Buchumschlag

Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах

Исследованная двухбарьерная структура, двухсторонне чувствительная в видимой и ближней ИК-области спектра, работоспособна при любой полярности рабочего напряжения....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2006
Hauptverfasser:	Ёдгорова, Д.М., Ашрапов, Ф.М.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Schlagworte:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52918
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах / Д.М. Ёдгорова, Ф.М. Ашрапов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 3. — С. 40-47. — Бібліогр.: 28 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
von: Джафарова, Э.А.
Veröffentlicht: (2006)

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
von: Добровольский, Ю.Г.
Veröffentlicht: (2006)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
von: Кушниренко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование пленок поликристаллического кремния для применения в фильтровых спектральных приборах
von: Джавадов, Н.Г.
Veröffentlicht: (2005)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Добровольский, Ю.Г.
Veröffentlicht: (2012)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
von: Войцеховский, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)

3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов
von: Габа, В.М.
Veröffentlicht: (2009)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
von: Ижнин, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Солодуха, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
von: Глауберман, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)