Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
Напряжение отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs можно прогнозировать до нанесения контактов по вольт-фарадным измерениям....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2007 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52885 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862682941684973568 |
|---|---|
| author | Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. |
| author_facet | Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. |
| citation_txt | Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Напряжение отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs можно прогнозировать до нанесения контактов по вольт-фарадным измерениям.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:54:22Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52885 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:54:22Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. 2014-01-08T21:40:03Z 2014-01-08T21:40:03Z 2007 Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52885 Напряжение отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs можно прогнозировать до нанесения контактов по вольт-фарадным измерениям. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Электронные средства: исследования, разработки Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs Прогнозування напруги відсічки іонно-імплантованих польових транзисторів з бар'єром Шотткі на GaAs Prediction of the threshold voltage of GaAs ion-implanted metal-semiconductor field-effect transistors Article published earlier |
| spellingShingle | Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. Электронные средства: исследования, разработки |
| title | Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_alt | Прогнозування напруги відсічки іонно-імплантованих польових транзисторів з бар'єром Шотткі на GaAs Prediction of the threshold voltage of GaAs ion-implanted metal-semiconductor field-effect transistors |
| title_full | Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_fullStr | Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_full_unstemmed | Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_short | Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_sort | прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером шоттки на gaas |
| topic | Электронные средства: исследования, разработки |
| topic_facet | Электронные средства: исследования, разработки |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52885 |
| work_keys_str_mv | AT gorevnb prognozirovanienaprâženiâotsečkiionnoimplantirovannyhpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas AT kodžespirovaif prognozirovanienaprâženiâotsečkiionnoimplantirovannyhpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas AT privaloven prognozirovanienaprâženiâotsečkiionnoimplantirovannyhpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas AT gorevnb prognozuvannânaprugivídsíčkiíonnoímplantovanihpolʹovihtranzistorívzbarêromšottkínagaas AT kodžespirovaif prognozuvannânaprugivídsíčkiíonnoímplantovanihpolʹovihtranzistorívzbarêromšottkínagaas AT privaloven prognozuvannânaprugivídsíčkiíonnoímplantovanihpolʹovihtranzistorívzbarêromšottkínagaas AT gorevnb predictionofthethresholdvoltageofgaasionimplantedmetalsemiconductorfieldeffecttransistors AT kodžespirovaif predictionofthethresholdvoltageofgaasionimplantedmetalsemiconductorfieldeffecttransistors AT privaloven predictionofthethresholdvoltageofgaasionimplantedmetalsemiconductorfieldeffecttransistors |