Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
Определены конструкция, удельное сопротивление эпитаксиальной пленки и толщина подзатворного окисла, при которых получены требуемые значения порогового напряжения транзистора....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2006 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52971 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора / Н.И. Леонов, А.М. Лемешевская, Н.Л. Дудар, С.Н. Гетьман // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 45-47. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52971 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Леонов, Н.И. Лемешевская, А.М. Дудар, Н.Л. Гетьман, С.Н. 2014-01-14T22:56:15Z 2014-01-14T22:56:15Z 2006 Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора / Н.И. Леонов, А.М. Лемешевская, Н.Л. Дудар, С.Н. Гетьман // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 45-47. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52971 Определены конструкция, удельное сопротивление эпитаксиальной пленки и толщина подзатворного окисла, при которых получены требуемые значения порогового напряжения транзистора. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора Оптимизація виготовлення високовольтного горизонтального р-канального МОН-транзистора The high-voltage lateral p-channel MOStransistor making optimization Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора |
| spellingShingle |
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора Леонов, Н.И. Лемешевская, А.М. Дудар, Н.Л. Гетьман, С.Н. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title_short |
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора |
| title_full |
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора |
| title_fullStr |
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора |
| title_full_unstemmed |
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора |
| title_sort |
оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального моп-транзистора |
| author |
Леонов, Н.И. Лемешевская, А.М. Дудар, Н.Л. Гетьман, С.Н. |
| author_facet |
Леонов, Н.И. Лемешевская, А.М. Дудар, Н.Л. Гетьман, С.Н. |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| publishDate |
2006 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Оптимизація виготовлення високовольтного горизонтального р-канального МОН-транзистора The high-voltage lateral p-channel MOStransistor making optimization |
| description |
Определены конструкция, удельное сопротивление эпитаксиальной пленки и толщина подзатворного окисла, при которых получены требуемые значения порогового напряжения транзистора.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52971 |
| citation_txt |
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора / Н.И. Леонов, А.М. Лемешевская, Н.Л. Дудар, С.Н. Гетьман // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 45-47. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT leonovni optimizaciâizgotovleniâvysokovolʹtnogogorizontalʹnogorkanalʹnogomoptranzistora AT lemeševskaâam optimizaciâizgotovleniâvysokovolʹtnogogorizontalʹnogorkanalʹnogomoptranzistora AT dudarnl optimizaciâizgotovleniâvysokovolʹtnogogorizontalʹnogorkanalʹnogomoptranzistora AT getʹmansn optimizaciâizgotovleniâvysokovolʹtnogogorizontalʹnogorkanalʹnogomoptranzistora AT leonovni optimizacíâvigotovlennâvisokovolʹtnogogorizontalʹnogorkanalʹnogomontranzistora AT lemeševskaâam optimizacíâvigotovlennâvisokovolʹtnogogorizontalʹnogorkanalʹnogomontranzistora AT dudarnl optimizacíâvigotovlennâvisokovolʹtnogogorizontalʹnogorkanalʹnogomontranzistora AT getʹmansn optimizacíâvigotovlennâvisokovolʹtnogogorizontalʹnogorkanalʹnogomontranzistora AT leonovni thehighvoltagelateralpchannelmostransistormakingoptimization AT lemeševskaâam thehighvoltagelateralpchannelmostransistormakingoptimization AT dudarnl thehighvoltagelateralpchannelmostransistormakingoptimization AT getʹmansn thehighvoltagelateralpchannelmostransistormakingoptimization |
| first_indexed |
2025-12-07T19:23:10Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:23:10Z |
| _version_ |
1850878607759507456 |