Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе

Предложены способы изготовления полупроводникового переключателя, ячейки памяти и диодной матрицы с идентичными параметрами (по Unp) на основе Al-SiO₂-Si-М-структуры.

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2006
Main Author: Джафарова, Э.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53397
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе / Э.А. Джафарова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862583199599689728
author Джафарова, Э.А.
author_facet Джафарова, Э.А.
citation_txt Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе / Э.А. Джафарова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Предложены способы изготовления полупроводникового переключателя, ячейки памяти и диодной матрицы с идентичными параметрами (по Unp) на основе Al-SiO₂-Si-М-структуры.
first_indexed 2025-11-27T00:07:29Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53397
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-11-27T00:07:29Z
publishDate 2006
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Джафарова, Э.А.
2014-01-19T22:24:21Z
2014-01-19T22:24:21Z
2006
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе / Э.А. Джафарова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53397
Предложены способы изготовления полупроводникового переключателя, ячейки памяти и диодной матрицы с идентичными параметрами (по Unp) на основе Al-SiO₂-Si-М-структуры.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
Нестаціонарні електронні процеси у бар'єрних структурах та прилади на їх основі
Non-stationary electronic processes in barrier structures and devices on their basis
Article
published earlier
spellingShingle Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
Джафарова, Э.А.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
title_alt Нестаціонарні електронні процеси у бар'єрних структурах та прилади на їх основі
Non-stationary electronic processes in barrier structures and devices on their basis
title_full Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
title_fullStr Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
title_full_unstemmed Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
title_short Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
title_sort нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53397
work_keys_str_mv AT džafarovaéa nestacionarnyeélektronnyeprocessyvbarʹernyhstrukturahipriborynaihosnove
AT džafarovaéa nestacíonarníelektronníprocesiubarêrnihstrukturahtapriladinaíhosnoví
AT džafarovaéa nonstationaryelectronicprocessesinbarrierstructuresanddevicesontheirbasis