Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2006
• Hauptverfasser: Ковтун, Г.П., Щербань, А.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
• Schlagworte: Техническая политика
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53387
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Рассмотрены современные достижения в создании ростового оборудования для производства ПИ-GaAs методом ЖГЧ. Приведены сравнительные характеристики и анализ установок нового и предшествующего поколений....