Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
Показана возможность изготовления качественного фототранзистора n-p-n-типа на основе формирования двойной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел".
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2005 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53524 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел" / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 1. — С. 38-40. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862728896067141632 |
|---|---|
| author | Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Сидор, О.Н. |
| author_facet | Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Сидор, О.Н. |
| citation_txt | Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел" / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 1. — С. 38-40. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Показана возможность изготовления качественного фототранзистора n-p-n-типа на основе формирования двойной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел".
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:11:44Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53524 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:11:44Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Сидор, О.Н. 2014-01-21T20:19:44Z 2014-01-21T20:19:44Z 2005 Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел" / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 1. — С. 38-40. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53524 Показана возможность изготовления качественного фототранзистора n-p-n-типа на основе формирования двойной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел". ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел" Дослідження фотоелектричних властивостей симетричної гетероструктури "окисень-InSe-окисень” Investigations of the photoelectrical properties of symmetrical oxide-InSe-oxide heterojunctions Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел" Ковалюк, З.Д. Катеринчук, В.Н. Сидор, О.Н. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел" |
| title_alt | Дослідження фотоелектричних властивостей симетричної гетероструктури "окисень-InSe-окисень” Investigations of the photoelectrical properties of symmetrical oxide-InSe-oxide heterojunctions |
| title_full | Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел" |
| title_fullStr | Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел" |
| title_full_unstemmed | Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел" |
| title_short | Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел" |
| title_sort | исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-inse-окисел" |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53524 |
| work_keys_str_mv | AT kovalûkzd issledovaniefotoélektričeskihsvoistvsimmetričnoigeterostrukturyokiselinseokisel AT katerinčukvn issledovaniefotoélektričeskihsvoistvsimmetričnoigeterostrukturyokiselinseokisel AT sidoron issledovaniefotoélektričeskihsvoistvsimmetričnoigeterostrukturyokiselinseokisel AT kovalûkzd doslídžennâfotoelektričnihvlastivosteisimetričnoígeterostrukturiokisenʹinseokisenʹ AT katerinčukvn doslídžennâfotoelektričnihvlastivosteisimetričnoígeterostrukturiokisenʹinseokisenʹ AT sidoron doslídžennâfotoelektričnihvlastivosteisimetričnoígeterostrukturiokisenʹinseokisenʹ AT kovalûkzd investigationsofthephotoelectricalpropertiesofsymmetricaloxideinseoxideheterojunctions AT katerinčukvn investigationsofthephotoelectricalpropertiesofsymmetricaloxideinseoxideheterojunctions AT sidoron investigationsofthephotoelectricalpropertiesofsymmetricaloxideinseoxideheterojunctions |