Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2006 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52969 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 39-41. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52969 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Добровольский, Ю.Г. 2014-01-14T22:50:20Z 2014-01-14T22:50:20Z 2006 Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 39-41. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52969 Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод Кремнієвий термостатований p-i-n-фотодіод Silicic thermally stabilized p-i-n-photodiode Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| spellingShingle |
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод Добровольский, Ю.Г. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title_short |
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| title_full |
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| title_fullStr |
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| title_full_unstemmed |
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| title_sort |
кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| author |
Добровольский, Ю.Г. |
| author_facet |
Добровольский, Ю.Г. |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| publishDate |
2006 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Кремнієвий термостатований p-i-n-фотодіод Silicic thermally stabilized p-i-n-photodiode |
| description |
Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52969 |
| citation_txt |
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 39-41. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT dobrovolʹskiiûg kremnievyitermostatirovannyipinfotodiod AT dobrovolʹskiiûg kremníêviitermostatovaniipinfotodíod AT dobrovolʹskiiûg silicicthermallystabilizedpinphotodiode |
| first_indexed |
2025-12-07T17:48:34Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:48:34Z |
| _version_ |
1850872655817736192 |