Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2006
• Main Authors: Горев, Н.Б., Коджеспирова, И.Ф., Привалов, Е.Н.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
• Subjects: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52968
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 36-39. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Разброс параметров GaAs полевых транзисторов, вызванный неоднородным распределением глубоких центров, может прогнозироваться по концентрации незаполненных глубоких центров на границе "пленка-буферный слой".