Cover Image

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн

Разработанная технология позволила создать диоды Ганна, работающие на частоте до 80 ГГц с КПД до 4% и выходной мощностью 40 мВт.

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2006
Main Authors: Иванов, В.Н., Ковтонюк, В.М., Николаенко, Ю.Е.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Subjects:
Техника и технологии СВЧ
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53248
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн / В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 5-7. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items