííîé ýìèññèè â âàêóóìå 1,5·10�5 Ïà. Îñàæäåíèå íà ïîâåðõíîñòü îñòðèé ìå- òàëëà, ëó÷øå ñîðáèðóþùåãî ãàçû ïî ñðàâíåíèþ ñ êðåìíèåì, ïîçâîëÿåò ÷èñòèòü åå ïåðèîäè÷åñêèì èì- ïóëüñíûì íàãðåâîì, ÷òî ñïîñîáñòâóåò ñòàáèëüíîñòè ãåîìåòðè÷åñêîé ôîðìû îñòðèé è ýìèññèîííîãî òîêà, à òàêæå äîëãîâå÷íîñòè ðàáîòû. Âîçìîæíîñòü ôîð- ìèðîâàíèÿ ðåãóëÿðíûõ ñòðóêòóð ñ ðàçíîé ôîðìîé è ðàçìåðàìè êàòîäîâ çíà÷èòåëüíî ðàñøèðÿåò îáëàñòü èõ ïðèìåíåíèÿ. Ýëåêòðè÷åñêîå ïîëå àâòîýìèññèîííîãî êàòîäà Íà ðèñ. 4 ïîêàçàíû ðåçóëüòàòû êîìïüþòåðíîãî ìîäåëèðîâàíèÿ ìåòîäîì êîíå÷íûõ ýëåìåíòîâ [13] ýëåêòðè÷åñêîãî ïîëÿ àâòîýìèññèîííîãî êàòîäà (ïî- âåðõíîñòè, ê êîòîðûì ïðèëîæåí ïîòåíöèàë, îòìå÷å- íû æèðíîé ëèíèåé). Îðèãèíàëüíîå ïîãðóæåíèå âñå- ãî êàòîäà, êðîìå èçëó÷àþùåé âåðøèíû, â ñëîé SiO2 ïðåïÿòñòâóåò ýìèññèè ýëåêòðîíîâ ñ ìèêðîíåðîâíîñ- òåé ïîäíîæüÿ îñòðèé, çàùèùàåò îò áîìáàðäèðîâêè èîíàìè è óìåíüøàåò ïëîùàäü ïîâåðõíîñòè, ñîðáè- ðóþùåé ãàçû. Ïëàíàðíîå ðàñïîëîæåíèå ýêñòðàêöè- îííîãî ýëåêòðîäà ôîðìèðóåò àêñèàëüíî-ñèììåòðè÷- íûå ýêâèïîòåíöèàëüíûå ëèíèè è ðàñõîäÿùèåñÿ ñ âåð- øèíû êàòîäà ñèëîâûå ëèíèè. Äëÿ ýêñïîíèðîâàíèÿ êðåìíèåâîé ïëàñòèíû ýëåêòðîííûì ëó÷îì íåîáõî- äèìû ñõîäÿùèåñÿ ñèëîâûå ëèíèè ýëåêòðè÷åñêîãî ïîëÿ. Ñõîäÿùèåñÿ ñèëîâûå ëèíèè ìîæíî ïîëó÷èòü ñ ïîìîùüþ äîïîëíèòåëüíîãî ôîêóñèðóþùåãî ýëåê- òðîäà. Çàêëþ÷åíèå Ïðåäëîæåí ïðàêòè÷åñêèé ñïîñîá ôîðìèðîâàíèÿ ýëåìåíòîâ ñóáìèêðîííûõ ðàçìåðîâ ñ èñïîëüçîâàíè- åì ñîâìåùåíèÿ ñ áàçîâûìè çíàêàìè ñòàíäàðòíîé ïðîåêöèîííîé ëèòîãðàôèè, ïðåäâàðèòåëüíî ñîçäàí- íûìè íà ýòàïå òàê íàçûâàåìîé �íóëåâîé� ôîòîëè- òîãðàôèè. Ïîëó÷åíà ìîäåëü òåõíîëîãèè èçãîòîâëå- íèÿ àâòîýìèññèîííûõ êðåìíèåâûõ êàòîäîâ ñóáìèê- ðîííûõ ðàçìåðîâ ñ ïëàíàðíî ðàñïîëîæåííûìè ýëåê- òðîäàìè è ïîãðóæåííûìè â ñëîé SiO2 ïîäíîæüÿìè êàòîäîâ. Èñïîëüçîâàíèå ðàçëè÷íûõ íàáîðîâ ôîòî- øàáëîíîâ ïîçâîëÿåò ïî îäíîé òåõíîëîãèè ïîëó÷àòü ðåãóëÿðíûå ñòðóêòóðû êàòîäîâ ðàçíîé ôîðìû è ðàç- ìåðîâ: îäíîîñòðèéíûå, ìíîãîîñòðèéíûå è ëåçâèé- íûå. Ïî ðåçóëüòàòàì äâóõìåðíîãî ìîäåëèðîâàíèÿ ýëåê- òðè÷åñêîãî ïîëÿ ïðè çàäàííûõ íàïðÿæåíèÿõ êàòîäà, ýëåêòðîäîâ è àíîäà ïîêàçàíî, ÷òî äîïîëíèòåëüíûé ôîêóñèðóþùèé ýëåêòðîä ôîðìèðóåò ñõîäÿùèåñÿ ñè- ëîâûå ëèíèè. ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ 1. Tcherepanov A. Y., Chakhovskoi A. G., Sharov V. B. Flat panel display using low-voltage carbon field emitters // J. of Vac. Sci. and Technol.� 1995.� Vol. B13(2).� P. 482�486. 2. Àëôåðîâ Æ. Ïîëóïðîâîäíèêîâàÿ ýëåêòðîíèêà â Ðîññèè. Ñîñòîÿíèå è ïåðñïåêòèâû ðàçâèòèÿ // Ýëåêòðîíèêà: ÍÒÁ.� 2005.� ¹ 4.� C. 5�9. 3. Ware P. Removing the mask // The SPIE Magazine of Photonics and Applications.� 2002.� Vol. 2 (3).� P. 26�27. 4. Ãîëîòà Â. ²., Äðóæèí³í À. Î., Êîãóò ². Ò. Ñó÷àñíèé ñòàí ³ íàïðÿìêè äîñë³äæåíü íàíîìåòðîâî¿ ë³òîãðàô³¿ // ³ñíèê ÍÓ �ËÏ� Ñåð. Åëåêòðîí³êà.� 2006.� ¹ 423.� Ñ. 76�80. 5. Spindt C. A., Brodie I., Humphrey L., Westerberg E. R. Physical properties of thin-film field emission cathodes with molybdenum cones // J. Appl. Phys.� 1976.� Vol. 47 (12).� P. 5248�5263. 6. Bailor L. R., Lowndes D. H., Simpson M. L. et al. Digital electrostatic electron-beam array lithography // J. of Vac. Sci. and Technol.� 2002.� Vol. B 20(6).� P. 2646�2650. 7. Pat. 3970887 USA. Micro-structure field emission electron source / D. O. Smith, J. S. Judge, M. Trongello, P. R. Thronton.� 1976. 8. Lee Sanjo, Lee Sunnup, Lee Sungwoon, Leon D. Self-aligned silicon tips coated with diamond like carbon // J. of Vac. Sci. and Technol.� 1997.� Vol. B 15(2).� P. 457�459. 9. Takashi Tanii, Satoru Fujita, Yoshitery Numao et al. A novel process for fabrication of gated silicon field emitter array taking advantage of ion beam bombardment retarted etching // Japanese Journal of Applied Physics.� 2005.� Vol. 44, N 7A.� P. 5191�5192. 10. Pflug D., Scattenburg M., Smith H., Akinwande A. Field emitter array for low voltage application with sub 100 nm apertures and 200 nm period // IEEE Intern. Electron Device Meeting. Technical digest.� Washington, DC.� 2001.� P. 851�854. 11. Dvorson L., Kymissis I., Akinwande A. I. Double-gated silicon field emitter // J. of Vac. Sci. and Technol.� 2003.� Vol. B 21(1).� P. 486�494. 12. Ïàò. 18536 Óêðà¿íè. Ñïîñ³á ôîðìóâàííÿ òîïîëîã³÷íèõ çîáðàæåíü ì³êðîåëåêòðîííèõ ïðèñòðî¿â / ². Ò. Êîãóò, À. Î. Äðó- æèí³í, Â. ². Ãîëîòà.� 2007.� Áþë. ¹ 11. 13. Çåíêåâè÷ Î. Ìåòîäû êîíå÷íûõ ýëåìåíòîâ â òåõíèêå.� Ì.: Ìèð, 1975.
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52878
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-12-07T18:16:47Z
publishDate 2007
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Дружинин, А.A.
Голота, В.И.
Когут, И.Т.
2014-01-08T19:03:41Z
2014-01-08T19:03:41Z
2007
Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров / А.A. Дружинин, В.И. Голота, И.Т. Когут // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 50-53. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52878
Предложен практический способ формирования элементов субмикронных размеров с использованием совмещения с базовыми знаками стандартной проекционной литографии, предварительно созданными на этапе "нулевой" фотолитографии.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Технологические процессы и оборудование
Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
Технологія виготовлення автоемісійних кремнієвих катодів субмікронних розмірів
The preparation technology of field emission silicon cathode
Article
published earlier
spellingShingle Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
Дружинин, А.A.
Голота, В.И.
Когут, И.Т.
Технологические процессы и оборудование
title Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
title_alt Технологія виготовлення автоемісійних кремнієвих катодів субмікронних розмірів
The preparation technology of field emission silicon cathode
title_full Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
title_fullStr Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
title_full_unstemmed Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
title_short Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
title_sort технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
topic Технологические процессы и оборудование
topic_facet Технологические процессы и оборудование
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52878
work_keys_str_mv AT družininaa tehnologiâizgotovleniâavtoémissionnyhkremnievyhkatodovsubmikronnyhrazmerov
AT golotavi tehnologiâizgotovleniâavtoémissionnyhkremnievyhkatodovsubmikronnyhrazmerov
AT kogutit tehnologiâizgotovleniâavtoémissionnyhkremnievyhkatodovsubmikronnyhrazmerov
AT družininaa tehnologíâvigotovlennâavtoemísíinihkremníêvihkatodívsubmíkronnihrozmírív
AT golotavi tehnologíâvigotovlennâavtoemísíinihkremníêvihkatodívsubmíkronnihrozmírív
AT kogutit tehnologíâvigotovlennâavtoemísíinihkremníêvihkatodívsubmíkronnihrozmírív
AT družininaa thepreparationtechnologyoffieldemissionsiliconcathode
AT golotavi thepreparationtechnologyoffieldemissionsiliconcathode
AT kogutit thepreparationtechnologyoffieldemissionsiliconcathode