Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
Разработанная технология позволила создать диоды Ганна, работающие на частоте до 80 ГГц с КПД до 4% и выходной мощностью 40 мВт.
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2006 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53248 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн / В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 5-7. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862659117206732800 |
|---|---|
| author | Иванов, В.Н. Ковтонюк, В.М. Николаенко, Ю.Е. |
| author_facet | Иванов, В.Н. Ковтонюк, В.М. Николаенко, Ю.Е. |
| citation_txt | Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн / В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 5-7. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Разработанная технология позволила создать диоды Ганна, работающие на частоте до 80 ГГц с КПД до 4% и выходной мощностью 40 мВт.
|
| first_indexed | 2025-12-02T09:17:03Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53248 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-02T09:17:03Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Иванов, В.Н. Ковтонюк, В.М. Николаенко, Ю.Е. 2014-01-18T20:16:03Z 2014-01-18T20:16:03Z 2006 Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн / В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 5-7. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53248 Разработанная технология позволила создать диоды Ганна, работающие на частоте до 80 ГГц с КПД до 4% и выходной мощностью 40 мВт. Статья подготовлена в рамках украинской Государственной программы развития техники и технологий сверхвысоких частот на 2005-2009 годы. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Техника и технологии СВЧ Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн Технологія виготовлення GaAs-діодів Гана для діапазону коротких міліметрових довжин хвиль Physical-technological of producing GaAs Gunn diodes operating in the range of short millimeter wave lengths Article published earlier |
| spellingShingle | Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн Иванов, В.Н. Ковтонюк, В.М. Николаенко, Ю.Е. Техника и технологии СВЧ |
| title | Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн |
| title_alt | Технологія виготовлення GaAs-діодів Гана для діапазону коротких міліметрових довжин хвиль Physical-technological of producing GaAs Gunn diodes operating in the range of short millimeter wave lengths |
| title_full | Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн |
| title_fullStr | Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн |
| title_full_unstemmed | Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн |
| title_short | Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн |
| title_sort | технология изготовления gaas-диодов ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн |
| topic | Техника и технологии СВЧ |
| topic_facet | Техника и технологии СВЧ |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53248 |
| work_keys_str_mv | AT ivanovvn tehnologiâizgotovleniâgaasdiodovgannadlâdiapazonakorotkihmillimetrovyhdlinvoln AT kovtonûkvm tehnologiâizgotovleniâgaasdiodovgannadlâdiapazonakorotkihmillimetrovyhdlinvoln AT nikolaenkoûe tehnologiâizgotovleniâgaasdiodovgannadlâdiapazonakorotkihmillimetrovyhdlinvoln AT ivanovvn tehnologíâvigotovlennâgaasdíodívganadlâdíapazonukorotkihmílímetrovihdovžinhvilʹ AT kovtonûkvm tehnologíâvigotovlennâgaasdíodívganadlâdíapazonukorotkihmílímetrovihdovžinhvilʹ AT nikolaenkoûe tehnologíâvigotovlennâgaasdíodívganadlâdíapazonukorotkihmílímetrovihdovžinhvilʹ AT ivanovvn physicaltechnologicalofproducinggaasgunndiodesoperatingintherangeofshortmillimeterwavelengths AT kovtonûkvm physicaltechnologicalofproducinggaasgunndiodesoperatingintherangeofshortmillimeterwavelengths AT nikolaenkoûe physicaltechnologicalofproducinggaasgunndiodesoperatingintherangeofshortmillimeterwavelengths |