Buchumschlag

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs

Напряжение отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs можно прогнозировать до нанесения контактов по вольт-фарадным измерениям....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Горев, Н.Б., Коджеспирова, И.Ф., Привалов, Е.Н.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Schlagworte:	Электронные средства: исследования, разработки
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52885
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов
von: Павлюченко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Биосенсоры на основе ионоселективных полевых транзисторов: теория, технология, практика
von: Дзядевич, С.В.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
von: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Схемотехническое моделирование и синтез активных СВЧ-фильтров на полевых транзисторах Шоттки
von: Филинюк, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
von: Кукла, А.Л., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Применение ионоселективных полевых транзисторов для ферментного анализа токсичных примесей в водных растворах
von: Pavluchenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель
von: Толстолуцкая, Г.Д., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Изучение свойств контактов кремния с барьером Шоттки, изготовленных на основе аморфных и поликристаллических различных металлических сплавов
von: Пашаев, И.Г.
Veröffentlicht: (2012)

Утроитель частоты на диодах с барьером Шоттки в приемнике 3-мм диапазона для исследований линий излучения атмосферных газов
von: Подъячий, В.И.
Veröffentlicht: (2015)

Протеолитический биосенсор на основе рН-чувствительных полевых транзисторов. 2. Характеристика работы в модельных условиях
von: Белоиван, О.А., et al.
Veröffentlicht: (1996)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Применение ферментного сенсора на основе рН-чувствительных полевых транзисторов для определения концентрации глюкозы в соке картофеля
von: Скрышевская, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Прогнозирование
von: Карташевская, И.Ф.
Veröffentlicht: (2001)

Двухзондовый метод измерения параметров движения механических объектов
von: Пилипенко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Двухзондовая реализация интерференционного метода измерения параметров движения механических объектов
von: Пилипенко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Датчики на основе СВЧ-резонаторов для систем контроля параметров органических жидкостей
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Моделювання комбінованого діода Шоттки
von: Кісельов, Є.М.
Veröffentlicht: (2013)

Физические имитаторы мощных транзисторов
von: Стевич, З.
Veröffentlicht: (2000)

Критическое состояние в низкоразмерных сверхпроводниках с краевым барьером
von: Айнбиндер, Р.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Компьютерное моделирование профилей имплантированных ионов Al⁺ в наноструктурную пленку Cu
von: Павленко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Измерение параметров движения интерференционным методом в широком диапазоне амплитуд перемещений
von: Пилипенко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Фототранзистор составной на полевых транзисторах
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Измерение параметров движения с использованием двухзондовой реализации интерференционного метода
von: Пилипенко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Баранов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Baranov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование процесса монтажа кристаллов мощных транзисторов вибрационной пайкой
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Пучковые и ионно-плазменные технологи
von: Ворогушин, М.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2002)