Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
Вольт-амперные характеристики с неявно выраженным насыщением тока стока обусловлены постепенной частичной рекомбинацией носителей у истоковой части канала.
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53275 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 58-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862629483611160576 |
|---|---|
| author | Ёдгорова, Д.М. |
| author_facet | Ёдгорова, Д.М. |
| citation_txt | Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 58-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Вольт-амперные характеристики с неявно выраженным насыщением тока стока обусловлены постепенной частичной рекомбинацией носителей у истоковой части канала.
|
| first_indexed | 2025-11-30T09:55:29Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53275 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T09:55:29Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ёдгорова, Д.М. 2014-01-18T21:53:43Z 2014-01-18T21:53:43Z 2006 Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 58-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53275 Вольт-амперные характеристики с неявно выраженным насыщением тока стока обусловлены постепенной частичной рекомбинацией носителей у истоковой части канала. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом Механізм насичення струму стоку польового транзистора з р–n-переходом Mechanism of drain current's saturation in the field transistor with p-n-junction Article published earlier |
| spellingShingle | Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом Ёдгорова, Д.М. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом |
| title_alt | Механізм насичення струму стоку польового транзистора з р–n-переходом Mechanism of drain current's saturation in the field transistor with p-n-junction |
| title_full | Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом |
| title_fullStr | Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом |
| title_full_unstemmed | Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом |
| title_short | Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом |
| title_sort | механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53275 |
| work_keys_str_mv | AT edgorovadm mehanizmnasyŝeniâtokastokapolevogotranzistorasrnperehodom AT edgorovadm mehanízmnasičennâstrumustokupolʹovogotranzistorazrnperehodom AT edgorovadm mechanismofdraincurrentssaturationinthefieldtransistorwithpnjunction |