Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
Разработанная технология позволила создать диоды Ганна, работающие на частоте до 80 ГГц с КПД до 4% и выходной мощностью 40 мВт.
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2006 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53248 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн / В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 5-7. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53248 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Иванов, В.Н. Ковтонюк, В.М. Николаенко, Ю.Е. 2014-01-18T20:16:03Z 2014-01-18T20:16:03Z 2006 Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн / В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 5-7. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53248 Разработанная технология позволила создать диоды Ганна, работающие на частоте до 80 ГГц с КПД до 4% и выходной мощностью 40 мВт. Статья подготовлена в рамках украинской Государственной программы развития техники и технологий сверхвысоких частот на 2005-2009 годы. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Техника и технологии СВЧ Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн Технологія виготовлення GaAs-діодів Гана для діапазону коротких міліметрових довжин хвиль Physical-technological of producing GaAs Gunn diodes operating in the range of short millimeter wave lengths Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн |
| spellingShingle |
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн Иванов, В.Н. Ковтонюк, В.М. Николаенко, Ю.Е. Техника и технологии СВЧ |
| title_short |
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн |
| title_full |
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн |
| title_fullStr |
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн |
| title_full_unstemmed |
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн |
| title_sort |
технология изготовления gaas-диодов ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн |
| author |
Иванов, В.Н. Ковтонюк, В.М. Николаенко, Ю.Е. |
| author_facet |
Иванов, В.Н. Ковтонюк, В.М. Николаенко, Ю.Е. |
| topic |
Техника и технологии СВЧ |
| topic_facet |
Техника и технологии СВЧ |
| publishDate |
2006 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Технологія виготовлення GaAs-діодів Гана для діапазону коротких міліметрових довжин хвиль Physical-technological of producing GaAs Gunn diodes operating in the range of short millimeter wave lengths |
| description |
Разработанная технология позволила создать диоды Ганна, работающие на частоте до 80 ГГц с КПД до 4% и выходной мощностью 40 мВт.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53248 |
| citation_txt |
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн / В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 5-7. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT ivanovvn tehnologiâizgotovleniâgaasdiodovgannadlâdiapazonakorotkihmillimetrovyhdlinvoln AT kovtonûkvm tehnologiâizgotovleniâgaasdiodovgannadlâdiapazonakorotkihmillimetrovyhdlinvoln AT nikolaenkoûe tehnologiâizgotovleniâgaasdiodovgannadlâdiapazonakorotkihmillimetrovyhdlinvoln AT ivanovvn tehnologíâvigotovlennâgaasdíodívganadlâdíapazonukorotkihmílímetrovihdovžinhvilʹ AT kovtonûkvm tehnologíâvigotovlennâgaasdíodívganadlâdíapazonukorotkihmílímetrovihdovžinhvilʹ AT nikolaenkoûe tehnologíâvigotovlennâgaasdíodívganadlâdíapazonukorotkihmílímetrovihdovžinhvilʹ AT ivanovvn physicaltechnologicalofproducinggaasgunndiodesoperatingintherangeofshortmillimeterwavelengths AT kovtonûkvm physicaltechnologicalofproducinggaasgunndiodesoperatingintherangeofshortmillimeterwavelengths AT nikolaenkoûe physicaltechnologicalofproducinggaasgunndiodesoperatingintherangeofshortmillimeterwavelengths |
| first_indexed |
2025-12-02T09:17:03Z |
| last_indexed |
2025-12-02T09:17:03Z |
| _version_ |
1850862052404363264 |