Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
Приведен способ получения резкого p-n-перехода методом жидкостной эпитаксии. На основе эпитаксиальных p-n-переходов изготовлены полевые транзисторы, подтвердившие эффективность предложенного способа....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Юлдашев, Ш.Ш., Болтаева, Ш.Ш. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52975 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ш.Ш. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 59-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
за авторством: Джангидзе, Л.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Джангидзе, Л.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
за авторством: Никитинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Никитинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)
Метод защиты поверхности расплавленного припоя от окисления
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2007)
Конструкторско-технологические варианты коммутационных плат с подложкой из кремния
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2005)
Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
за авторством: Баранов, В.В.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Баранов, В.В.
Опубліковано: (2005)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2005)
Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2006)
Подключающее МЭМС-устройство для контроля BGA-компонентов
за авторством: Невлюдов, И.Ш., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Невлюдов, И.Ш., та інші
Опубліковано: (2012)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009)
Задача типа Гурса для уравнения высокого порядка
за авторством: Юсубов, Ш.Ш.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Юсубов, Ш.Ш.
Опубліковано: (2013)
Регіональні й глобальні наслідки незалежності Косово
за авторством: Гахраманова, Ш.Ш.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Гахраманова, Ш.Ш.
Опубліковано: (2010)
Ударостойкие защитные пленочные покрытия на основе AlN в электронной технике
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2005)
Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)
Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления
за авторством: Костин, Е.Г., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Костин, Е.Г., та інші
Опубліковано: (2008)
Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2005)
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
за авторством: Голишников, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Голишников, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)
Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде
за авторством: Рудякова, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Рудякова, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
Исследование линейной корреляционной связи в парных выборках малого объема
за авторством: Попукайло, В.С.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Попукайло, В.С.
Опубліковано: (2016)
Алгоритм выбора интервала пересчета параметров объектов контроля и управления в АСУ ТП
за авторством: Тыныныка, А.Н
Опубліковано: (2016)
за авторством: Тыныныка, А.Н
Опубліковано: (2016)
Установка для регенерации сорбентов в электромагнитном поле
за авторством: Головко, М.И., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Головко, М.И., та інші
Опубліковано: (2005)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
Технология и оборудование для обработки алмазных материалов современной электроники
за авторством: Митягин, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Митягин, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
Усовершенствованный метод выявления «горячих точек» в изделиях микроэлектроники
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2008)
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
за авторством: Турцевич, А.С., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Турцевич, А.С., та інші
Опубліковано: (2012)
СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
за авторством: Григорьянц, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Григорьянц, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Влияние легирующих добавок на теплостойкость и теплопередачу никелевых покрытий корпусов ИС
за авторством: Новосядлый, С.П., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Новосядлый, С.П., та інші
Опубліковано: (2008)
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)
Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
за авторством: Липинский, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Липинский, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники
за авторством: Одиноков, В.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Одиноков, В.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
за авторством: Лесюк, Р.И., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Лесюк, Р.И., та інші
Опубліковано: (2010)
Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)
Технологии изготовления фотонных кристаллов
за авторством: Березянский, Б.М.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Березянский, Б.М.
Опубліковано: (2007)
Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
за авторством: Шангереева, Б.А.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Шангереева, Б.А.
Опубліковано: (2008)
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006) -
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
за авторством: Джангидзе, Л.Б., та інші
Опубліковано: (2009) -
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007) -
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009) -
Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
за авторством: Никитинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)