Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом

Вольт-амперные характеристики с неявно выраженным насыщением тока стока обусловлены постепенной частичной рекомбинацией носителей у истоковой части канала.

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2006
Main Author: Ёдгорова, Д.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53275
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 58-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53275
record_format dspace
spelling Ёдгорова, Д.М.
2014-01-18T21:53:43Z
2014-01-18T21:53:43Z
2006
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 58-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53275
Вольт-амперные характеристики с неявно выраженным насыщением тока стока обусловлены постепенной частичной рекомбинацией носителей у истоковой части канала.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
Механізм насичення струму стоку польового транзистора з р–n-переходом
Mechanism of drain current's saturation in the field transistor with p-n-junction
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
spellingShingle Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
Ёдгорова, Д.М.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title_short Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
title_full Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
title_fullStr Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
title_full_unstemmed Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
title_sort механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
author Ёдгорова, Д.М.
author_facet Ёдгорова, Д.М.
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
publishDate 2006
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Механізм насичення струму стоку польового транзистора з р–n-переходом
Mechanism of drain current's saturation in the field transistor with p-n-junction
description Вольт-амперные характеристики с неявно выраженным насыщением тока стока обусловлены постепенной частичной рекомбинацией носителей у истоковой части канала.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53275
citation_txt Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 58-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT edgorovadm mehanizmnasyŝeniâtokastokapolevogotranzistorasrnperehodom
AT edgorovadm mehanízmnasičennâstrumustokupolʹovogotranzistorazrnperehodom
AT edgorovadm mechanismofdraincurrentssaturationinthefieldtransistorwithpnjunction
first_indexed 2025-11-30T09:55:29Z
last_indexed 2025-11-30T09:55:29Z
_version_ 1850857241561792512