Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2006
• Main Author: Джафарова, Э.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
• Subjects: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53397
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе / Э.А. Джафарова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Предложены способы изготовления полупроводникового переключателя, ячейки памяти и диодной матрицы с идентичными параметрами (по Unp) на основе Al-SiO₂-Si-М-структуры.