Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
Приведен способ получения резкого p-n-перехода методом жидкостной эпитаксии. На основе эпитаксиальных p-n-переходов изготовлены полевые транзисторы, подтвердившие эффективность предложенного способа....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52975 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ш.Ш. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 59-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862589987308961792 |
|---|---|
| author | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева, Ш.Ш. |
| author_facet | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева, Ш.Ш. |
| citation_txt | Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ш.Ш. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 59-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Приведен способ получения резкого p-n-перехода методом жидкостной эпитаксии. На основе эпитаксиальных p-n-переходов изготовлены полевые транзисторы, подтвердившие эффективность предложенного способа.
|
| first_indexed | 2025-11-27T03:57:49Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52975 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T03:57:49Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева, Ш.Ш. 2014-01-14T23:12:25Z 2014-01-14T23:12:25Z 2006 Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ш.Ш. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 59-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52975 Приведен способ получения резкого p-n-перехода методом жидкостной эпитаксии. На основе эпитаксиальных p-n-переходов изготовлены полевые транзисторы, подтвердившие эффективность предложенного способа. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода Фізико-технологічні основи отримання різкого p-n-перехода Physical-technological bases of reception sharp p-n-transition Article published earlier |
| spellingShingle | Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева, Ш.Ш. Технологические процессы и оборудование |
| title | Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода |
| title_alt | Фізико-технологічні основи отримання різкого p-n-перехода Physical-technological bases of reception sharp p-n-transition |
| title_full | Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода |
| title_fullStr | Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода |
| title_full_unstemmed | Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода |
| title_short | Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода |
| title_sort | физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52975 |
| work_keys_str_mv | AT karimovav fizikotehnologičeskieosnovypolučeniârezkogopnperehoda AT edgorovadm fizikotehnologičeskieosnovypolučeniârezkogopnperehoda AT ûldaševšš fizikotehnologičeskieosnovypolučeniârezkogopnperehoda AT boltaevašš fizikotehnologičeskieosnovypolučeniârezkogopnperehoda AT karimovav fízikotehnologíčníosnoviotrimannârízkogopnperehoda AT edgorovadm fízikotehnologíčníosnoviotrimannârízkogopnperehoda AT ûldaševšš fízikotehnologíčníosnoviotrimannârízkogopnperehoda AT boltaevašš fízikotehnologíčníosnoviotrimannârízkogopnperehoda AT karimovav physicaltechnologicalbasesofreceptionsharppntransition AT edgorovadm physicaltechnologicalbasesofreceptionsharppntransition AT ûldaševšš physicaltechnologicalbasesofreceptionsharppntransition AT boltaevašš physicaltechnologicalbasesofreceptionsharppntransition |