Зображення обкладинки

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев

Модифицировано устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых соединений типа АIIIВV. Показана возможность управления градиентом концентрации примесей, создающим внутренние электрические поля в фотоприемной и активной областях структур....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2007
Автори:	Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Саидова, Р.А., Гиясова, Ф.А., Хайдаров, Ш.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Теми:	Технологические процессы и оборудование
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52896
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Р.А. Саидова, Ф.А. Гиясова, Ш.А. Хайдаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 57-61. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)

Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Зяблюк, К.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2006)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Krukovsky, S. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2007)

Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
за авторством: Лесюк, Р.И., та інші
Опубліковано: (2010)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Сухой пленочный фоторезист как изоляционное покрытие алюминиевых подложек
за авторством: Короткевич, А.В., та інші
Опубліковано: (1999)

Закономерности распределения аномальных концентраций гелия в палеозойских отложениях Донбасса
за авторством: Исаев, В.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Модернизация генератора изображений ЭМ-559 БМ
за авторством: Лопаткин, А.В., та інші
Опубліковано: (1998)

Термозвуковая разварка межсоединений золотой проволокой на медных рамках
за авторством: Емельянов, В.А., та інші
Опубліковано: (1998)

Устройство для поляризации пьезоэлементов во время пайки составных пьезокерамических преобразователей
за авторством: Гонтовой, С.В.
Опубліковано: (1998)

Математическое моделирование процесса индукционного нагрева составных пьезокерамических преобразователей
за авторством: Гонтовой, С.В.
Опубліковано: (1998)

Получение высокоомных тонкопленочных конденсатов методом ионно-плазменного распыления
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (1998)

Высокотемпературные стабильные растворы химического меднения и травления в производстве печатных плат
за авторством: Гилене, О.
Опубліковано: (1998)

Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС
за авторством: Новосядлый, С.П., та інші
Опубліковано: (1999)

Средства управления промышленным оборудованием
за авторством: Коваль, В.Я.
Опубліковано: (1999)

О немонотонной зависимости критической температуры сверхпроводящего перехода от концентрации носителей в фуллерите C₆₀
за авторством: Локтев, В.М.
Опубліковано: (2001)

Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Подключающее МЭМС-устройство для контроля BGA-компонентов
за авторством: Невлюдов, И.Ш., та інші
Опубліковано: (2012)

Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников
за авторством: Мелков, Г.А., та інші
Опубліковано: (1995)

О толщине прослойки жидкого металла под дугой при наплавке под флюсом
за авторством: Размышляев, А.Д.
Опубліковано: (2003)

Повышение равномерности распределения твёрдости в формованных со сдвигами слоёв порошковых заготовках
за авторством: Григорьев, С.Н., та інші
Опубліковано: (2013)

Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП
за авторством: Мелков, Г.А., та інші
Опубліковано: (1997)

Бесконтактный метод определения эффективности термоэлектрических материалов
за авторством: Ащеулов, А.А.
Опубліковано: (2009)

Технология и оборудование для обработки алмазных материалов современной электроники
за авторством: Митягин, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)

Моделирование технологии изготовления субмикронных КМОП СБИС с помощью систем TCAD
за авторством: Глушко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
за авторством: Голишников, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)

Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2015)

Анализ возможности электрошлаковой наплавки разнородных металлов и сплавов при малой толщине наплавляемого слоя
за авторством: Цыкуленко, К.А., та інші
Опубліковано: (2001)

Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
за авторством: Иванчиков, А.Э., та інші
Опубліковано: (2008)

Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)