Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52969 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 39-41. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862714064767025152 |
|---|---|
| author | Добровольский, Ю.Г. |
| author_facet | Добровольский, Ю.Г. |
| citation_txt | Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 39-41. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:48:34Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52969 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:48:34Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Добровольский, Ю.Г. 2014-01-14T22:50:20Z 2014-01-14T22:50:20Z 2006 Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 39-41. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52969 Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод Кремнієвий термостатований p-i-n-фотодіод Silicic thermally stabilized p-i-n-photodiode Article published earlier |
| spellingShingle | Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод Добровольский, Ю.Г. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| title_alt | Кремнієвий термостатований p-i-n-фотодіод Silicic thermally stabilized p-i-n-photodiode |
| title_full | Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| title_fullStr | Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| title_full_unstemmed | Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| title_short | Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| title_sort | кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52969 |
| work_keys_str_mv | AT dobrovolʹskiiûg kremnievyitermostatirovannyipinfotodiod AT dobrovolʹskiiûg kremníêviitermostatovaniipinfotodíod AT dobrovolʹskiiûg silicicthermallystabilizedpinphotodiode |