Зображення обкладинки

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев

Модифицировано устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых соединений типа АIIIВV. Показана возможность управления градиентом концентрации примесей, создающим внутренние электрические поля в фотоприемной и активной областях структур....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2007
Автори:	Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Саидова, Р.А., Гиясова, Ф.А., Хайдаров, Ш.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Теми:	Технологические процессы и оборудование
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52896
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Р.А. Саидова, Ф.А. Гиясова, Ш.А. Хайдаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 57-61. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2007)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2006)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)

Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Зяблюк, К.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
за авторством: Лесюк, Р.И., та інші
Опубліковано: (2010)

Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
за авторством: Баранов, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
за авторством: Новосядлый, С.П.
Опубліковано: (1998)

Метод защиты поверхности расплавленного припоя от окисления
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2010)

Подключающее МЭМС-устройство для контроля BGA-компонентов
за авторством: Невлюдов, И.Ш., та інші
Опубліковано: (2012)

Бесконтактный метод определения эффективности термоэлектрических материалов
за авторством: Ащеулов, А.А.
Опубліковано: (2009)

Технология и оборудование для обработки алмазных материалов современной электроники
за авторством: Митягин, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)

Моделирование технологии изготовления субмикронных КМОП СБИС с помощью систем TCAD
за авторством: Глушко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Рафинирование Cd и Zn от примесей внедрения при дистилляции с геттерным фильтром ZrFe
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2013)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
за авторством: Голишников, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)

Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)

Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
за авторством: Иванчиков, А.Э., та інші
Опубліковано: (2008)

Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
за авторством: Пилипенко, В.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Алгоритм выбора интервала пересчета параметров объектов контроля и управления в АСУ ТП
за авторством: Тыныныка, А.Н
Опубліковано: (2016)

Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
за авторством: Шангереева, Б.А.
Опубліковано: (2008)

Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
за авторством: Борисенко, А.Г.
Опубліковано: (2013)

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
за авторством: Турцевич, А.С.
Опубліковано: (2008)

Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде
за авторством: Рудякова, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)

Усовершенствованный метод выявления «горячих точек» в изделиях микроэлектроники
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
за авторством: Липинский, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Повышение адгезионной прочности никелевых контактов ветвей термоэлектрических модулей
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2006)

Установка для экспресс-контроля глубины охлаждения термоэлектрических микромодулей Пельтье
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009)

Получение высокочистых гранулированных металлов: кадмия, цинка, свинца
за авторством: Щербань, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Измерительно-вычислительный комплекс СМ-100 для характеризации жидкокристаллических дисплеев
за авторством: Сорокин, В.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Ударостойкие защитные пленочные покрытия на основе AlN в электронной технике
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2005)

Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
за авторством: Александров, С.Б., та інші
Опубліковано: (2011)

Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2011)