Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2007
• Main Authors: Горев, Н.Б., Коджеспирова, И.Ф., Привалов, Е.Н.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
• Subjects: Электронные средства: исследования, разработки
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52885
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Напряжение отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs можно прогнозировать до нанесения контактов по вольт-фарадным измерениям....