Помехоподавляющие магнитопроводы из микропровода в стеклянной изоляции
Рассмотрена теоретическая модель и результаты экспериментальных исследований характеристик помехоподавляющих кольцевых магнитных сердечников на основе литого магнитного микропровода в стеклянной изоляции....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | Колпакович, Ю.И., Бадинтер, Е.Я., Бугаков, В.И., Ларин В.С. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53274 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Помехоподавляющие магнитопроводы из микропровода в стеклянной изоляции / Ю.И. Колпакович, Е.Я. Бадинтер, В.И. Бугаков, В.С. Ларин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 55-58. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Помехоподавляющие магнитопроводы из микропровода в стеклянной изоляции
von: Colpacovich, Yu. I., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Colpacovich, Yu. I., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2009)
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2009)
Методы минимизации энергопотребления при проектировании КМОП БИС
von: Белоус, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Белоус, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
von: Блецкан, Д.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Блецкан, Д.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Басанец, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Басанец, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Повышение зонной избирательности электромагнитных кристаллов
von: Назарько, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Назарько, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Особенности проектирования внутренних цепей питания микромощных БИС на основе элементов инжекционной логики
von: Белоус, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Белоус, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Особенности проектирования высокочастотных КМОП ИC для генераторов с кварцевой стабилизацией частоты
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Солодуха, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Солодуха, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
von: Кудрик, Я.Я.
Veröffentlicht: (2009)
von: Кудрик, Я.Я.
Veröffentlicht: (2009)
Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
von: Велещук, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Велещук, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
von: Ижнин, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ижнин, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры
von: Обухов, И.А.
Veröffentlicht: (2007)
von: Обухов, И.А.
Veröffentlicht: (2007)
Микрополосковые электромагнитные кристаллы с низкоимпедансными неоднородностями
von: Назарько, А.И.
Veröffentlicht: (2012)
von: Назарько, А.И.
Veröffentlicht: (2012)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Роль пластической деформации в получении нанокремния
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Симметричный двухкоординатный фотодиод
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Оптический аттенюатор
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Интегральные схемы самосканируемых линейных фотоприемников в интроскопии и томографии
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
von: Павлюк, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Павлюк, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
von: Леонов, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Леонов, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
von: Дементьев, С.Г., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Дементьев, С.Г., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2009)
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
von: Бутенко, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Бутенко, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Ähnliche Einträge
-
Помехоподавляющие магнитопроводы из микропровода в стеклянной изоляции
von: Colpacovich, Yu. I., et al.
Veröffentlicht: (2006) -
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2009) -
Методы минимизации энергопотребления при проектировании КМОП БИС
von: Белоус, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
von: Блецкан, Д.И., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Басанец, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)