Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
Обеспечивается создание ускоренных пучков ионов с токами до 0,6 А и энергиями до 5 кэВ с равномерным распределением плотности тока ионов в поперечном сечении пучков площадью от 10⁻⁴ до 0,2 м²....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | Никитинский, В.А., Журавлев, Б.И. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52974 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов / В.А. Никитинский, Б.И. Журавлев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 55-58. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
von: Nikitinsky, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Nikitinsky, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Конструкторско-технологические варианты коммутационных плат с подложкой из кремния
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2005)
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2005)
Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
von: Баранов, В.В.
Veröffentlicht: (2005)
von: Баранов, В.В.
Veröffentlicht: (2005)
Широкоапертурный высокочастотный источник ионов низкой энергии с электронной компенсацией
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Закономерности формирования пучка ионов низкой энергии при помощи односеточной ионно-оптической системы
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
von: Воробьев, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Воробьев, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
von: Динев, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Динев, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Ударостойкие защитные пленочные покрытия на основе AlN в электронной технике
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Направленная кристаллизация силицидных пленок на кремниевой подложке
von: Белоусов, И.В.
Veröffentlicht: (2007)
von: Белоусов, И.В.
Veröffentlicht: (2007)
Технология сборки микросхем на гибком полиимидном носителе
von: Плис, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Плис, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Нанесение тонких пленок в вакууме на подложки из синтетического опала
von: Панфилов, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Панфилов, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Сравнительный анализ методов сборки микросхем на гибких полиимидных носителях
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Подключающее МЭМС-устройство для контроля BGA-компонентов
von: Невлюдов, И.Ш., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Невлюдов, И.Ш., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Получение соединений повышенной плотности термозвуковой микросваркой в 3D интегральных микросхемах
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Методика расчета параметров УЗ-преобразователей повышенной частоты
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr
von: Павлович, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Павлович, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Технология создания легированных бором слоев на алмазе
von: Зяблюк, К.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Зяблюк, К.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Выбор микропривода механизма зажима и подачи проволоки в установках термозвуковой микросварки
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Прибор и методы измерения параметров и степени однородности пленочных структур
von: Макара, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Макара, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
von: Лесюк, Р.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Лесюк, Р.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Влияние легирующих добавок на теплостойкость и теплопередачу никелевых покрытий корпусов ИС
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Технологии изготовления фотонных кристаллов
von: Березянский, Б.М.
Veröffentlicht: (2007)
von: Березянский, Б.М.
Veröffentlicht: (2007)
Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
von: Шангереева, Б.А.
Veröffentlicht: (2008)
von: Шангереева, Б.А.
Veröffentlicht: (2008)
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
von: Джангидзе, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Джангидзе, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
von: Иванчиков, А.Э., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Иванчиков, А.Э., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
von: Пилипенко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Пилипенко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Томашик, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Томашик, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Ähnliche Einträge
-
Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
von: Nikitinsky, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2006) -
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006) -
Конструкторско-технологические варианты коммутационных плат с подложкой из кремния
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2005) -
Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
von: Баранов, В.В.
Veröffentlicht: (2005) -
Широкоапертурный высокочастотный источник ионов низкой энергии с электронной компенсацией
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)