Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн - Иванов, В.Н.; Ковтонюк, В.М.; Николаенко, Ю.Е. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
Разработанная технология позволила создать диоды Ганна, работающие на частоте до 80 ГГц с КПД до 4% и выходной мощностью 40 мВт.