Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии селенида кадмия на слоистую подложку GaTe получена структура многокомпонентного состава с присутствием незначительной части металлического кадмия....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53557 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах / А.А. Балицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.— 2005.— № 2.— С. 59-61.— Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862634602880827392 |
|---|---|
| author | Балицкий, А.А. |
| author_facet | Балицкий, А.А. |
| citation_txt | Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах / А.А. Балицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.— 2005.— № 2.— С. 59-61.— Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Методом молекулярно-пучковой эпитаксии селенида кадмия на слоистую подложку GaTe получена структура многокомпонентного состава с присутствием незначительной части металлического кадмия.
|
| first_indexed | 2025-11-30T16:24:55Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53557 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T16:24:55Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Балицкий, А.А. 2014-01-22T22:11:16Z 2014-01-22T22:11:16Z 2005 Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах / А.А. Балицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.— 2005.— № 2.— С. 59-61.— Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53557 Методом молекулярно-пучковой эпитаксии селенида кадмия на слоистую подложку GaTe получена структура многокомпонентного состава с присутствием незначительной части металлического кадмия. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах Формування гетероструктур GaTe/CdSe для використання в сонячних елементах Formation of GaTe/CdSe heterostructures for solar cells applications Article published earlier |
| spellingShingle | Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах Балицкий, А.А. Материалы электроники |
| title | Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах |
| title_alt | Формування гетероструктур GaTe/CdSe для використання в сонячних елементах Formation of GaTe/CdSe heterostructures for solar cells applications |
| title_full | Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах |
| title_fullStr | Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах |
| title_full_unstemmed | Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах |
| title_short | Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах |
| title_sort | формирование гетероструктур gate/cdse для использования в солнечных элементах |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53557 |
| work_keys_str_mv | AT balickiiaa formirovaniegeterostrukturgatecdsedlâispolʹzovaniâvsolnečnyhélementah AT balickiiaa formuvannâgeterostrukturgatecdsedlâvikoristannâvsonâčnihelementah AT balickiiaa formationofgatecdseheterostructuresforsolarcellsapplications |