Каримов, А., Ёдгорова, Д., Юлдашев, Ш., & Болтаева, Ш. (2006). Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Каримов, А.В, Д.М Ёдгорова, Ш.Ш Юлдашев, та Ш.Ш Болтаева. Физико-технологические основы получения резкого P–n-перехода. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2006.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Каримов, А.В, et al. Физико-технологические основы получения резкого P–n-перехода. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2006.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.