Перспективные материалы для низкоомных толстопленочных резистивных элементов

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2005
• Автори: Смирнов, А.Н., Пучкова, Н.С., Сидорец, Р.Г., Лемза В.Д.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
• Теми: Материалы электроники
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53531
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Перспективные материалы для низкоомных толстопленочных резистивных элементов / А.Н. Смирнов, Н.С. Пучкова, Р.Г. Сидорец, В.Д. Лемза // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 1. — С. 58-59. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Разработанная на основе Ag/Ru/Pd система паст и содержание в этой системе 35—45% стеклосвязки обеспечивают необходимые характеристики резисторов и расширяют возможности толстопленочной технологии....