Cover Image

Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока

Исследованы причины выхода из строя кристаллов полупроводниковых силовых диодов при прохождении через них импульсов ударного тока.

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:	2007
Main Authors:	Павлюк, С.П., Савицкий, С.М., Солтис, Р.Б., Тищенко, И.Ю.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Subjects:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52892
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока / С.П. Павлюк, С.М. Савицкий, Р.Б. Солтис, И.Ю. Тищенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 33-35. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
by: Pavljuk, S. P., et al.
Published: (2007)

Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
by: Кушниренко, В.В., et al.
Published: (2007)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
by: Басанец, В.В., et al.
Published: (2015)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2008)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
by: Краснов, В.А., et al.
Published: (2008)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
by: Солодуха, В.А., et al.
Published: (2012)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2007)

Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
by: Кушниренко, В.В., et al.
Published: (2005)

Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры
by: Обухов, И.А.
Published: (2007)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
by: Новицкий, С.В.
Published: (2012)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)

Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
by: Коваленко, Л.Ф., et al.
Published: (2009)

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
by: Ковальчук, В.А., et al.
Published: (2011)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
by: Перевертайло, В.Л.
Published: (2012)

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
by: Добровольский, Ю.Г.
Published: (2006)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
by: Сидор, О.Н., et al.
Published: (2012)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
by: Глауберман, М.А., et al.
Published: (2013)

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
by: Катеринчук, В.Н., et al.
Published: (2007)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
by: Джафарова, Э.А.
Published: (2006)

Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
by: Перевертайло, В.Л.
Published: (2011)

Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
by: Кудрик, Я.Я.
Published: (2009)

Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
by: Байдуллаева, А., et al.
Published: (2007)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2008)

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
by: Ижнин, И.И., et al.
Published: (2005)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2013)

Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой
by: Семенов, А.А., et al.
Published: (2012)

Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
by: Велещук, В.П., et al.
Published: (2017)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)

Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
by: Спирин, В.Г.
Published: (2013)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
by: Бобренко, Ю.Н., et al.
Published: (2009)

Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками
by: Максименко, Л.С., et al.
Published: (2013)

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2007)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
by: Форш, П.А., et al.
Published: (2009)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2018)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)

Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2006)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)

Модель линии передачи для наноэлектроники
by: Нелин, Е.А.
Published: (2009)