Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев

• Дата: 2007
• Автори: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Саидова, Р.А., Гиясова, Ф.А., Хайдаров, Ш.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Технологические процессы и оборудование
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52896
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Р.А. Саидова, Ф.А. Гиясова, Ш.А. Хайдаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 57-61. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Модифицировано устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых соединений типа АIIIВV. Показана возможность управления градиентом концентрации примесей, создающим внутренние электрические поля в фотоприемной и активной областях структур.