Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
Определены конструкция, удельное сопротивление эпитаксиальной пленки и толщина подзатворного окисла, при которых получены требуемые значения порогового напряжения транзистора....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52971 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора / Н.И. Леонов, А.М. Лемешевская, Н.Л. Дудар, С.Н. Гетьман // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 45-47. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862731026868994048 |
|---|---|
| author | Леонов, Н.И. Лемешевская, А.М. Дудар, Н.Л. Гетьман, С.Н. |
| author_facet | Леонов, Н.И. Лемешевская, А.М. Дудар, Н.Л. Гетьман, С.Н. |
| citation_txt | Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора / Н.И. Леонов, А.М. Лемешевская, Н.Л. Дудар, С.Н. Гетьман // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 45-47. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Определены конструкция, удельное сопротивление эпитаксиальной пленки и толщина подзатворного окисла, при которых получены требуемые значения порогового напряжения транзистора.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:23:10Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52971 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:23:10Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Леонов, Н.И. Лемешевская, А.М. Дудар, Н.Л. Гетьман, С.Н. 2014-01-14T22:56:15Z 2014-01-14T22:56:15Z 2006 Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора / Н.И. Леонов, А.М. Лемешевская, Н.Л. Дудар, С.Н. Гетьман // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 45-47. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52971 Определены конструкция, удельное сопротивление эпитаксиальной пленки и толщина подзатворного окисла, при которых получены требуемые значения порогового напряжения транзистора. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора Оптимизація виготовлення високовольтного горизонтального р-канального МОН-транзистора The high-voltage lateral p-channel MOStransistor making optimization Article published earlier |
| spellingShingle | Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора Леонов, Н.И. Лемешевская, А.М. Дудар, Н.Л. Гетьман, С.Н. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора |
| title_alt | Оптимизація виготовлення високовольтного горизонтального р-канального МОН-транзистора The high-voltage lateral p-channel MOStransistor making optimization |
| title_full | Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора |
| title_fullStr | Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора |
| title_full_unstemmed | Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора |
| title_short | Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора |
| title_sort | оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального моп-транзистора |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52971 |
| work_keys_str_mv | AT leonovni optimizaciâizgotovleniâvysokovolʹtnogogorizontalʹnogorkanalʹnogomoptranzistora AT lemeševskaâam optimizaciâizgotovleniâvysokovolʹtnogogorizontalʹnogorkanalʹnogomoptranzistora AT dudarnl optimizaciâizgotovleniâvysokovolʹtnogogorizontalʹnogorkanalʹnogomoptranzistora AT getʹmansn optimizaciâizgotovleniâvysokovolʹtnogogorizontalʹnogorkanalʹnogomoptranzistora AT leonovni optimizacíâvigotovlennâvisokovolʹtnogogorizontalʹnogorkanalʹnogomontranzistora AT lemeševskaâam optimizacíâvigotovlennâvisokovolʹtnogogorizontalʹnogorkanalʹnogomontranzistora AT dudarnl optimizacíâvigotovlennâvisokovolʹtnogogorizontalʹnogorkanalʹnogomontranzistora AT getʹmansn optimizacíâvigotovlennâvisokovolʹtnogogorizontalʹnogorkanalʹnogomontranzistora AT leonovni thehighvoltagelateralpchannelmostransistormakingoptimization AT lemeševskaâam thehighvoltagelateralpchannelmostransistormakingoptimization AT dudarnl thehighvoltagelateralpchannelmostransistormakingoptimization AT getʹmansn thehighvoltagelateralpchannelmostransistormakingoptimization |