Cover Image

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод

Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур....

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:	2006
Main Author:	Добровольский, Ю.Г.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Subjects:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52969
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 39-41. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2011)

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
by: Dobrovolsky, Yu. G.
Published: (2006)

Симметричный двухкоординатный фотодиод
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2008)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
by: Добровольский, Ю.Г.
Published: (2012)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
by: Краснов, В.А., et al.
Published: (2008)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)

Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2006)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2008)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2007)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
by: Новицкий, С.В.
Published: (2012)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2007)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)

Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
by: Кушниренко, В.В., et al.
Published: (2007)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
by: Войцеховский, А.В., et al.
Published: (2005)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
by: Басанец, В.В., et al.
Published: (2015)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2009)

Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2012)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
by: Бобренко, Ю.Н., et al.
Published: (2009)

Модель алмазного транзистора
by: Алтухов, А.А., et al.
Published: (2011)

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
by: Бобренко, Ю.Н., et al.
Published: (2012)

Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
by: Спирин, В.Г.
Published: (2013)

Исследование пленок поликристаллического кремния для применения в фильтровых спектральных приборах
by: Джавадов, Н.Г.
Published: (2005)

Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
by: Готра, З.Ю., et al.
Published: (2009)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2018)

Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
by: Кондрик, А.И., et al.
Published: (2012)

Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками
by: Максименко, Л.С., et al.
Published: (2013)

Помехоподавляющие магнитопроводы из микропровода в стеклянной изоляции
by: Колпакович, Ю.И., et al.
Published: (2006)

Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
by: Ленков, С.В., et al.
Published: (2008)

Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
by: Коваленко, Л.Ф., et al.
Published: (2009)

Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
by: Павлюк, С.П., et al.
Published: (2007)

Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)

Повышение зонной избирательности электромагнитных кристаллов
by: Назарько, А.И., et al.
Published: (2009)

Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2009)

Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
by: Кушниренко, В.В., et al.
Published: (2005)

Интегральные схемы самосканируемых линейных фотоприемников в интроскопии и томографии
by: Перевертайло, В.Л., et al.
Published: (2005)