Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах

Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах

Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8-1,0 мкм.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2006
Hauptverfasser:	Босый, В.И., Коржинский, Ф.И., Семашко, Е.М., Середа, И.В., Середа, Л.Д., Ткаченко, В.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russian
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Schriftenreihe:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Schlagworte:	Техника и технологии СВЧ
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53252
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах / В.И. Босый, Ф.И. Коржинский, Е.М. Семашко, И.В. Середа, Л.Д. Середа, В.В. Ткаченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 18-20. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Beschreibung
Zusammenfassung:	Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8-1,0 мкм.