Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
Вольт-амперные характеристики с неявно выраженным насыщением тока стока обусловлены постепенной частичной рекомбинацией носителей у истоковой части канала.
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| 1. Verfasser: | Ёдгорова, Д.М. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53275 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 58-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006) -
Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Модель алмазного транзистора
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
von: Леонов, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2006) -
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)