Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs

Напряжение отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs можно прогнозировать до нанесения контактов по вольт-фарадным измерениям....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Горев, Н.Б., Коджеспирова, И.Ф., Привалов, Е.Н.
Format:	Artikel
Sprache:	Russian
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Schlagworte:	Электронные средства: исследования, разработки
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52885
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52885
record_format	dspace
spelling	Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. 2014-01-08T21:40:03Z 2014-01-08T21:40:03Z 2007 Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52885 Напряжение отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs можно прогнозировать до нанесения контактов по вольт-фарадным измерениям. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Электронные средства: исследования, разработки Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs Прогнозування напруги відсічки іонно-імплантованих польових транзисторів з бар'єром Шотткі на GaAs Prediction of the threshold voltage of GaAs ion-implanted metal-semiconductor field-effect transistors Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
spellingShingle	Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. Электронные средства: исследования, разработки
title_short	Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
title_full	Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
title_fullStr	Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
title_full_unstemmed	Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
title_sort	прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером шоттки на gaas
author	Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н.
author_facet	Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н.
topic	Электронные средства: исследования, разработки
topic_facet	Электронные средства: исследования, разработки
publishDate	2007
language	Russian
container_title	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format	Article
title_alt	Прогнозування напруги відсічки іонно-імплантованих польових транзисторів з бар'єром Шотткі на GaAs Prediction of the threshold voltage of GaAs ion-implanted metal-semiconductor field-effect transistors
description	Напряжение отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs можно прогнозировать до нанесения контактов по вольт-фарадным измерениям.
issn	2225-5818
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52885
citation_txt	Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT gorevnb prognozirovanienaprâženiâotsečkiionnoimplantirovannyhpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas AT kodžespirovaif prognozirovanienaprâženiâotsečkiionnoimplantirovannyhpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas AT privaloven prognozirovanienaprâženiâotsečkiionnoimplantirovannyhpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas AT gorevnb prognozuvannânaprugivídsíčkiíonnoímplantovanihpolʹovihtranzistorívzbarêromšottkínagaas AT kodžespirovaif prognozuvannânaprugivídsíčkiíonnoímplantovanihpolʹovihtranzistorívzbarêromšottkínagaas AT privaloven prognozuvannânaprugivídsíčkiíonnoímplantovanihpolʹovihtranzistorívzbarêromšottkínagaas AT gorevnb predictionofthethresholdvoltageofgaasionimplantedmetalsemiconductorfieldeffecttransistors AT kodžespirovaif predictionofthethresholdvoltageofgaasionimplantedmetalsemiconductorfieldeffecttransistors AT privaloven predictionofthethresholdvoltageofgaasionimplantedmetalsemiconductorfieldeffecttransistors
first_indexed	2025-12-07T15:54:22Z
last_indexed	2025-12-07T15:54:22Z
_version_	1850865470771560448

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs

Institution

Ähnliche Einträge