Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода - Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Юлдашев, Ш.Ш.; Болтаева, Ш.Ш. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
Приведен способ получения резкого p-n-перехода методом жидкостной эпитаксии. На основе эпитаксиальных p-n-переходов изготовлены полевые транзисторы, подтвердившие эффективность предложенного способа.