Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
Разброс параметров GaAs полевых транзисторов, вызванный неоднородным распределением глубоких центров, может прогнозироваться по концентрации незаполненных глубоких центров на границе "пленка-буферный слой"....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52968 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 36-39. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862723340680036352 |
|---|---|
| author | Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. |
| author_facet | Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. |
| citation_txt | Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 36-39. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Разброс параметров GaAs полевых транзисторов, вызванный неоднородным распределением глубоких центров, может прогнозироваться по концентрации незаполненных глубоких центров на границе "пленка-буферный слой".
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:40:58Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52968 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:40:58Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. 2014-01-14T22:48:05Z 2014-01-14T22:48:05Z 2006 Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 36-39. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52968 Разброс параметров GaAs полевых транзисторов, вызванный неоднородным распределением глубоких центров, может прогнозироваться по концентрации незаполненных глубоких центров на границе "пленка-буферный слой". ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs Прогнозування розбіжності параметрів польових транзисторів з бар'єром Шоткі на GaAs Prediction of GaAs metal-semiconductor field-effect transistor parameter spread Article published earlier |
| spellingShingle | Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_alt | Прогнозування розбіжності параметрів польових транзисторів з бар'єром Шоткі на GaAs Prediction of GaAs metal-semiconductor field-effect transistor parameter spread |
| title_full | Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_fullStr | Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_full_unstemmed | Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_short | Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_sort | прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером шоттки на gaas |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52968 |
| work_keys_str_mv | AT gorevnb prognozirovanierazbrosaparametrovpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas AT kodžespirovaif prognozirovanierazbrosaparametrovpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas AT privaloven prognozirovanierazbrosaparametrovpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas AT gorevnb prognozuvannârozbížnostíparametrívpolʹovihtranzistorívzbarêromšotkínagaas AT kodžespirovaif prognozuvannârozbížnostíparametrívpolʹovihtranzistorívzbarêromšotkínagaas AT privaloven prognozuvannârozbížnostíparametrívpolʹovihtranzistorívzbarêromšotkínagaas AT gorevnb predictionofgaasmetalsemiconductorfieldeffecttransistorparameterspread AT kodžespirovaif predictionofgaasmetalsemiconductorfieldeffecttransistorparameterspread AT privaloven predictionofgaasmetalsemiconductorfieldeffecttransistorparameterspread |