Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
Рассмотрены современные достижения в создании ростового оборудования для производства ПИ-GaAs методом ЖГЧ. Приведены сравнительные характеристики и анализ установок нового и предшествующего поколений....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53387 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862625014900064256 |
|---|---|
| author | Ковтун, Г.П. Щербань, А.П. |
| author_facet | Ковтун, Г.П. Щербань, А.П. |
| citation_txt | Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Рассмотрены современные достижения в создании ростового оборудования для производства ПИ-GaAs методом ЖГЧ. Приведены сравнительные характеристики и анализ установок нового и предшествующего поколений.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:33:51Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53387 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:33:51Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ковтун, Г.П. Щербань, А.П. 2014-01-19T22:01:17Z 2014-01-19T22:01:17Z 2006 Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53387 Рассмотрены современные достижения в создании ростового оборудования для производства ПИ-GaAs методом ЖГЧ. Приведены сравнительные характеристики и анализ установок нового и предшествующего поколений. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Техническая политика Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского Обладнання для вирощування в виробництві напівізолюючого GaAs за методом Чохральського The equipment for production SI-GaAs by LEC method Article published earlier |
| spellingShingle | Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского Ковтун, Г.П. Щербань, А.П. Техническая политика |
| title | Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского |
| title_alt | Обладнання для вирощування в виробництві напівізолюючого GaAs за методом Чохральського The equipment for production SI-GaAs by LEC method |
| title_full | Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского |
| title_fullStr | Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского |
| title_full_unstemmed | Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского |
| title_short | Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского |
| title_sort | ростовое оборудование для производства полуизолирующего gaas методом чохральского |
| topic | Техническая политика |
| topic_facet | Техническая политика |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53387 |
| work_keys_str_mv | AT kovtungp rostovoeoborudovaniedlâproizvodstvapoluizoliruûŝegogaasmetodomčohralʹskogo AT ŝerbanʹap rostovoeoborudovaniedlâproizvodstvapoluizoliruûŝegogaasmetodomčohralʹskogo AT kovtungp obladnannâdlâviroŝuvannâvvirobnictvínapívízolûûčogogaaszametodomčohralʹsʹkogo AT ŝerbanʹap obladnannâdlâviroŝuvannâvvirobnictvínapívízolûûčogogaaszametodomčohralʹsʹkogo AT kovtungp theequipmentforproductionsigaasbylecmethod AT ŝerbanʹap theequipmentforproductionsigaasbylecmethod |