Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел" - Ковалюк, З.Д.; Катеринчук, В.Н.; Сидор, О.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
Показана возможность изготовления качественного фототранзистора n-p-n-типа на основе формирования двойной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел".