Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs - Горев, Н.Б.; Коджеспирова, И.Ф.; Привалов, Е.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
Разброс параметров GaAs полевых транзисторов, вызванный неоднородным распределением глубоких центров, может прогнозироваться по концентрации незаполненных глубоких центров на границе "пленка-буферный слой".