Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"

Показана возможность изготовления качественного фототранзистора n-p-n-типа на основе формирования двойной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел".

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2005
Автори: Ковалюк, З.Д., Катеринчук, В.Н., Сидор, О.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53524
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел" / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 1. — С. 38-40. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53524
record_format dspace
spelling Ковалюк, З.Д.
Катеринчук, В.Н.
Сидор, О.Н.
2014-01-21T20:19:44Z
2014-01-21T20:19:44Z
2005
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел" / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 1. — С. 38-40. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53524
Показана возможность изготовления качественного фототранзистора n-p-n-типа на основе формирования двойной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел".
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
Дослідження фотоелектричних властивостей симетричної гетероструктури "окисень-InSe-окисень”
Investigations of the photoelectrical properties of symmetrical oxide-InSe-oxide heterojunctions
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
spellingShingle Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
Ковалюк, З.Д.
Катеринчук, В.Н.
Сидор, О.Н.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title_short Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
title_full Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
title_fullStr Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
title_full_unstemmed Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
title_sort исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-inse-окисел"
author Ковалюк, З.Д.
Катеринчук, В.Н.
Сидор, О.Н.
author_facet Ковалюк, З.Д.
Катеринчук, В.Н.
Сидор, О.Н.
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
publishDate 2005
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Дослідження фотоелектричних властивостей симетричної гетероструктури "окисень-InSe-окисень”
Investigations of the photoelectrical properties of symmetrical oxide-InSe-oxide heterojunctions
description Показана возможность изготовления качественного фототранзистора n-p-n-типа на основе формирования двойной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел".
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53524
citation_txt Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел" / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 1. — С. 38-40. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kovalûkzd issledovaniefotoélektričeskihsvoistvsimmetričnoigeterostrukturyokiselinseokisel
AT katerinčukvn issledovaniefotoélektričeskihsvoistvsimmetričnoigeterostrukturyokiselinseokisel
AT sidoron issledovaniefotoélektričeskihsvoistvsimmetričnoigeterostrukturyokiselinseokisel
AT kovalûkzd doslídžennâfotoelektričnihvlastivosteisimetričnoígeterostrukturiokisenʹinseokisenʹ
AT katerinčukvn doslídžennâfotoelektričnihvlastivosteisimetričnoígeterostrukturiokisenʹinseokisenʹ
AT sidoron doslídžennâfotoelektričnihvlastivosteisimetričnoígeterostrukturiokisenʹinseokisenʹ
AT kovalûkzd investigationsofthephotoelectricalpropertiesofsymmetricaloxideinseoxideheterojunctions
AT katerinčukvn investigationsofthephotoelectricalpropertiesofsymmetricaloxideinseoxideheterojunctions
AT sidoron investigationsofthephotoelectricalpropertiesofsymmetricaloxideinseoxideheterojunctions
first_indexed 2025-12-07T19:11:44Z
last_indexed 2025-12-07T19:11:44Z
_version_ 1850877887791497216