Зображення обкладинки

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs

Напряжение отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs можно прогнозировать до нанесения контактов по вольт-фарадным измерениям....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2007
Автори:	Горев, Н.Б., Коджеспирова, И.Ф., Привалов, Е.Н.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Теми:	Электронные средства: исследования, разработки
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52885
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2006)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)

Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2010)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)

Нелинейный анализ смесителей миллиметрового диапазона на диодах с барьером Шоттки
за авторством: Подъячий, В.И., та інші
Опубліковано: (2006)

Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов
за авторством: Павлюченко, А.С., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Биосенсоры на основе ионоселективных полевых транзисторов: теория, технология, практика
за авторством: Дзядевич, С.В.
Опубліковано: (2004)

Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника
за авторством: Мамедов, А.К.
Опубліковано: (2003)

Схемотехническое моделирование и синтез активных СВЧ-фильтров на полевых транзисторах Шоттки
за авторством: Филинюк, Н.А., та інші
Опубліковано: (2005)

Схемотехническое моделирование и синтез активных СВЧ-фильтров на полевых транзисторах Шоттки
за авторством: Filinyuk, N. А., та інші
Опубліковано: (2005)

Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2013)

Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
за авторством: Кукла, А.Л., та інші
Опубліковано: (2013)

Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель
за авторством: Толстолуцкая, Г.Д., та інші
Опубліковано: (2006)

Применение ионоселективных полевых транзисторов для ферментного анализа токсичных примесей в водных растворах
за авторством: Pavluchenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2010)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Применение ионоселективных полевых транзисторов для ферментного анализа токсичных примесей в водных растворах
за авторством: Павлюченко, А.С., та інші
Опубліковано: (2010)

Изучение свойств контактов кремния с барьером Шоттки, изготовленных на основе аморфных и поликристаллических различных металлических сплавов
за авторством: Пашаев, И.Г.
Опубліковано: (2012)

Особенности токопереноса в тонкопленочных структурах на основе арсенида галлия для функциональных элементов систем измерений, управления и связи
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)

Утроитель частоты на диодах с барьером Шоттки в приемнике 3-мм диапазона для исследований линий излучения атмосферных газов
за авторством: Подъячий, В.И.
Опубліковано: (2015)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
за авторством: Bonchyk, A. Yu., та інші
Опубліковано: (2005)

Протеолитический биосенсор на основе рН-чувствительных полевых транзисторов. 2. Характеристика работы в модельных условиях
за авторством: Белоиван, О.А., та інші
Опубліковано: (1996)

Прогнозирование отклонения напряжения в электрических сетях
за авторством: Сапрыка, В.А.
Опубліковано: (2013)

Применение ферментного сенсора на основе рН-чувствительных полевых транзисторов для определения концентрации глюкозы в соке картофеля
за авторством: Скрышевская, И.В., та інші
Опубліковано: (2003)

Протеолитический биосенсор на основе рН-чувствительных полевых транзисторов. 1. Изучение сравнительных характеристик нативного и иммобилизованного трипсина для создания энзимобиосенсора
за авторством: Белоиван, О.А., та інші
Опубліковано: (1996)

Моделювання комбінованого діода Шоттки
за авторством: Кісельов, Є.М.
Опубліковано: (2013)

Прогнозирование
за авторством: Карташевская, И.Ф.
Опубліковано: (2001)

Двухзондовая реализация интерференционного метода измерения параметров движения механических объектов
за авторством: Пилипенко, О.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Двухзондовый метод измерения параметров движения механических объектов
за авторством: Пилипенко, О.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Измерение параметров движения механических объектов с использованием двух электрических зондов
за авторством: Пилипенко, О.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Датчики на основе СВЧ-резонаторов для систем контроля параметров органических жидкостей
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)

Физические имитаторы мощных транзисторов
за авторством: Стевич, З.
Опубліковано: (2000)