Ковтун, Г., & Щербань, А. (2006). Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Ковтун, Г.П, та А.П Щербань. "Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2006.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Ковтун, Г.П, та А.П Щербань. "Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.