APA (7th ed.) Citation

Каримов, А., Ёдгорова, Д., Юлдашев, Ш., & Болтаева, Ш. (2006). Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Каримов, А.В, Д.М Ёдгорова, Ш.Ш Юлдашев, and Ш.Ш Болтаева. Физико-технологические основы получения резкого P–n-перехода. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2006.

MLA (8th ed.) Citation

Каримов, А.В, et al. Физико-технологические основы получения резкого P–n-перехода. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2006.