Зображення обкладинки

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод

Предложенная конструкция фотодиода, снабженного термоэлектрическим модулем Пельтье, может быть использована при разработке фотодиодов, предназначенных для работы в условиях повышенных температур....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2006
Автор:	Добровольский, Ю.Г.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Теми:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52969
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 39-41. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2011)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Добровольский, Ю.Г.
Опубліковано: (2012)

Симметричный двухкоординатный фотодиод
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2008)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2006)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2008)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2007)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Новицкий, С.В.
Опубліковано: (2012)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
за авторством: Войцеховский, А.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2012)

Модель алмазного транзистора
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2009)

Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2013)

Исследование пленок поликристаллического кремния для применения в фильтровых спектральных приборах
за авторством: Джавадов, Н.Г.
Опубліковано: (2005)

Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
за авторством: Готра, З.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)

Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2012)

Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками
за авторством: Максименко, Л.С., та інші
Опубліковано: (2013)

Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
за авторством: Ленков, С.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
за авторством: Павлюк, С.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
за авторством: Кушниренко, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
за авторством: Дементьев, С.Г., та інші
Опубліковано: (2010)

Интегральные схемы самосканируемых линейных фотоприемников в интроскопии и томографии
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2005)

Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
за авторством: Форш, П.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Оптический аттенюатор
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2006)

Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2006)