Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах
Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8-1,0 мкм.
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2006 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53252 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах / В.И. Босый, Ф.И. Коржинский, Е.М. Семашко, И.В. Середа, Л.Д. Середа, В.В. Ткаченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 18-20. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862568514895740928 |
|---|---|
| author | Босый, В.И. Коржинский, Ф.И. Семашко, Е.М. Середа, И.В. Середа, Л.Д. Ткаченко, В.В. |
| author_facet | Босый, В.И. Коржинский, Ф.И. Семашко, Е.М. Середа, И.В. Середа, Л.Д. Ткаченко, В.В. |
| citation_txt | Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах / В.И. Босый, Ф.И. Коржинский, Е.М. Семашко, И.В. Середа, Л.Д. Середа, В.В. Ткаченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 18-20. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8-1,0 мкм.
|
| first_indexed | 2025-11-26T01:11:11Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53252 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T01:11:11Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Босый, В.И. Коржинский, Ф.И. Семашко, Е.М. Середа, И.В. Середа, Л.Д. Ткаченко, В.В. 2014-01-18T20:32:38Z 2014-01-18T20:32:38Z 2006 Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах / В.И. Босый, Ф.И. Коржинский, Е.М. Семашко, И.В. Середа, Л.Д. Середа, В.В. Ткаченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 18-20. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53252 Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8-1,0 мкм. Статья подготовлена в рамках украинской Государственной программы развития техники и технологий сверхвысоких частот на 2005-2009 годы. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Техника и технологии СВЧ Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах Створення Т-образного затвора у малошумлячих польових НВЧ-транзисторах The creation of T-shaped gate for low noise field effect UHF transistors Article published earlier |
| spellingShingle | Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах Босый, В.И. Коржинский, Ф.И. Семашко, Е.М. Середа, И.В. Середа, Л.Д. Ткаченко, В.В. Техника и технологии СВЧ |
| title | Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах |
| title_alt | Створення Т-образного затвора у малошумлячих польових НВЧ-транзисторах The creation of T-shaped gate for low noise field effect UHF transistors |
| title_full | Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах |
| title_fullStr | Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах |
| title_full_unstemmed | Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах |
| title_short | Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах |
| title_sort | создание т-образного затвора в малошумящих полевых свч-транзисторах |
| topic | Техника и технологии СВЧ |
| topic_facet | Техника и технологии СВЧ |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53252 |
| work_keys_str_mv | AT bosyivi sozdanietobraznogozatvoravmalošumâŝihpolevyhsvčtranzistorah AT koržinskiifi sozdanietobraznogozatvoravmalošumâŝihpolevyhsvčtranzistorah AT semaškoem sozdanietobraznogozatvoravmalošumâŝihpolevyhsvčtranzistorah AT seredaiv sozdanietobraznogozatvoravmalošumâŝihpolevyhsvčtranzistorah AT seredald sozdanietobraznogozatvoravmalošumâŝihpolevyhsvčtranzistorah AT tkačenkovv sozdanietobraznogozatvoravmalošumâŝihpolevyhsvčtranzistorah AT bosyivi stvorennâtobraznogozatvoraumalošumlâčihpolʹovihnvčtranzistorah AT koržinskiifi stvorennâtobraznogozatvoraumalošumlâčihpolʹovihnvčtranzistorah AT semaškoem stvorennâtobraznogozatvoraumalošumlâčihpolʹovihnvčtranzistorah AT seredaiv stvorennâtobraznogozatvoraumalošumlâčihpolʹovihnvčtranzistorah AT seredald stvorennâtobraznogozatvoraumalošumlâčihpolʹovihnvčtranzistorah AT tkačenkovv stvorennâtobraznogozatvoraumalošumlâčihpolʹovihnvčtranzistorah AT bosyivi thecreationoftshapedgateforlownoisefieldeffectuhftransistors AT koržinskiifi thecreationoftshapedgateforlownoisefieldeffectuhftransistors AT semaškoem thecreationoftshapedgateforlownoisefieldeffectuhftransistors AT seredaiv thecreationoftshapedgateforlownoisefieldeffectuhftransistors AT seredald thecreationoftshapedgateforlownoisefieldeffectuhftransistors AT tkačenkovv thecreationoftshapedgateforlownoisefieldeffectuhftransistors |