Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
Разброс параметров GaAs полевых транзисторов, вызванный неоднородным распределением глубоких центров, может прогнозироваться по концентрации незаполненных глубоких центров на границе "пленка-буферный слой"....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52968 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 36-39. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52968 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. 2014-01-14T22:48:05Z 2014-01-14T22:48:05Z 2006 Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 36-39. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52968 Разброс параметров GaAs полевых транзисторов, вызванный неоднородным распределением глубоких центров, может прогнозироваться по концентрации незаполненных глубоких центров на границе "пленка-буферный слой". ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs Прогнозування розбіжності параметрів польових транзисторів з бар'єром Шоткі на GaAs Prediction of GaAs metal-semiconductor field-effect transistor parameter spread Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| spellingShingle |
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title_short |
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_full |
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_fullStr |
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_full_unstemmed |
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_sort |
прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером шоттки на gaas |
| author |
Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. |
| author_facet |
Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| publishDate |
2006 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Прогнозування розбіжності параметрів польових транзисторів з бар'єром Шоткі на GaAs Prediction of GaAs metal-semiconductor field-effect transistor parameter spread |
| description |
Разброс параметров GaAs полевых транзисторов, вызванный неоднородным распределением глубоких центров, может прогнозироваться по концентрации незаполненных глубоких центров на границе "пленка-буферный слой".
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52968 |
| citation_txt |
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 36-39. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT gorevnb prognozirovanierazbrosaparametrovpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas AT kodžespirovaif prognozirovanierazbrosaparametrovpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas AT privaloven prognozirovanierazbrosaparametrovpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas AT gorevnb prognozuvannârozbížnostíparametrívpolʹovihtranzistorívzbarêromšotkínagaas AT kodžespirovaif prognozuvannârozbížnostíparametrívpolʹovihtranzistorívzbarêromšotkínagaas AT privaloven prognozuvannârozbížnostíparametrívpolʹovihtranzistorívzbarêromšotkínagaas AT gorevnb predictionofgaasmetalsemiconductorfieldeffecttransistorparameterspread AT kodžespirovaif predictionofgaasmetalsemiconductorfieldeffecttransistorparameterspread AT privaloven predictionofgaasmetalsemiconductorfieldeffecttransistorparameterspread |
| first_indexed |
2025-12-07T18:40:58Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:40:58Z |
| _version_ |
1850875952058335232 |