Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах

Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах

Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8-1,0 мкм.

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2006
Main Authors: Босый, В.И., Коржинский, Ф.И., Семашко, Е.М., Середа, И.В., Середа, Л.Д., Ткаченко, В.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Техника и технологии СВЧ
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53252
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах / В.И. Босый, Ф.И. Коржинский, Е.М. Семашко, И.В. Середа, Л.Д. Середа, В.В. Ткаченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 18-20. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53252
record_format dspace
spelling nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-532522025-02-09T12:56:24Z Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах Створення Т-образного затвора у малошумлячих польових НВЧ-транзисторах The creation of T-shaped gate for low noise field effect UHF transistors Босый, В.И. Коржинский, Ф.И. Семашко, Е.М. Середа, И.В. Середа, Л.Д. Ткаченко, В.В. Техника и технологии СВЧ Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8-1,0 мкм. Статья подготовлена в рамках украинской Государственной программы развития техники и технологий сверхвысоких частот на 2005-2009 годы. 2006 Article Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах / В.И. Босый, Ф.И. Коржинский, Е.М. Семашко, И.В. Середа, Л.Д. Середа, В.В. Ткаченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 18-20. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53252 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре application/pdf Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Техника и технологии СВЧ
Техника и технологии СВЧ
spellingShingle Техника и технологии СВЧ
Техника и технологии СВЧ
Босый, В.И.
Коржинский, Ф.И.
Семашко, Е.М.
Середа, И.В.
Середа, Л.Д.
Ткаченко, В.В.
Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8-1,0 мкм.
format Article
author Босый, В.И.
Коржинский, Ф.И.
Семашко, Е.М.
Середа, И.В.
Середа, Л.Д.
Ткаченко, В.В.
author_facet Босый, В.И.
Коржинский, Ф.И.
Семашко, Е.М.
Середа, И.В.
Середа, Л.Д.
Ткаченко, В.В.
author_sort Босый, В.И.
title Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах
title_short Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах
title_full Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах
title_fullStr Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах
title_full_unstemmed Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах
title_sort создание т-образного затвора в малошумящих полевых свч-транзисторах
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2006
topic_facet Техника и технологии СВЧ
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53252
citation_txt Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах / В.И. Босый, Ф.И. Коржинский, Е.М. Семашко, И.В. Середа, Л.Д. Середа, В.В. Ткаченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 18-20. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT bosyjvi sozdanietobraznogozatvoravmalošumâŝihpolevyhsvčtranzistorah
AT koržinskijfi sozdanietobraznogozatvoravmalošumâŝihpolevyhsvčtranzistorah
AT semaškoem sozdanietobraznogozatvoravmalošumâŝihpolevyhsvčtranzistorah
AT seredaiv sozdanietobraznogozatvoravmalošumâŝihpolevyhsvčtranzistorah
AT seredald sozdanietobraznogozatvoravmalošumâŝihpolevyhsvčtranzistorah
AT tkačenkovv sozdanietobraznogozatvoravmalošumâŝihpolevyhsvčtranzistorah
AT bosyjvi stvorennâtobraznogozatvoraumalošumlâčihpolʹovihnvčtranzistorah
AT koržinskijfi stvorennâtobraznogozatvoraumalošumlâčihpolʹovihnvčtranzistorah
AT semaškoem stvorennâtobraznogozatvoraumalošumlâčihpolʹovihnvčtranzistorah
AT seredaiv stvorennâtobraznogozatvoraumalošumlâčihpolʹovihnvčtranzistorah
AT seredald stvorennâtobraznogozatvoraumalošumlâčihpolʹovihnvčtranzistorah
AT tkačenkovv stvorennâtobraznogozatvoraumalošumlâčihpolʹovihnvčtranzistorah
AT bosyjvi thecreationoftshapedgateforlownoisefieldeffectuhftransistors
AT koržinskijfi thecreationoftshapedgateforlownoisefieldeffectuhftransistors
AT semaškoem thecreationoftshapedgateforlownoisefieldeffectuhftransistors
AT seredaiv thecreationoftshapedgateforlownoisefieldeffectuhftransistors
AT seredald thecreationoftshapedgateforlownoisefieldeffectuhftransistors
AT tkačenkovv thecreationoftshapedgateforlownoisefieldeffectuhftransistors
first_indexed 2025-11-26T01:11:11Z
last_indexed 2025-11-26T01:11:11Z
_version_ 1849813340833972224
fulltext 18 ÒÅÕÍÈÊÀ È ÒÅÕÍÎËÎÃÈÈ ÑÂ× Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2006, ¹ 5 Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ 21.09 2006 ã. Îïïîíåíò ê. ò. í. Â. Í. ÈÂÀÍΠ(ÍÈÈ "Îðèîí", ã. Êèåâ) Ê. ò. í. Â. È. ÁÎÑÛÉ, Ô. È. ÊÎÐÆÈÍÑÊÈÉ, ê. ô.-ì. í. Å. Ì. ÑÅÌÀØÊÎ, È. Â. ÑÅÐÅÄÀ, Ë. Ä. ÑÅÐÅÄÀ, Â. Â. ÒÊÀ×ÅÍÊÎ Óêðàèíà, ã. Êèåâ, Íàó÷íî-ïðîèçâîäñòâåííîå ïðåäïðèÿòèå "Ñàòóðí" E-mail: chmil@nbi.com.ua Ïîëó÷åíû ýêñïåðèìåíòàëüíûå îáðàçöû òðàíçèñòîðîâ ñ Ò-îáðàçíûìè çàòâîðàìè âûñîòîé 1,1 ìêì, äëèíîé íèæíåé ÷àñòè 0,15 ìêì è âåðõíåé ÷àñòè � 0,8�1,0 ìêì. Ðàñøèðåíèå ÷àñòîòíîãî äèàïàçîíà è óëó÷øåíèå ýêñïëóàòàöèîííûõ ïàðàìåòðîâ ïîëåâûõ òðàíçèñòîðîâ ìîæåò áûòü äîñòèãíóòî êàê çà ñ÷åò èñïîëüçîâàíèÿ íîâûõ ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ìàòåðèàëîâ (ãåòåðîýïèòàê- ñèàëüíûõ ñòðóêòóð ñ ìîäóëèðîâàííûì ëåãèðîâàíè- åì, ïñåâäîìîðôíûõ ãåòåðîñòðóêòóð), òàê è â ðåçóëüòà- òå ñîâåðøåíñòâîâàíèÿ òåõíîëîãèè èçãîòîâëåíèÿ ïðè- áîðîâ è îïòèìèçàöèè èõ òîïîëîãè÷åñêèõ ðàçìåðîâ. Îäíîé èç êëþ÷åâûõ îïåðàöèé èçãîòîâëåíèÿ ïîëå- âûõ òðàíçèñòîðîâ ìèëëèìåòðîâîãî è ñóáìèëëèìåò- ðîâîãî äèàïàçîíîâ äëèí âîëí ÿâëÿåòñÿ ôîðìèðîâà- íèå çàòâîðà. Ïðè ýòîì äëÿ óëó÷øåíèÿ õàðàêòåðèñòèê òðàíçèñòîðîâ äëèíó çàòâîðà óìåíüøàþò âïëîòü äî òåõ- íîëîãè÷åñêîãî ïðåäåëà [1]. Îäíîâðåìåííî äîëæíî áûòü ðåàëèçîâàíî åãî ìèíèìàëüíîå ñîïðîòèâëåíèå. Íàèáîëåå ïåðñïåêòèâíûì âàðèàíòîì â ýòîì ñëó÷àå ïðåäñòàâëÿåòñÿ Ò-îáðàçíûé çàòâîð, âåðõíÿÿ (øèðî- êàÿ) ÷àñòü êîòîðîãî ñëóæèò äëÿ óìåíüøåíèÿ ñîïðî- òèâëåíèÿ çà ñ÷åò óâåëè÷åíèÿ ïëîùàäè ïîïåðå÷íîãî ñå÷åíèÿ, à íèæíÿÿ (óçêàÿ) ÷àñòü îáåñïå÷èâàåò ìàëóþ äëèíó è íèçêóþ åìêîñòü çàòâîðà è, ñîîòâåòñòâåííî, âûñîêóþ ïðåäåëüíóþ ÷àñòîòó ïðèáîðà fmax [2�5]. Äëÿ ñîçäàíèÿ Ò-îáðàçíîãî çàòâîðà ïðèìåíÿþòñÿ ìåòîäèêè, îñíîâàííûå íà ìíîãîêðàòíîé ýëåêòðîííî- ëó÷åâîé ëèòîãðàôèè, èñïîëüçîâàíèè âñïîìîãàòåëü- íûõ äèýëåêòðè÷åñêèõ ñëîåâ [6, 7], ïðèâîäÿùèå ê óñëîæíåíèþ òåõíîëîãè÷åñêîãî ïðîöåññà èçãîòîâëåíèÿ ïðèáîðîâ. Äëÿ ñîçäàíèÿ Ò-îáðàçíîãî çàòâîðà âîç- ìîæíî òàêæå ïðèìåíåíèå ìíîãîñëîéíûõ ýëåêòðîí- íûõ ðåçèñòîâ [8]. Ïðè ýòîì äëÿ ïîëó÷åíèÿ òðåáóåìî- ãî ïðîôèëÿ âàæíî, ÷òîáû êàæäûé èç ðåçèñòîâ èìåë íåîáõîäèìóþ êîíòðàñòíîñòü è ÷òîáû êàæäàÿ êîìáè- íàöèÿ "ðåçèñò/ïðîÿâèòåëü" èìåëà îïðåäåëåííóþ ÷óâ- ñòâèòåëüíîñòü. Èñïîëüçóÿ ñîîòâåòñòâóþùèå ïðîÿâè- òåëè, ðåçèñòû ìîæíî ïðîÿâëÿòü ñåëåêòèâíî, è ðàçìå- ðû âåðõíåé è íèæíåé ÷àñòè çàòâîðà áóäóò îïðåäåëÿòüñÿ íåçàâèñèìî. Öåëüþ äàííîé ðàáîòû ÿâëÿåòñÿ ýêñïåðèìåíòàëü- íîå èññëåäîâàíèå ïðîöåññà ôîðìèðîâàíèÿ Ò-îáðàç- íîãî çàòâîðà ñ èñïîëüçîâàíèåì òðåõñëîéíîé ñòðóê- òóðû, ñîñòîÿùåé èç äâóõ ñëîåâ ýëåêòðîííîãî ðåçèñ- òà, ðàçäåëåííûõ òîíêèì ñëîåì ìåòàëëà.  òåõíîëîãèè GaAs-ïðèáîðîâ ïðè ôîðìèðîâàíèè ìåòàëëè÷åñêèõ ìåæñîåäèíåíèé, â òîì ÷èñëå è äëÿ çàòâîðîâ, èñïîëüçóþò â îñíîâíîì òàê íàçûâàåìóþ �âçðûâíóþ� ëèòîãðàôèþ. Ïðè �âçðûâíîé� ëèòîãðà- ôèè ìàñêà ðåçèñòà ñëóæèò äëÿ òîãî, ÷òîáû îòäåëèòü íåîîáõîäèìûé ìåòàëëè÷åñêèé ðèñóíîê îò íèæíåãî ìàòåðèàëà. Ïðè ýòîì ñëîé ðåçèñòèâíîé ìàñêè äîëæåí êàê ìèíèìóì âäâîå ïðåâûøàòü òîëùèíó ìåòàëëè÷å- ñêîé ïëåíêè. Ëèøíèé ìåòàëë óäàëÿåòñÿ â ðåçóëüòàòå ðàñ- òâîðåíèÿ ðàñïîëîæåííîãî ïîä íèì ñëîÿ ðåçèñòà.  äàííîé ðàáîòå èñïîëüçîâàëè ýëåêòðîííûé ðåçèñò ÝËÏ-9 íà îñíîâå âûñîêîìîëåêóëÿðíîãî ñîåäèíåíèÿ ïîëèìåòèëìåòàêðèëàòà (ÏÌÌÀ), îáëàäàþùåãî äî- ñòàòî÷íî âûñîêîé ðàçðåøàþùåé ñïîñîáíîñòüþ â äèà- ïàçîíå ýíåðãèé ýêñïîíèðîâàíèÿ 20�30 êýÂ. Ðàñïî- ëîæåíèå ñëîåâ â òðåõñëîéíîé ðåçèñòèâíîé ñòðóêòó- ðå ïîêàçàíî íà ðèñ. 1. Òîëùèíà ïåðâîãî, íèæíåãî ñëîÿ ðåçèñòà ñîñòàâëÿåò ≈0,5 ìêì è îáåñïå÷èâàåò ïî- ëó÷åíèå äëèíû çàòâîðà ≈0,2�0,3 ìêì. Òîëùèíà âåðõ- íåãî ñëîÿ ðåçèñòà ≈0,8�1,0 ìêì. Ïðîìåæóòî÷íûé ñëîé � ïëåíêà ìåòàëà (Ag) òîëùèíîé ≈0,1 ìêì, íà- íåñåííàÿ â âàêóóìå. Ìåòàëëè÷åñêèé ñëîé ïðåïÿòñòâóåò ïåðåìåøèâàíèþ âåðõíåãî è íèæíåãî ñëîåâ ðåçèñòà è, êðîìå òîãî, ïîãëîùàåò çíà÷èòåëüíóþ ÷àñòü îòðà- æåííûõ îò ïîäëîæêè ýëåêòðîíîâ, ñíèæàÿ òåì ñàìûì íåãàòèâíîå âëèÿíèå ýôôåêòà áëèçîñòè. Ñëåäóåò îòìåòèòü, ÷òî äîïîëíèòåëüíîé òåðìîîáðà- áîòêîé â äèàïàçîíå òåìïåðàòóð 100�160°Ñ ìîæíî óïðàâëÿòü ÷óâñòâèòåëüíîñòüþ ê ýëåêòðîííîìó ýêñïî- íèðîâàíèþ êàæäîãî ñëîÿ ðåçèñòà îòäåëüíî. Îïòèìàëü- íîå ñîîòíîøåíèå ÷óâñòâèòåëüíîñòè âåðõíåãî è íèæ- íåãî ñëîÿ ñîñòàâëÿåò 2.  íàøåì ñëó÷àå íèæíèé ñëîé ýëåêòðîííîãî ðåçèñòà ïîäâåðãàåòñÿ ïîâòîðíîé (äâîé- íîé) òåðìîîáðàáîòêå, â ðåçóëüòàòå ÷åãî åãî ÷óâñòâè- òåëüíîñòü ê ýëåêòðîííîìó ýêñïîíèðîâàíèþ íåñêîëü- êî ñíèæàåòñÿ. Íà ïðàêòèêå ñîîòíîøåíèå ÷óâñòâèòåëü- íîñòè âåðõíåãî è íèæíåãî ñëîåâ ýëåêòðîííîãî ðåçè- ñòà ñîñòàâëÿåò 1,5�2,0. ÑÎÇÄÀÍÈÅ Ò-ÎÁÐÀÇÍÎÃÎ ÇÀÒÂÎÐÀ  ÌÀËÎØÓÌßÙÈÕ ÏÎËÅÂÛÕ ÑÂ×-ÒÐÀÍÇÈÑÒÎÐÀÕ ÝËÏ-9 Ìåòàëë (Ag) ÝËÏ-9 Ïîëóïðîâîäíèêîâàÿ ïîäëîæêà Ðèñ. 1. Ñõåìà òðåõñëîéíîé ðåçèñòèâíîé ñòðóêòóðû Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2006, ¹ 5 19 ÒÅÕÍÈÊÀ È ÒÅÕÍÎËÎÃÈÈ ÑÂ× Ñîñòàâû ïðîÿâèòåëåé äëÿ âåðõíåãî è íèæíåãî ñëî- åâ îäèíàêîâû, è, ñëåäîâàòåëüíî, èõ ñåëåêòèâíîå ïðî- ÿâëåíèå âîçìîæíî òîëüêî ïðè íàëè÷èè ðàçäåëèòåëü- íîãî ñëîÿ (ïëåíêè Ag).  èñïîëüçîâàííîé íàìè òðåõñëîéíîé ñèñòåìå âàðü- èðîâàíèå ïðîôèëåì çàòâîðà âîçìîæíî çà ñ÷åò: � èçìåíåíèÿ òîëùèí ðåçèñòà è ðàçäåëèòåëüíîãî ìåòàëëè÷åñêîãî ñëîÿ; � óïðàâëÿåìîãî èçìåíåíèÿ ÷óâñòâèòåëüíîñòè âåðõ- íåãî è íèæíåãî ñëîåâ; � òî÷íîãî óïðàâëåíèÿ äîçîé ýëåêòðîííî-ëó÷åâî- ãî ýêñïîíèðîâàíèÿ. Îñíîâíûì ôàêòîðîì, îãðàíè÷èâàþùèì ðàçðåøà- þùóþ ñïîñîáíîñòü, ÿâëÿåòñÿ îáðàòíîå ðàññåÿíèå ýëåêòðîíîâ îò ïîäëîæêè, òàê íàçûâàåìûé ýôôåêò áëèçîñòè.  ñëó÷àå ôîðìèðîâàíèÿ îäèíî÷íûõ òîïî- ëîãè÷åñêèõ ñòðóêòóð ðàçìåðîì 0,3�0,5 ìêì â îäíî- ñëîéíîì ðåçèñòå òîëùèíîé 0,5 ìêì â ðåçóëüòàòå ýô- ôåêòà áëèçîñòè óøèðåíèå ëèíèé ñîñòàâëÿåò 0,2 ìêì. Íà ðèñ. 2 ïðåäñòàâëåíû ïðîôèëè ïðîÿâëåííîãî èçîá- ðàæåíèÿ â ïëåíêå ÏÌÌÀ â çàâèñèìîñòè îò âðåìåíè ïðîÿâëåíèÿ. Òàêîé ïðîôèëü ðåçèñòèâíîé ìàñêè ïî- çâîëÿåò ôîðìèðîâàòü áëèçêèé ê ïðÿìîóãîëüíîìó ïðîôèëü ìåòàëëèçàöèè òîëùèíîé äî 0,5 ìêì. Ïîñëåäîâàòåëüíîñòü òåõíîëîãè÷åñêèõ îïåðàöèé ïðè ôîðìèðîâàíèè Ò-îáðàçíîãî çàòâîðà ïîêàçàíà íà ðèñ. 3. Çäåñü à � èñõîäíàÿ ïëàñòèíà ïîñëå ôîðìè- ðîâàíèÿ îìè÷åñêèõ êîíòàêòîâ; á � íàíåñåíèå íèæ- íåãî ñëîÿ ýëåêòðîííîãî ðåçèñòà (1), ðàçäåëèòåëüíîãî ñëîÿ (2) ìåòàëëà (Ag) è âåðõíåãî ñëîÿ ýëåêòðîííîãî ðåçèñòà (3); â � ýëåêòðîííî-ëó÷åâîå ýêñïîíèðîâà- íèå; ã � ïðîÿâëåíèå âåðõíåãî ñëîÿ ýëåêòðîííîãî ðå- çèñòà; ä � òðàâëåíèå ðàçäåëèòåëüíîãî ñëîÿ ñåðåáðà; å � ïðîÿâëåíèå íèæíåãî ñëîÿ ýëåêòðîííîãî ðåçèñòà; æ � òðàâëåíèå ïëåíêè SiO2 è âåðõíåãî ñëîÿ n+- GaAs; ç � íàïûëåíèå áàðüåðíîãî êîíòàêòà; è � óäà- ëåíèå ñëîåâ ðåçèñòà è ñåðåáðà (�âçðûâíàÿ� ëèòîãðàôèÿ). Íàíåñåíèå ñëîåâ ýëåêòðîííîãî ðåçèñòà îñóùåñòâ- ëÿëîñü ìåòîäîì öåíòðèôóãèðîâàíèÿ, à ñëîÿ ñåðåáðà � íàïûëåíèåì â âàêóóìå. Ñëåäóåò îòìåòèòü, ÷òî ðå- æèì ñóøêè ðåçèñòà ñóùåñòâåííî âëèÿåò íà åãî ÷óâ- ñòâèòåëüíîñòü. Ïîýòîìó ê ñòàáèëüíîñòè òåìïåðàòóðû â ïðîöåññå ñóøêè ïðåäúÿâëÿþòñÿ äîñòàòî÷íî æåñò- êèå òðåáîâàíèÿ. Ýëåêòðîííî-ëó÷åâîå ýêñïîíèðîâàíèå îñóùåñòâëÿ- ëîñü íà óñòàíîâêå ZBA-21. Äîçà ýêñïîíèðîâàíèÿ ñî- ñòàâëÿëà (1�2)·10�5 êóë/ñì2. Ýêñïîíèðîâàíèå áàçè- ðóåòñÿ íà ïðèíöèïå òî÷å÷íîãî ëó÷à, ò. å. êîîðäèíàòû òî÷åê òîïîëîãèè, çàïèñàííûå â ïàìÿòè âû÷èñëèòåëü- íîé ìàøèíû, ïåðåíîñÿòñÿ íà ýëåêòðîííûé ðåçèñò ïó- òåì ýêñïîíèðîâàíèÿ ïî òî÷êàì. Äîçà îáëó÷åíèÿ ðå- çèñòà îïðåäåëÿåòñÿ ýêñïåðèìåíòàëüíûì ïóòåì. Ñîâìåùåíèå îñóùåñòâëÿåòñÿ ïî ìàðêåðíûì çíà- êàì, ðàñïîëîæåííûì ïî óãëàì ðàáî÷èõ ïîëåé è æåñò- êî ñâÿçàííûì ñ òîïîëîãèåé òðàíçèñòîðà. Ïî ñåòêå ìàðêåðíûõ çíàêîâ ïðîâîäèòñÿ þñòèðîâêà äëÿ óñòà- íîâëåíèÿ ñîîñíîñòè ïîëÿ ìàðêåðíèõ çíàêîâ ñ êîîð- äèíàòíûì ñòîëèêîì. Ïîñëå ñîâìåùåíèÿ ïðîâîäèòñÿ à) á) â) ã) ä) å) æ) ç) è) 3 2 1 Ýëåêòðîííûé ïó÷îê ∅0,3 ìêì Au Ti Ðèñ. 3. Ïîñëåäîâàòåëüíîñòü òåõíîëîãè÷åñêèõ îïåðàöèé ïðè ôîðìèðîâàíèè Ò-îáðàçíîãî çàòâîðà Òî ëù èí à ýë åê òð îí íî ãî ðå çè ñò à, ì êì 0 0,5 1,0 Ýëåêòðîííûé ëó÷ 0,4 0,2 0 0,2 0,4 1 2 3 4 Ðèñ. 2. Ïðîôèëè ïðîÿâëåííîãî èçîáðàæåíèÿ â ïëåíêå ÝËÏ-9 â çàâèñèìîñòè îò âðåìåíè ïðîÿâëåíèÿ: 1 � 1 ìèí; 2 � 2 ìèí; 3 � 3 ìèí; 4 � 4 ìèí Ðàçìåð ïðîÿâëåííîãî ïðîôèëÿ, ìêì 20 ÒÅÕÍÈÊÀ È ÒÅÕÍÎËÎÃÈÈ ÑÂ× Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2006, ¹ 5 ýêñïîíèðîâàíèå, ïî îêîí÷àíèè êîòîðîãî âû÷èñëèòåëü- íàÿ ìàøèíà äàåò êîìàíäó íà ïåðåìåùåíèå íà ñëåäó- þùåå ðàáî÷åå ïîëå. Ïðîÿâëåíèå ñêðûòîãî èçîáðàæåíèÿ â ýëåêòðîí- íîì ðåçèñòå ïðîâîäèëîñü â ñìåñè èçîïðîïèëîâîãî ñïèðòà ñ ìåòèëýòèëêåòîíîì â ñîîòíîøåíèè 3:1 ïðè êîìíàòíîé òåìïåðàòóðå. Äëÿ òðàâëåíèÿ ðàçäåëèòåëü- íîãî ñëîÿ ñåðåáðà èñïîëüçîâàëàñü ñìåñü 10%-íûõ ðàñòâîðîâ êàëèÿ æåëåçîñèíåðîäèñòîãî è òèîñóëüôà- òà íàòðèÿ â ñîîòíîøåíèè 1:1. Äëÿ óâåëè÷åíèÿ ñìà÷èâàåìîñòè SiÎ2 áóôåðíûì òðàâèòåëåì ïîñëå ïðîÿâëåíèÿ çàäàííîãî ðèñóíêà ïëà- ñòèíà ïîäâåðãàëàñü äîïîëíèòåëüíîé òåðìè÷åñêîé îá- ðàáîòêå ïðè òåìïåðàòóðå 95°Ñ â òå÷åíèå 3 ìèí. Âðå- ìÿ òðàâëåíèÿ SiÎ2 îïðåäåëÿëîñü íà îñíîâå ïðåäâàðè- òåëüíîãî îïðåäåëåíèÿ ñêîðîñòè òðàâëåíèÿ äâóîêèñè êðåìíèÿ è íàçíà÷àëîñü íà 25�30 ñåêóíä äîëüøå, ÷òî- áû îáåñïå÷èòü áîêîâîå ïîäòðàâëèâàíèå SiÎ2 â ïðî- ÿâëåííîì çàçîðå. Ïðè ýòîì âåëè÷èíà ïîäòðàâà íà 0,5� 0,7 ìêì ïðåâûøàëà ðàçìåð îêíà â ðåçèñòå. Ýòî îáåñ- ïå÷èâàåò ñàìîñîâìåùåíèå çàòâîðà îòíîñèòåëüíî îá- ëàñòåé ñòîêà è èñòîêà ïðè äàëüíåéøåì íàïûëåíèè ìå- òàëëèçàöèè. Ïîñëå òðàâëåíèÿ SiÎ2 ïðîèçâîäèëîñü âûòðàâëè- âàíèå â ðàñêðûòîì â SiÎ2 îêíå íåêîòîðîé ÷àñòè n+- ñëîÿ àðñåíèäà ãàëëèÿ ñ ïîìîùüþ òðàâèòåëÿ íà îñíî- âå àììèàêà è ïåðåêèñè âîäîðîäà. Âðåìÿ òðàâëåíèÿ è ãëóáèíà âûòðàâëåííîé â GaAs êàíàâêè êîððåêòèðî- âàëèñü ïî âåëè÷èíå òîêà ìåæäó êîíòàêòàìè ñòîêà è èñòîêà. Ïðè äîñòèæåíèè çàäàííîé äëÿ äàííîãî òèïà òðàíçèñòîðîâ âåëè÷èíû òîêà òðàâëåíèå GaAs ïðåêðà- ùàëîñü è ïðîèçâîäèëîñü íàïûëåíèå ìåòàëëèçàöèè çàòâîðà (ïëåíîê òèòàíà òîëùèíîé 800�900 Å è çîëî- òà � 1,0 ìêì). Çàòåì ïðîâîäèëñÿ ïðîöåññ �âçðûâ- íîé� ëèòîãðàôèè, â ðåçóëüòàòå êîòîðîãî ôîðìèðóåòñÿ Ò-îáðàçíûé çàòâîð. Íà ðèñ.4�7 ïðèâåäåíû ïîëó÷åííûå ìåòîäîì àòîìíîé ñèëîâîé ìèêðîñêîïèè ìèêðîôîòîãðàôèè ðà- áî÷èõ îáðàçöîâ ïðè ïîýòàïíîì ôîðìèðîâàíèè Ò-îá- ðàçíîãî êîíòàêòà. Èññëåäîâàíèÿ ïîêàçàëè, ÷òî âûñî- òà çàòâîðîâ ýêñïåðèìåíòàëüíûõ îáðàçöîâ òðàíçèñòî- ðîâ ñîñòàâëÿåò ≈1,1 ìêì, äëèíà íèæíåé ÷àñòè � 0,15�0,2 ìêì è âåðõíåé ÷àñòè � 0,8 ìêì. Òàêèì îáðàçîì, ïðîâåäåííûå èññëåäîâàíèÿ ïîêà- çàëè âîçìîæíîñòü ôîðìèðîâàíèÿ Ò-îáðàçíûõ çàòâî- ðîâ ñ ïîìîùüþ îäíîêðàòíîãî ýëåêòðîííî-ëó÷åâîãî ýêñïîíèðîâàíèÿ òðåõñëîéíîé ñèñòåìû, ñîñòîÿùåé èç äâóõ ñëîåâ ýëåêòðîííîãî ðåçèñòà, ðàçäåëåííûõ òîí- êèì ñëîåì ìåòàëà. Ïîëó÷åíû ýêñïåðèìåíòàëüíûå îáðàçöû òðàíçèñòî- ðîâ ñ Ò-îáðàçíûì çàòâîðîì âûñîòîé 1,1 ìêì, äëè- íîé 0,15�0,2 ìêì â íèæíåé ÷àñòè è 0,8�1,0 ìêì â âåðõíåé ÷àñòè. ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ 1. Yamashita Y., Endoh A., Shinohara K. et al. Pseudomorphic In0,52Al0,48As/In0,7Ga0,3As HEMTs with an ultrahigh fT of 562 GHz // IEEE Electron Device Lett.� 2002.� Vol. 23.� P. 573�575. 2. S. Noor Mohammad, Hadis Morkoç. MODFETs: operation, status and applications // University of Illinois, Materials Research Laboratory and Coordinated Science Laboratory.� http:// www.engineering.vcu.edu/fac/Morkoc/learning/modfet_review.pdf. 3. Lee J. H., Yoon H. S., Park C. S. Ultra low noise characteristics of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with wide head T- shaped gate // IEEE Electron Device Lett.� 1995.� Vol. 16, N 6.� P. 271�273. 4. Lee J. H., Yoon H. S., Park B. S. et al. Pseudomorphic AlGaAs/ InGaAs/GaAs high electron mobility transistors with super low noise performances of 0,41 dB at 18 GHz // ETRI J.� 1996.� Vol. 18, N 3.� P. 171�179. 5. Lee J. H., Yoon H. S., Shim J. Y., Kim H. Device characteristics of AlGaAs/InGaAs HEMTs fabricated by inductively coupled plasma etching // Thin Solid Films.� 2003.� Vol. 435.� P. 139�144. 6. Lee J. H., Yoon H. S., Park B. S. et al. Pseudomorphic AlGaAs/ InGaAs /GaAs high electron mobility transistors with super low noise performances of 0,41 dB at 18 GHz // ETRI Journal.� 1996.� Vol. 18, N 3.� P. 171�179. 7. Ñíåãèðåâ Â. Ï., Çåìëÿêîâ Â. Å., Êðàñíèê Â. À.,Òåìíîâ À. Ì. Ïðèìåíåíèå ïëàçìåííûõ ïðîöåññîâ â òåõíîëîãèè ÑÂ×-òðàíçèñ- òîðîâ / http://files.isuct.ru/istapc2005/proc/6-14.pdf. 8. Grundbacher R., Adesida I., Kao Y.-C., Ketterson A. A. Single step lithography for double-recessed gate pseudomorphic high electron mobility transistors // J. Vac. Sci. Technol. B.� 1997.� Vol. 15, N 1.� P. 49�52. 1000 2000 3000 4000 0 500 1000 íì íì Ðèñ. 4. Ïðîôèëü îìè÷åñêèõ êîíòàêòîâ èñòîêà è ñòîêà òðàíçèñòîðà 0 1000 2000 3000 4000 500 1000 íì íì Ðèñ. 5. Äâóõñëîéíûé ðåçèñò ïîñëå ýëåêòðîííîãî ýêñïîíèðîâàíèÿ è ïðîÿâëåíèÿ 1000 2000 3000 4000 0 500 1000 íì íì Ðèñ. 6. Ïðîôèëü ìåòàëëèçàöèè íèæíåé ÷àñòè çàòâîðà 1000 2000 3000 4000 0 500 1000 íì íì Ðèñ. 7. Ïðîôèëü ìåòàëëèçàöèè çàòâîðà (hìåò=1,2 ìêì)

Similar Items