Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2005
• Hauptverfasser: Дружинин, А.А., Островский, И.П., Матвиенко, С.М., Когут, Ю.Р.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
• Schlagworte: Сенсоэлектроника. Датчики
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53520
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge / А.А. Дружинин, И.П. Островский, С.М. Матвиенко, Ю.Р. Когут // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 1. — С. 26-27. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

На основе сильнолегированных нитевидных кристаллов Si-Ge создан датчик для измерения криогенных температур, работоспособный в условиях магнитных полей.