Формирование наноструктурированных пленок иридия и поликластерного алмаза
Исследованы пленки Ir и алмаза в зависимости от условий получения. Рассмотрено применение поликластерных пленок алмаза в качестве теплоотводов ГИС и управляющих сеток электронных приборов....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2007 |
| Hauptverfasser: | Белянин, А.Ф., Паль, А.Ф., Самойлович, М.И., Суетин, Н.В., Дзбановский, Н.Н., Митин, В.С., Пащенко, П.В., Тимофеев, М.А. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52895 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Формирование наноструктурированных пленок иридия и поликластерного алмаза / А.Ф. Белянин, А.Ф. Паль, М.И. Самойлович, Н.В. Суетин, Н.Н. Дзбановский, В.С. Митин, П.В. Пащенко, М.А. Тимофеев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 50-56. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Формирование наноструктурированных пленок иридия и поликластерного алмаза
von: Belyanin, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Belyanin, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Ударостойкие защитные пленочные покрытия на основе AlN в электронной технике
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Наноструктурированные пленки ZnO для устройств микроэлектроники и оптики
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Нанесение тонких пленок в вакууме на подложки из синтетического опала
von: Панфилов, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Панфилов, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Направленная кристаллизация силицидных пленок на кремниевой подложке
von: Белоусов, И.В.
Veröffentlicht: (2007)
von: Белоусов, И.В.
Veröffentlicht: (2007)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Источник питания для контактной микросварки с программируемой формой сварочного импульса
von: Паэранд, Ю.Э., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Паэранд, Ю.Э., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления
von: Костин, Е.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Костин, Е.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr
von: Павлович, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Павлович, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
von: Турцевич, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Турцевич, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Алгоритм выбора интервала пересчета параметров объектов контроля и управления в АСУ ТП
von: Тыныныка, А.Н
Veröffentlicht: (2016)
von: Тыныныка, А.Н
Veröffentlicht: (2016)
Формирование нанопленок Cu, Ag, Au под воздействием атомов водорода
von: Жавжаров, Е.Л., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Жавжаров, Е.Л., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Автоматизированная система регистрации циклов при вибрационных испытаниях образца
von: Усов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Усов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Узгодження параметрів зварювальних імпульсів з програмою тиску електродів та електрофізичними процесами в зварювальному контакті
von: Бондаренко, О.Ф.
Veröffentlicht: (2019)
von: Бондаренко, О.Ф.
Veröffentlicht: (2019)
Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Томашик, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Томашик, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Борисенко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Борисенко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Установка для регенерации сорбентов в электромагнитном поле
von: Головко, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Головко, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде
von: Рудякова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Рудякова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
von: Липинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Липинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
von: Динев, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Динев, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Технология создания легированных бором слоев на алмазе
von: Зяблюк, К.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Зяблюк, К.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
von: Пилипенко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Пилипенко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Ähnliche Einträge
-
Формирование наноструктурированных пленок иридия и поликластерного алмаза
von: Belyanin, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Ударостойкие защитные пленочные покрытия на основе AlN в электронной технике
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)