Cover Image

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"

Показана возможность изготовления качественного фототранзистора n-p-n-типа на основе формирования двойной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел".

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:	2005
Main Authors:	Ковалюк, З.Д., Катеринчук, В.Н., Сидор, О.Н.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Subjects:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53524
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел" / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 1. — С. 38-40. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2005)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
by: Сидор, О.Н., et al.
Published: (2012)

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2007)

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007)

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
by: Катеринчук, В.Н., et al.
Published: (2007)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)

Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2008)

Исследование пленок поликристаллического кремния для применения в фильтровых спектральных приборах
by: Джавадов, Н.Г.
Published: (2005)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2012)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
by: Краснов, В.А., et al.
Published: (2008)

Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p-n-m-структурах
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2006)

Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
by: Кушниренко, В.В., et al.
Published: (2005)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
by: Новицкий, С.В.
Published: (2012)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2013)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
by: Басанец, В.В., et al.
Published: (2015)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2004)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2009)

Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками
by: Максименко, Л.С., et al.
Published: (2013)

Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
by: Леонов, Н.И., et al.
Published: (2006)

Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
by: Кабаций, В.Н.
Published: (2009)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
by: Войцеховский, А.В., et al.
Published: (2005)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2009)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2006)

Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2009)

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
by: Бобренко, Ю.Н., et al.
Published: (2012)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005)

Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2011)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
by: Бобренко, Ю.Н., et al.
Published: (2009)

Модель алмазного транзистора
by: Алтухов, А.А., et al.
Published: (2011)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
by: Глауберман, М.А., et al.
Published: (2013)

Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
by: Дементьев, С.Г., et al.
Published: (2010)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2008)

Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2009)

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
by: Ижнин, И.И., et al.
Published: (2005)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
by: Форш, П.А., et al.
Published: (2009)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
by: Алтухов, А.А., et al.
Published: (2007)

Оптический аттенюатор
by: Докторович, И.В., et al.
Published: (2005)

Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
by: Бутенко, В.К., et al.
Published: (2007)

Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
by: Байдуллаева, А., et al.
Published: (2007)